科学网—xiemx的博文

调制掺杂异质结和高迁移率二维电子气

谢孟贤 2011-3-24 21:15

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) 二维电子气: 对于突变异质结，由于导带底能量突变量DEC的存在，则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”；实际上，对异质结中导带电子的作用而言，该“尖峰”也就是电子的势垒，“凹口”也就是电子的势阱。因此，实际上“尖峰”中的电场有驱赶 ...

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关于RF器件

谢孟贤 2011-3-24 21:14

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) RF电路的制作主要是着眼于阻抗匹配，对其中所采用的器件的要求重要的是其高频率和低噪声性能。（1）减小电容：对于RF(射频)-BJT，影响其高频性能的主要因素是集电结势垒电容和衬底的寄生电容（因为在共发射极 ...

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MOSFET的衬偏效应(体效应)

热度 1 谢孟贤 2011-3-24 21:13

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道 —— 表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结—— 场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化(栅电压不再能够改变耗尽层厚 ...

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几种典型Si平面BJT的设计考虑（要点）

谢孟贤 2011-3-23 13:01

Xie Meng-xian. (电子科大，成都市) * ——低频小功率BJT：作为一只普通的低频小功率BJT，首先就是要求它具有较好的放大功能，即有较大的电流放大系数β。为了提高BJT的β，需要从增大其发射结注射效率和增大其基区 ...

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限制半导体器件最高工作条件的主要因素

热度 2 谢孟贤 2011-3-23 13:00

Xie Meng-xian. (电子科大，成都市) （1）限制半导体器件最高工作温度的主要因素：因为半导体材料本身在温度升高到一定程度时都将要转变为本征半导体，这时p-n结也就失效了。而现有的半导体器件几乎都少不了p-n结（MOSFET也是如此），所以当p ...

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双极型晶体管的高频性能指标——— β×VA

热度 2 谢孟贤 2011-3-23 12:59

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) * 高频率和高β：表征BJT高频性能的參量有很多。重要的有如fα、fβ、fT、fm，特别是其中的特征频率fT用得最多（因为fT的测量比较容易，而且由fT能够直接换算出其它各个频率參量）。fT与少数载 ...

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二极管和三极管的截止频率fT

谢孟贤 2011-3-21 13:26

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) l 二极管的截止频率: 对于 pn结二极管和肖特基二极管，由于存在势垒电容，所以随着信号频率的增高，其阻抗下降；当阻抗的大小降低 ...

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双极型晶体管的反向漏电流———ICBO和ICEO

热度 2 谢孟贤 2011-3-19 19:58

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) * 发射极开路时的反向漏电流ICBO：这实际上就是集电结的反向漏电流，与单个p-n结的反向饱和电流基本上相同，理想情况下都是少子的扩散电流；只是BJT中的ICBO一般要比单个p-n结的反向饱和电流稍大一些（因为基区宽 ...

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BJT的Early效应

谢孟贤 2011-3-19 19:54

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) Early效应: Early效应也称为基区宽度调制效应，这是BJT在较大工作电压时所出现的一种现象。因为BJT在放大状态工作时，集电结上的反偏电压（直流电压+交流电源）是变化着的 ...

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BJT的发射极电流集边效应

谢孟贤 2011-3-19 19:51

作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) 发射极电流集边效应产生的机理: 发射极电流集边效应也称为基极电阻自偏压效应，这是BJT在大电流工作时出现的一种现象。在发射结正偏时，通过发射结的电流大部分都流向了集 ...

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