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VASP电荷密度差的计算

已有 12729 次阅读 2009-4-13 15:20 |个人分类:生活点滴|系统分类:科研笔记|关键词:学者| VASP, 电荷密度差

  在文献中,经常见到利用电荷密度差(charge density difference)来分析成键的过程或是结构弛豫前后电荷的转移,当然,也有人用来分析基态和激发态的电荷分布差别等情况。不过,尽管似乎都叫“电荷密度差”,但具体的定义是不大一样的。

  这里主要是讨论在VASP中如何得到用来分析成键前后电荷转移的电荷密度差。
  此时电荷密度差定义为:

   delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom

  其中 RHO_sc 为自洽的面电荷密度,而 RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度,是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的,即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。

  不同晶面的 RHO_sc 可由自洽计算的CHG或CHGCAR得到;
  而计算 RHO_atom 所需的 CHG 或 CHGCAR 可由下述非自洽计算得到:
  仍使用原来自洽计算时的四个输入文件,但INCAR中需要设置 ICHARG=12 和 NELM=0,其他设置不变。

  需要特别注意的,应保持前后两次计算(自洽和非自洽)中的 FFT-mesh 一致。因为,只有维数一样,我们才能对两个RHO作相应的矩阵相减。不过,只要按上一段提到的设置方法做就行了,无须特别增加别的设置。

  数据处理:
  矩阵相减:使用MatLab或是自已写个小程序。
  作图:Origin 或 MatLab。  

 
 原文地址 http://new.quantumchemistry.net/Experience/CommonSoftwares/VASP/ConcereteExample/200512/91.html  


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