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阴极短路技术,阳极短路技术

谢孟贤 2011-7-15 12:57

（什么是阴极短路技术？什么是阳极短路技术？在什么情况下采用这些技术？）作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 阴极短路技术或者阳极短路技术，都是为了改善晶闸管之类器件的工作性能而采取的一项技术措施。其根本作用就在于减小有关器件中所包含的某个双极型晶体管（ BJT ）的电流放 ...

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几种典型双极型器件的型式和特性

热度 1 谢孟贤 2011-7-15 12:42

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 双极型器件的基础性结构就是p-n结。通过多个p-n结的组合即可给出不同型式和不同特性的器件。（1）一个p-n结的器件（图1）： p-n结具有单向导电性，一个p-n结加上两个电极就构成一个二极管。 p-n结二极管可用作为整流、检波、微波器件（例如IMPATT二极 ...

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半导体器件中的几个长度标准

热度 4 谢孟贤 2011-7-15 12:41

（1）p-n结的耗尽层厚度（对于p+-n结）：W = √{ 2ε( Vbi－V ) / ( q ND ) } . p-n结的耗尽层厚度在双极型器件和场效应器件中都是一个重要的尺寸标准。例如： BJT的外延层厚度必须大于在雪崩击穿电压或者穿通电压时、相应的集电结耗尽层厚度； &n ...

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IGBT的基本结构和性能

热度 1 谢孟贤 2011-7-14 12:56

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 绝缘栅双极型场效应晶体管（ IGBT ）就是在 VDMOSFET 和 LDMOSFET 的基础之上，再引入少数载流子进去参与工作，使得其中电阻率较高的耐压层发生电导调制效应（即 Webster 效应），从而降低了器件的导通电阻，提高了电流容量 ...

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BJT基区中少数载流子浓度分布的形式 / 反向电流和击穿电压

热度 1 谢孟贤 2011-7-14 12:55

（ BJT 在各种偏置时输出电流的相对大小如何？ BJT 击穿电压的相对大小如何？）作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) （ 1 ） BJT 的基本工作状态： BJT 的基本工作状态有三种：放大状态、截止状态和饱和状态。 BJT 处于何种工作状态，完全 ...

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MOS反型层（沟道）的特性

热度 1 谢孟贤 2011-7-14 12:54

（沟道厚度如何变化？为何沟道下的耗尽层厚度最大、且不变？沟道电容的影响怎样？）作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) MOSFET 的核心部分是栅极及其下面的 MOS 系统。 MOSFET 的工作就是通过控制 MOS 的半导体表面势阱——反型层（导电沟道）来实现的。 ...

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增强型和耗尽型场效应晶体管

热度 1 谢孟贤 2011-7-13 12:37

(什么是增强型、什么是耗尽型？其内部的主要差别是什么？) 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管（D-FET）就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET；增强型场效应晶体管（E-FET）就是在0栅偏压时不存在沟道、不 ...

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pin结的伏安特性

热度 2 谢孟贤 2011-7-13 12:37

(pin结的导电机理与一般pn结有何不同？) 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) pin结就是在p型半导体与n型半导体之间，人为地加上一层较厚的本征层（i型层）而构成的一种特殊形式的p-n结。pin结的空间电荷区分别在i型层两边的界面处，而整个的i型层中没有空间电荷，但是存在由两边的空间电 ...

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BJT的输出电阻

热度 1 谢孟贤 2011-7-13 12:36

(为什么不同组态的输出电阻不同？) 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) （1）基本概念：双极型晶体管（BJT）的输出电阻就是指它的输出端电压与输出端电流之比，而输入电阻就是指它的输入端电压与输入端电流之比。输出电阻和输入电阻都能够分别由BJT的输出伏安特性曲线和输入伏安 ...

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BJT的输入电阻

谢孟贤 2011-7-13 12:36

(为什么不同组态的输入电阻不同？) 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) BJT的（本征）输入电阻（输入直流电阻和输入交流电阻）都能够分别由BJT的输入伏安特性曲线来求得。因为BJT的输入伏安特性都是指数式上升的曲线，所以输入直流电阻总是大于输入交流电阻。但是BJT由于Early效应（基区 ...

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