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微电子器件|

p-n结的空间电荷区: 热度 2 谢孟贤 2011-3-14 10:12; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) p-n结空间电荷区空间电荷和内建电场：p-n结空间电荷区是由于p-n结两边的多数载流子往对方注入、并扩散所形成的。它是由正、负电荷构成的一个电偶极层，其中存在较强的所谓内建电场（对Si/p-n结 ...; 个人分类: 微电子器件|11240 次阅读|1 个评论热度 2

BJT三种基本应用组态的性能比较: 热度 1 谢孟贤 2011-3-14 10:07; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 这里“基本组态”是指晶体管在应用中的基本使用方式。由于晶体管（BJT和FET）都是三端器件，则在电路应用中可以有三种接地方式（即三种基本组态）。对于BJT，三种基 ...; 个人分类: 微电子器件|12151 次阅读|没有评论热度 1

晶体管的工作状态(工作模式): 热度 1 谢孟贤 2011-3-14 10:04; 作者：Xie M. X. (UESTC，成都市) 晶体管有三种工作状态(工作模式)。 ☆晶体管的放大状态-------- 晶体管的工作状态(或工作模式)有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.放大状态就 ...; 个人分类: 微电子器件|12073 次阅读|1 个评论热度 1

增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向: 热度 4 谢孟贤 2011-3-12 21:04; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 现在微电子技术的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继 ...; 个人分类: 微电子器件|8441 次阅读|3 个评论热度 4

模拟MOSFET的一个重要发展方向: 谢孟贤 2011-3-12 20:55; 作者：Xie M. X. (UESTC，成都市) 模拟 IC 总是不断地要求提高增益、提高频率、降低噪声、减小失真等。但是由于 MOSFET 存在其固有的内在矛盾，所以很难满足模拟应用的这些需要。因此，解决这些内在矛盾，也就是模拟 MOSFET 及其 ...; 个人分类: 微电子器件|5295 次阅读|没有评论

密勒电容和密勒效应: 热度 1 谢孟贤 2011-3-10 17:08; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) （什么是密勒电容？密勒电容对半导体器件频率特性的影响怎样？）（1）密勒电容的概念：密勒电容就是跨接在放大器（放大工作的器件或者电路）的输出端与输入端之间 ...; 个人分类: 微电子器件|9327 次阅读|1 个评论热度 1

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