作者：Xie M. X. (UESTC，成都市)

* 发射极开路时的反向漏电流ICBO：

        这实际上就是集电结的反向漏电流，与单个p-n结的反向饱和电流基本上相同，理想情况下都是少子的扩散电流；只是BJT中的ICBO一般要比单个p-n结的反向饱和电流稍大一些（因为基区宽度很窄，基区中少子的浓度梯度较大一些）。

        对于实际的BJT，集电结内部和表面的产生中心（有害杂质或缺陷）所引起的电流往往起很大的作用。

* 基极开路时的反向漏电流ICEO：

        这可看成是发射极接地、输入端（基极）开路时器件的反向漏电流，又称为穿透电流。

        这时由于集电结反偏，通过的电流即是很小的ICBO；但是又由于发射结正偏，BJT是处于放大状态，有一定的放大作用（电流放大系数为β），因此通过器件的电流就成为了β×ICBO＋ICBO，这就是ICEO。所以，BJT的ICEO要比ICBO大得多。