pdated 17/10/2011 by Li Lei

1.       低配位原子间短而强的键会引起芯电荷的局域电子钉扎,产生正的深能级移动;

2.       紧束缚高密度芯电子会使在价带顶部的非键电子（如碳的π电子和贵金s轨道上的半满电子）极化，产生负的浅能级移动；

3.       低配位诱导正的芯能级移动，芯能级移动的大小正比于平衡状态下的单键能；

4.       配位数越低扎钉效应产生的极化效应也越明显；

5.       量子钉扎和电荷极化相互耦合会产生新的能态和价带劈裂；

6.       由于W边缘的价带同Rh吸附原子和Ag/Pd合金相似，W可代替它们作为施主型催化剂；

7.       通过ZPS的方法可以得到，当Re吸附氧时，由于O-Re键能更强，所以芯能级会向深能级移动。