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业余绘画作品3
2017-4-3 18:54
国画作品,供欣赏和指教。
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业余绘画作品2
热度 2 2017-4-3 17:19
油画作品,供欣赏和指教。 爱因斯坦 黄昆院士 陈星弼院士 西泽润一院士 胜利之吻 母子 贺益恩校长(长沙市七中) 吴立人老院长(成电) 吴淳同志 最年轻的教授
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业余绘画作品1
2017-4-1 18:05
这是电子科大沙河校区的校园风情素描,供欣赏和指教。在本博客的相册里还给出了几幅人像和头像的素描。 主楼 微固楼 校园内 食堂前面 食堂后面 毛鈞业教授 张怀武教授和陈星弼院士 杨晓波副校长 老专家 彩色铅笔画像 老专家 老专家
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阴极短路技术,阳极短路技术
2011-7-15 12:57
(什么是阴极短路技术?什么是阳极短路技术?在什么情况下采用这些技术?) 作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) 阴极短路技术 或者 阳极短路技术 ,都是为了改善 晶闸管 之类器件的工作性能而采取的一项技术措施。其根本作用就在于减小有关器件中所包含的某个双极型晶体管( BJT )的电流放 ...
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几种典型双极型器件的型式和特性
热度 1 2011-7-15 12:42
几种典型双极型器件的型式和特性
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) 双极型器件的基础性结构就是p-n结。通过多个p-n结的组合即可给出不同型式和不同特性的器件。 (1)一个p-n结的器件(图1): p-n结具有单向导电性,一个p-n结加上两个电极就构成一个二极管。 p-n结二极管可用作为整流、检波、微波器件(例如IMPATT二极 ...
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半导体器件中的几个长度标准
热度 4 2011-7-15 12:41
(1)p-n结的耗尽层厚度 (对于p+-n结):W = √{ 2ε( Vbi-V ) / ( q ND ) } . p-n结的耗尽层厚度在双极型器件和场效应器件中都是一个重要的尺寸标准。例如: BJT的外延层厚度必须大于在雪崩击穿电压或者穿通电压时、相应的集电结耗尽层厚度; &n ...
15791 次阅读|4 个评论 热度 4
IGBT的基本结构和性能
热度 1 2011-7-14 12:56
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) 绝缘栅双极型场效应晶体管 ( IGBT )就是在 VDMOSFET 和 LDMOSFET 的基础之上,再引入少数载流子进去参与工作,使得其中 电阻率较高的耐压层发生电导调制效应(即 Webster 效应),从而降低了器件的导通电阻,提高了电流容量 ...
12091 次阅读|1 个评论 热度 1
BJT基区中少数载流子浓度分布的形式 / 反向电流和击穿电压
热度 1 2011-7-14 12:55
( BJT 在各种偏置时输出电流的相对大小如何? BJT 击穿电压的相对大小如何? ) 作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) ( 1 ) BJT 的基本工作状态: BJT 的基本工作状态有三种:放大状态、截止状态和饱和状态。 BJT 处于何种工作状态,完全 ...
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MOS反型层(沟道)的特性
热度 1 2011-7-14 12:54
(沟道厚度如何变化?为何沟道下的耗尽层厚度最大、且不变?沟道电容的影响怎样?) 作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) MOSFET 的核心部分是栅极及其下面的 MOS 系统。 MOSFET 的工作就是通过控制 MOS 的半导体表面势阱——反型层(导电沟道)来实现的。 ...
20453 次阅读|1 个评论 热度 1
增强型和耗尽型场效应晶体管
热度 1 2011-7-13 12:37
(什么是增强型、什么是耗尽型?其内部的主要差别是什么?) 作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) 总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。 耗尽型场效应晶体管(D-FET) 就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET; 增强型场效应晶体管(E-FET) 就是在0栅偏压时不存在沟道、不 ...
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