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Angewandte Chemie International Edition, 2008, Early View.
p-Type Field-Effect Transistors of Single-Crystal Zinc Telluride Nanobelts
Jun Zhang, Po-Chiang Chen, Guozhen Shen, Jibao He, Amar Kumbhar, Chongwu Zhou, Jiye Fang
Published Online: Oct 29 2008 8:00AM
DOI: 10.1002/anie.200804073
Abstract | References | Full Text: PDF (Size: 588K) | Supporting information
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这是我们和纽约州立宾汉顿大学的Jiye Fang教授合作的文章。我们和他们已经建立多年的合作关系。这篇文章Fang教授主要是负责ZnTe纳米带的材料合成工作,我和实验室另外一个研究生负责device方面的工作。简单的来说,ZnTe是一种重要的直带隙半导体材料,在太阳能电池方面应用广泛,在这篇文章中,Fang教授组采用高温液的方法,在有机溶液中得到直径大约5纳米左右的ZnTe纳米带,我们则做了基于单根纳米带的场效应晶体管,测量结果显示它是p型半导体材料,但是gate-dependence非常的差,而且材料本身电阻非常的大。其实这也是很多液相法得到的一维纳米材料的一个比较常见的现象。在文章中,我们还研究了不同温度下材料的电阻变化情况。
为了做器件这块,我和另一个学生还是花了不少时间的,主要是试验设备老出问题,而且不同温度的结果测量相当的花时间。本来我觉得这篇文章大概发个3-4左右的文章就不错了,毕竟器件这块的结果不太理想,不过Fang教授建议投Angewandte Chemie,没想到竟然很快就接受了,让我多少有点意外。
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