博文
祝贺复旦大学微电子学院江安全教授的文章在Nature Materials发表
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Nature Materials( 期刊影响因子：38.663 )
江安全 研究员、博士生导师
1988年8月-1992年6月：理学学士，兰州大学材料科学系
1994年8月-1999年6月：理学博士，中国科学院固体物理研究所
1999年6月-2006年2月：博士后，中科院物理所、剑桥大学
2006年9月-至今：研究员，复旦大学
2009年1月-2015年12月，上海市高校特聘教授（东方学者）
2013年1月-2016年12月，国家杰出青年科学基金
2015年-2018年，IEDM存储器分会委员和Scientific Reports编委
江安全教授所在专用集成电路与系统国家重点实验室（复旦大学）是于1992年由国家计委批准建立、利用世界银行贷款筹建的国家重点实验室，是我国唯一的专门从事集成电路设计研究的国家重点实验室。1995年9月实验室通过国家验收，2002年和2007年，分别通过了科技部的评估。实验室依托复旦大学微电子学与固体电子学、电路与系统两个国家重点学科，所属一级学科电子科学与技术也被列入全国重点学科。
实验室的总体定位是：以微电子、集成电路计算机辅助设计和电路系统理论方法为基础，发挥多学科综合和交叉优势，面向微纳电子领域国际发展主流及国家战略需求，围绕集成电路这一关系到我国国民经济和社会发展，以及国防安全的重大关键问题，开展专用集成电路设计方法与系统集成技术的创新研究。
复旦大学微电子学院江安全课题组经过多年努力成功研制出一种基于导电畴壁的新型高性能铁电畴壁存储器，兼具读写速度快、存储密度高、功耗抵、擦写次数不限、与CMOS工艺兼容易于大规模生产等优点。
江安全教授团队在硅基铌酸锂单晶薄膜上利用铁电薄膜的表面层效应，实现了自带选择管功能的铁电畴壁存储器。相关成果以Ferroelectric domain wall memory with embedded selector realized in LiNbO3 single crystals integrated on Si wafers为题发表在国际顶级期刊《自然材料》(Nature Materials)上，江安全教授为文章第一作者和通信作者。该项工作受到国际知名学者James F. Scott（铁电存储器(1T1C/2T2C)奠基者）和Cheol Seong Hwang教授（韩国科学技术院院士，Samsung 公司存储技术顾问）的大力支持和帮助。
特别感谢现代铁电之父 James F. Scott
该篇文章的发表受到了James F. Scott（图左）的大力帮助， James F. Scott（铁电存储器（1T1C/2T2C）奠基者）在铁电材料及器件研究方面做出了先驱性工作，联合国教科文组织（UNESCO）为此特别授予James F. Scott教授“纳米科学和纳米技术发展贡献”奖。
如今，他的纳米存储器（Nano-memories）研究成果，已经被广泛应用于全世界数百万具有电子钱包功能的智能卡，James F. Scott被誉为Oyster卡（伦敦地铁一卡通）之父。
润色编辑 David MacDonald
1988 - MSc Optical Electronics, University of Strathclyde
1987 - BEng Electrical & Electronic Engineering, University of Strathclyde
MacDonald先生是一位经验丰富的电子和电气工程信息科学家，研究生阶段的研究内容是光纤激光陀螺系统，1994年至2007年间，他一直在Thomson Scientific从事Inspec数据库学术和科技文章的索引和摘要编辑工作，专业领域包括电子学、光电子学、半导体电子学和电信学。之后，任Thomson专利分析师，为Derwent World Patent Index提供数据内容，领域覆盖电子材料和制造，半导体设备和电路及其制造商，以及包括液晶和电致发光显示器的电子显示技术。MacDonald先生擅长领域包括电子与电气工程、物理和材料科学。他从2008年起为理文编辑工作。
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