相差校正功能 近年来,透射电子显微镜(TEM)的进步显著,最为突出的是球差校正技术的开发。电子显微镜中使用的磁场透镜,原理上因为只能采用凸透镜制作,并不能像光学显微镜一样通过组合凹透镜改善像差。因此,镜片的各种像差,尤其是3层球面像差(Cs)的影响,分辨率会有所限制。但是最近几年来,利用理论上一直被倡导的多极子实现了凹透镜装置的制作,并凭借电稳定性的提高和调节中必要实验的数据积累等而最终被广泛应用。这种球差校正构造结合了TEM的透射和成像功能,实现了即便加速电压值200KV也无法实现的0.1nm的分辨率,使单个原子等级上的位置锁定和元素识别成为可能。 Fig.1中,根据照射体系中有无像差校正结构,电子束会显示不同的路线图。由于偏离透镜中心区域通过的电子束会发生大幅度折射,所以通常电子束不会在样品表面的一点聚焦,电子的探测范围被放大。另一方面,在凸镜的上方导入凹镜(像差校正结构),将会完全消除折射角度不同的现象。因此电子束在样品表面局部区域内聚焦,可以形成极细的电子探针。 另一方面,依靠像差校正,可以利用偏离透镜中心的高角度电子束,从而可以使用大型聚光器(集束)的透镜光圈。通常,聚光器透镜光圈只能使用到10mrad左右,但是通过像差校正后,20~40mrad的大型聚光器透镜光圈也可以使用。如Fig.2中所示,与像差校正前相比像差校正后的电子探测电流值增大了十倍以上。 (a) (b) Fig.1 Schematic diagram of Cs-TEM (a) without Cs-corrected, (b) with Cs-corrected (a) (b) (c) Fig.2 The Intensity profile of electron-beam (a)Before correction、(b) After correction、(c)Before and after correction 原文章地址:http://www.toray.cn/trc/kinougenri/keitai/kei_002.html
在思考如何测量超快电子脉冲时候,忽然有一个新想法,十分有趣,记下了避免忘记。 如果能够在LEEM的样品位置放置电子针尖(避免电压击穿,这个可以实现),通过 超快激光聚焦在针尖位置,我们可以发射超快电子,该超快电子可以通过小孔获得 超快电子束作为小孔相机成像。我们可以在LEEM中不改变任何设备,获得超快TEM! 而且好处是电子源离开样品十分近,空间电荷效应会比较小。 TEM in LEEM.ppt 进一步思考,我们可以获得全息相,应该是超快全息像。这个是十分重要的一个发现。 将对理解纳米材料在超快过程中起到直接作用。 这种情况下,如果我们也可以不是用点源成像法,而是low energy TEM,可以获得fs级别得 像。
Position in stub for FEI Magellan400L STEM FEI Magellan400的STEM上样顺序。 ===================== STEM stub From left to right, 1,2,3,4,5,6 ------------------------ STEM holder From up to down 1, 2, 3, 4, 5, 6 --------------------- In display From left to right 1,2,3,4,5,6 ======================== Note: 1# should be empty because of preset position.