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超导量子芯片硅穿孔填充技术

已有 202 次阅读 2024-4-16 09:57 |系统分类:论文交流

超导量子芯片硅穿孔填充技术

郑伟文1,栾添1,2,张祥1

1. 量子科技长三角产业创新中心,苏州215123

2. 中国电子科学研究院,北京100041

摘要 超导量子计算是目前最有可能实现实际应用的量子计算方案之一,多层堆叠是实现超导量子比特大规模扩展的最佳方案。介绍了超导量子芯片中硅穿孔(TSV)填充工艺的特点并汇总概括了当前超导TSV填充技术。以电镀和金属熔融填充为代表的完全填充工艺具有器件可靠性高、工艺复杂度低等优点,但与半导体技术兼容性较差;以物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积和快速原子连续沉积技术为代表的部分填充工艺,具有与半导体技术兼容性好的优点,但器件可靠性低、工艺复杂度高。开发新材料的电镀工艺或许是未来较为可靠的方案。

关键词 超导量子;多层堆叠;硅穿孔;薄膜沉积

(责任编辑  傅雪)

http://www.kjdb.org/CN/10.3981/j.issn.1000-7857.2024.02.005



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