博文
断键与非健12：纳米半导体禁带宽度的变温和变尺度调制
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BOLS 理论与实验结果一致证实：1 晶体势对波函数的积分决定禁带宽度；2 晶体势在平衡时其谷点对应单键能；3 单键能的任何变化会直接作用于禁带宽度；4 低配位原子间的键短且强，从而使禁带展宽；5 纳米结构表层原子键序降低； 6 低配位原子比例随尺寸减小而增大； 7 禁带展宽是由表层低配位原子间的强相互作用或表层应变和能量限域钉扎决定而不是体限域效应；８升温使键变弱，禁带变窄；９理论拟合可求得德拜温度和单原子结合能。
Band Gap Modulation of the IV, III-V, and II-VI Semiconductors by Controlling the Solid Size and Dimension and the Temperature of Operation http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp209933v
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