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“科学精神,创新魅力”
2022年4月21日iCANX“有一说一”第三期
本期介绍 碳基集成电路技术 随着硅基微电子器件尺度进入深亚微米后,后摩尔时代非硅电子学的发展备受瞩目。国际半导体技术路线图(ITRS)委员会2005年明确指出硅基CMOS技术将在2020年左右达到其性能的绝对极限。在可能的下一代技术中,ITRS委员会基于其新材料和新器件工作组的系统研究和推荐,2009年明确向半导体行业推荐碳基电子学,作为可能在未来10-15年显现商业价值的下一代电子技术,并给出了详尽的路线图和碳纳米管挑战。面向后摩尔时代,北京大学于1999年组建了碳基纳电子材料与器件研究团队。经过近二十年的努力,该团队在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中取得系列突破,逐一解决了ITRS所给出的挑战,并由此发展出了一整套无掺杂碳管CMOS集成电路制备新技术,成为下一代信息处理技术强有力的竞争者。 嘉宾介绍:彭练矛,北京大学教授。1982年毕业于北京大学无线电电子学系。1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心师从J.M. Cowley教授, 1988年获博士学位。1989年至英国牛津大学, 任M.J. Whelan 教授的研究助手。1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow,国际电子显微学会联合会Presidential Scholar。1994年底回国,获首届国家杰出青年科学基金资助。1999年被北京大学聘为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授。2019年当选中国科学院院士。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件。四次担任国家973计划和重点研发计划项目首席科学家,发表论文400余篇,被引21000余次,相关工作分获2010年度和2016年度国家自然科学二等奖;2000年度和2017年度“中国高等学校十大科技进展”;2000年度“中国基础科学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展”;全国科技创中心2018 年度重大标志性原创成果。 观看直播:www.ican-x.com 今晚八点,我们不见不散!
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