在文献中，经常见到利用电荷密度差(charge density difference)来分析成键的过程或是结构弛豫前后电荷的转移，当然，也有人用来分析基态和激发态的电荷分布差别等情况。不过，尽管似乎都叫“电荷密度差”，但具体的定义是不大一样的。

  这里主要是讨论在VASP中如何得到用来分析成键前后电荷转移的电荷密度差。
  此时电荷密度差定义为：

   delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom

  其中 RHO_sc 为自洽的面电荷密度，而 RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的，即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。

  不同晶面的 RHO_sc 可由自洽计算的CHG或CHGCAR得到；
  而计算 RHO_atom 所需的 CHG 或 CHGCAR 可由下述非自洽计算得到:
  仍使用原来自洽计算时的四个输入文件，但INCAR中需要设置 ICHARG=12 和 NELM=0，其他设置不变。

  需要特别注意的，应保持前后两次计算（自洽和非自洽）中的 FFT-mesh 一致。因为，只有维数一样，我们才能对两个RHO作相应的矩阵相减。不过，只要按上一段提到的设置方法做就行了，无须特别增加别的设置。

  数据处理：
  矩阵相减：使用MatLab或是自已写个小程序。
  作图：Origin 或 MatLab。  

 
 原文地址 http://new.quantumchemistry.net/Experience/CommonSoftwares/VASP/ConcereteExample/200512/91.html  


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