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量子化学网版权所有 http://www.quantumchemistry.net/Foundation/SpecialTopics/PropertyAnalysis/EnergyBandAnalysis/200512/301.html J. Phys. Chem. B 2004, 108, 14477-14483, Oxygen Overlayers on Pd(111) Studied by Density Functional Theory 里面有这样两段话， The adsorbate-adsorbate interaction, obviously, also affects the density of states (DOS). The DOS for the clean Pd(111) surface and the theta 0.25 ML and theta 1 ML overlayer structures (with O in fcc sites) are shown in Figure 8. In particular, the difference between the DOS of the clean and the adsorbate covered surfaces clearly reveal the O-Pd bonding and antibonding states. They are just below and just above the nearly fully occupied palladium d band: bonding states around 5-8eV below the Fermi level and antibonding states around and just above Ef. For the full monolayer case, we see 4 peaks at the lower edge of the d band: one peak at -7.2 eV, a double peak around -5.8 eV, and peak at -4.7 eV. Obviously, at this coverage we expect the formation of an adsorbate bandstructure and this is shown in Figure 8. The three lower DOS peaks (-7.2 and -5.8 eV) are clearly due to the oxygen p orbitals (more precisely due to the bonding states the O 2p orbitals form with the Pd d band). The -4.7-eV peak has mainly d character. It is due to a state that at the K^bar point splits off the bulk d band. The presence of a noticeable oxygen-oxygen interaction in the overlayer is clearly reflected, for example, in the 2-eV bandwidth of the bandstructure of the bonding states. The antibonding O-metal states are also visible in the bandstructure plot, namely, around -2 eV and just above the Fermi level. 问题是： 成键态和反键态在 bandstructure 上有什么特征？如何识别？ 成键反键在能带图或者态密度上的样子是什么？能从电子密度上看出来么？ 回答： 实际上，在 DOS 图上，每种元素都有大致的能量范围，例如这篇文章里就用到了两个，一个是清洁的 Pt 的能量范围，一个是 O 的能量范围（特别是文中还指出了 O 的 Pz 轨道的能量范围）。 另外要考虑的一个问题是，当 O 和 Pt 发生键的杂化的时候，最终得到的杂化轨道的能量是不同于原先的轨道能量的。其中，成键轨道（也就是电荷密度在键上能聚集的轨道）的能量低于原先的轨道的能量，而反键轨道的能量则要高于原能量，升高和降低的能量应该是相等的。 按文中的说法大致这个量级是 2eV 。那么在 DOS 上就可以看到对应的新的键轨道的能量。特别是，作者给出了 DOS 的差值图。这里系统中只有 Pt 和 O 两种元素，那么这个差值图可以体现出新分布到 O 原子上的电子。 费米面以下， deltaN0 的部分，来自于 O 与 Pt 的成键轨道，文中特别指出是 Pz 轨道， deltaN0 的来自于反键轨道，至于费米面以上的，则是 Pt 和 O 的反键轨道。 当然，如果作者能给出分波态密度，那就更清楚了。 问：怎么能从 bandstructure 看出 O-O 相互作用？ 答：作者说到了 O 和 O 的强的互作用。这可以从原胞大小不同看出，即 (1x1) 和 (2x2) 的情况下 DOS 的差别。可见，原胞变大，也就是 O 的密度降低， O 之间间距变大的时候， -7.2 和 -4.8eV 的峰高都下降，对应的，大概 0.3eV 的反键轨道的峰也下降了。 问：原子数少，就是一个一个点也可以把成键反键数出来。那么原子数多的情况下，分析成键，反键，或者什么晶体场劈裂意义大么？ 答：很大。原子数多的时候，这样的分析才更有意义，不过需要更多的经验。 特别是那些做钙钛矿或者铜氧化合物的人就更需要了，因为这些系统里，原子数太多，而且多数涉及到 d 轨道甚至 f 轨道，再直接去分析能带图就不现实了。 另外，分析晶场劈裂有时能直接给出结果的，甚至是在做具体的计算之前。这也有利于对计算结果的确认。万一算错了，也可以知道，否则迷信程序，出了原则性的错误，那就再糟糕不过了。 最后，文章里有这样的分析，不是更好发文章吗？ :D 对于 TMO 而言，晶体场劈裂强度和格点上 U 项的相对大小直接决定体系最终的自旋排列和分波轨道占据情况，这些结果又直接的决定了 orbital ordering 和 charge ordering 之类。换句话说， “ 序 ” 这个概念贯穿于始终。对于这一大类体系而言， DOS 远比 charge density 好用。从 band structure 来看，必须选择重要的能量窗口分析才有效 成键反键态的电荷密度形象： 在最简单的情况下就是电子云积聚在 bond 上是成键。下图是在网上找的成键轨道和反键轨道的图像。颜色代表轨道的相位。明显，同样颜色的轨道如果叠加，最后的电荷密度应该是增大，这就成键了，但是入轨相位相反，则波函数相消，最后就是成反键态。 可行的分析 atomic bond 的类型的方法： 原则上讲， pi-bonding 或者 delta-bonding 的确认应该从本征矢里（最好是由原子波函数展开的空间）看相应于各轨道的系数的正负值。 另外，可以做分波电荷密度图，差分或者二次差分的电荷密度分布图，由电荷分布的形状来确定成健的分波轨道和成键类型。 或者可以从 COHP 或 COOP 的概念来处理，可以用 coop 分析在 pdos 和 charge density 的基础上来分析成键轨道间的相位问题。 或者直接在 pdos 或者 dos 图上确定杂化峰：费米面下叫 bonding states ，以上叫 anti-bonding states 。 来源：紫霞量化版， wuga,silali,Yepriyo,satchel1979,valenhou 的讨论。
J. Phys. Chem. B 2004, 108, 14477-14483, Oxygen Overlayers on Pd(111) Studied by Density Functional Theory 里面有这样两段话， The adsorbate-adsorbate interaction, obviously, also affects the density of states (DOS). The DOS for the clean Pd(111) surface and the theta 0.25 ML and theta 1 ML overlayer structures (with O in fcc sites) are shown in Figure 8. In particular, the difference between the DOS of the clean and the adsorbate covered surfaces clearly reveal the O-Pd bonding and antibonding states. They are just below and just above the nearly fully occupied palladium d band: bonding states around 5-8eV below the Fermi level and antibonding states around and just above Ef. For the full monolayer case, we see 4 peaks at the lower edge of the d band: one peak at -7.2 eV, a double peak around -5.8 eV, and peak at -4.7 eV. Obviously, at this coverage we expect the formation of an adsorbate bandstructure and this is shown in Figure 8. The three lower DOS peaks (-7.2 and -5.8 eV) are clearly due to the oxygen p orbitals (more precisely due to the bonding states the O 2p orbitals form with the Pd d band). The -4.7-eV peak has mainly d character. It is due to a state that at the K^bar point splits off the bulk d band. The presence of a noticeable oxygen-oxygen interaction in the overlayer is clearly reflected, for example, in the 2-eV bandwidth of the bandstructure of the bonding states. The antibonding O-metal states are also visible in the bandstructure plot, namely, around -2 eV and just above the Fermi level. 问题是： 成键态和反键态在bandstructure上有什么特征？如何识别？ 成键反键在能带图或者态密度上的样子是什么？能从电子密度上看出来么？ 回答： 实际上，在DOS图上，每种元素都有大致的能量范围，例如这篇文章里就用到了两个，一个是清洁的Pt的能量范围，一个是O的能量范围（特别是文中还指出了O的Pz轨道的能量范围）。 另外要考虑的一个问题是，当O和Pt发生键的杂化的时候，最终得到的杂化轨道的能量是不同于原先的轨道能量的。其中，成键轨道（也就是电荷密度在键上能聚集的轨道）的能量低于原先的轨道的能量，而反键轨道的能量则要高于原能量，升高和降低的能量应该是相等的。 按文中的说法大致这个量级是2eV。那么在DOS上就可以看到对应的新的键轨道的能量。特别是，作者给出了DOS的差值图。这里系统中只有Pt和O两种元素，那么这个差值图可以体现出新分布到O原子上的电子。 费米面以下，deltaN0的部分，来自于O与Pt的成键轨道，文中特别指出是Pz轨道，deltaN0的来自于反键轨道，至于费米面以上的，则是Pt和O的反键轨道。 当然，如果作者能给出分波态密度，那就更清楚了。 问：怎么能从bandstructure看出O-O相互作用？ 答：作者说到了O和O的强的互作用。这可以从原胞大小不同看出，即(1x1)和(2x2)的情况下DOS的差别。可见，原胞变大，也就是O的密度降低，O之间间距变大的时候，-7.2和-4.8eV的峰高都下降，对应的，大概0.3eV的反键轨道的峰也下降了。 问：原子数少，就是一个一个点也可以把成键反键数出来。那么原子数多的情况下，分析成键，反键，或者什么晶体场劈裂意义大么？ 答：很大。原子数多的时候，这样的分析才更有意义，不过需要更多的经验。 特别是那些做钙钛矿或者铜氧化合物的人就更需要了，因为这些系统里，原子数太多，而且多数涉及到d轨道甚至f轨道，再直接去分析能带图就不现实了。 另外，分析晶场劈裂有时能直接给出结果的，甚至是在做具体的计算之前。这也有利于对计算结果的确认。万一算错了，也可以知道，否则迷信程序，出了原则性的错误，那就再糟糕不过了。 最后，文章里有这样的分析，不是更好发文章吗？:D 对于TMO而言，晶体场劈裂强度和格点上U项的相对大小直接决定体系最终的自旋排列和分波轨道占据情况，这些结果又直接的决定了orbital ordering和charge ordering之类。换句话说，“序”这个概念贯穿于始终。对于这一大类体系而言，DOS远比charge density好用。从band structure来看，必须选择重要的能量窗口分析才有效果。不过因为一般而言原胞都比较大，所以band structure太乱，不好分析。 成键反键态的电荷密度形象： 在最简单的情况下就是电子云积聚在bond上是成键。下图是在网上找的成键轨道和反键轨道的图像。颜色代表轨道的相位。明显，同样颜色的轨道如果叠加，最后的电荷密度应该是增大，这就成键了，但是入轨相位相反，则波函数相消，最后就是成反键态。 可行的分析atomic bond的类型的方法： 原则上讲，pi-bonding或者delta-bonding的确认应该从本征矢里（最好是由原子波函数展开的空间）看相应于各轨道的系数的正负值。 另外，可以做分波电荷密度图，差分或者二次差分的电荷密度分布图，由电荷分布的形状来确定成健的分波轨道和成键类型。 或者可以从COHP或COOP的概念来处理，可以用coop分析在pdos和charge density的基础上来分析成键轨道间的相位问题。 或者直接在pdos或者dos图上确定杂化峰：费米面下叫bonding states，以上叫anti-bonding states。 来源：紫霞量化版，wuga,silali,Yepriyo,satchel1979,valenhou的讨论。
如何考察一个能带（DOS）结构和复杂的相互作用 Part 1 Electric conductivity and Band structures 固体计算最终结果将以能带结构展示出来，关于能带结构，固体中化学键分析，轨道之间的相互作用的解释等是一个复杂的过程，这里只是简单的根据本人的经验对此作定性的描述. 根据Fermi面附近能带的分布情况，固体分为绝缘体（insulator），半导体（semi－conductor），导体（conductor），导体比较典型的是金属，能带在Fermi面附近是连续分布，主要由于金属d，s以及p轨道之间能级重叠导致了Fermi面能带的联系分布，金属电导的好坏不仅仅是看Fermi附近是不是存在可供电子跃迁的能级，还要看这些能级是不是扩展态（extended or delocalized states），如果是定域态（localized）那么及时Fermi附近呈现Metallic特性，电导不会比金属好，比如过渡金属化合物电导就要比金属本身差很多。过渡金属本身电导也会受到d轨道扩展程度的影响，比如3d系列Fe，Co，Ni等电导率不是很大，比起Cu，Ag等就差的远了，对于Fe等金属Fermi面主要陈分是3d轨道，而对于Cu和Ag，由于3d（4d）轨道已经成满层排列，因此Fermi面落在了扩展的s轨道上面，这些轨道上的电子类似于自由电子气，能带呈现抛物线的形式，E(k)=h^2k^2/2me; 具有比较高的电导率，相反Fe等的3d轨道成分也可以分为巡游电子（自由电子，轨道为扩展性，能带呈现抛物线特点）和定域轨道两类，定于轨道能带在k空间是离域的，色散关系比较平直，但在晶体实空间内高度的定域，受到原子核的Coulomb吸引作用比较强烈，难以发生迁移，因此如果填充电子落在这些d轨道上面，电导性会大大降低。当然具体取决于DOS或者能带是如何分布的，这个和晶体结构有关系。在一些化合物中如TiC等结构中，Fermi面最后落在以C2p轨道为主要成分的能带上面，p轨道主要参与结构共价键形成，这些电子能级一般定域在Ti和C原子周围，电子处于紧束缚状态，难以在外加电场下发生迁移，因此这时候化合物的电导会进一步下降。 Part 2 关于半导体能带的特点： 半导体能带类似于绝缘体，区别在于带隙数值，一般认为宽带隙半导体的能带最大在4eV左右。如果比这个更大，可以认为是绝缘体。半导体能带主要分成三个部分：valence band， band gap， conduction band。 Valence band：主要由电负性较大的原子组成，如InP，价带主要是P的3s，3p轨道，导带一般是金属原子组成，如In的s，p轨道等。从化学键角度考虑，价带一般是Bonding，当然也有部分结构表现出Anti－bonding状态。 Band gap： 带隙，电子动量空间的绝对真空地带。 Conduction band： 电负性较小的原子轨道组成，一般是反键态为主，也可能由Non－bonding states。 半导体能带需要注意the top of valence band和the bottom of conduction band，确定他们在Brillouin 区位置有助于了解带隙特点，如直接带隙（direct band gap） 还是间接带隙（indirect），不同的带隙特点在发光效率方面由比较大的影响，由于间接带隙涉及导声子驰豫过程，因此发光效率远远不如直接带隙半导体。 带隙比较大的固体结构，能带结构类似于半导体，能带的色散关系和固体结构中化学键的类型有关系，比如共价键强烈的固体能带扩展能量范围很广，如果存在离子键，能带会比较平滑一些。 在磁性材料中需要考虑交换－分裂对能带的影响，一般的DFT计算，轨道电子占据如果是非自旋极化的，电子内禀属性spin是不考虑的，不同自旋的电子占据同一轨道的概率相同，但如果是考虑自旋极化，轨道的这种对称性将被打破，能量的在最小化过程中可以让某些轨道保留多于的自旋极化电子，电子的磁矩可以保留下来。自旋极化对应的交换能（原子之间）一般用Heisenberg模型： E＝－JS1S2Cosa J为交换系数，可正可负，Si为自旋角动量，a是自旋角动量之间矢量夹角。 一般轨道自旋极化产生的磁性用Stoner 模型。在Stoner模型中整个体系的电子总数是N0，不考虑自旋的时候up spin 和down spin电子数目都是No/2，如果考虑自旋极化，自旋极化率为s，则up spin＝（1＋s）×No/2，对应自旋down spin＝（1－s）×No/2。交换能存在于自旋相同电子之间，假设为U，则E（up spin）＝E（k）＋U×N（up spin）；同理E（down spin）＝E（k）＋U×N（down spin）；显然U0时候，E（Up）E(down)，体系总能量是E（total）＝E（up)+E(down),能量最小的时候，要求dE(total)/ds=0,这样可以确定最终的s数值。 Hubbard 参数U和Stoner 自旋极化参量I 在平均场近似或者说是一般得LDA计算中，能带得自旋分裂是由一个称为Stoner 参数I来主导得，而且平均场近似中认为这个交换分裂能是小于带宽得，一般而言I得数值在LSDA中大概在1eV左右，这样即使对于某些氧化物如NiO，FeO，MnO等即使能带发生交换分裂，整个体系依然是金属性得，试验观察到得这些氧化物实际上是绝缘体，主要原因在于在这些氧化物中d轨道得能级位置不是由I来决定得，而是Hubbard参数U决定，U也称为On－site Coulomb作用能，相当于把两个电子放在空间同一个位置需要得能量，U数值一般在10eV左右，如此大得分裂能足以将Fermi面附近连续分布得d能级分开，从而得到正确得基态性质，目前广泛采用得LDA＋U的算法就是针对某些定域轨道，如d或者f，这些轨道占据存在强烈的在位Coulomb排斥。正是U使得带隙分裂，而不是轨道极化参量I。 U计算目前仍然是一个研究热点，最近由人采用线性响应理论，同时结合轨道束缚的DFT计算自洽的求解了部分体系的U参数，在大部分情况下U数值要根据计算结果和试验参数的符合程度而定。 LDA＋U计算核心思路是：首先将研究体系的轨道分隔成两个子体系（subsystem），其中一部分是一般的DFT算法（如LSDA，GGA）等可以比较准确描述的体系，另外是定域在原子周围的轨道如d或者f轨道，这些轨道在标准的DFT计算下不能获得正确的能量与占据数之间的关系（如DFT总是认为分数占据是能量最小的，而不是整数占据）；对于d或者f轨道，能带模型采用Hubbard模型，而其他轨道仍然是按照Kohn－SHam方程求解；d以及f轨道电子之间的关联能采用一个和轨道占据以及自旋相关的有效U表示；整体计算的时候需要将原来DFT计算过程中已经包含的部分关联能扣除，这部分一般叫Double Counting part，并且用一个新的U来表示，最终的结果是在DFT计算的基础上新增加一个和d或者f轨道直接相关的分裂势的微扰项，这部分能量可以采用一般微扰理论计算。 在CASTEP最新的版本中增加的LDA＋U的计算，U参数的设置一般主要是针对过渡金属氧化物（Charge transfer type insulator），包含非满层f轨道的元素等，高温超导体强关联体系。在参数设置方面主要是需要注意d和f轨道，至于s以及p轨道一般不需要设置，当然由文献也报道p轨道的这种关联性。过渡金属氧化物的有效U如下： Species U J U－J（Ueff） NiO 8.0 0.95 7.1 CoO 7.8 0.92 6.9 FeO 6.8 0.89 5.9 MnO 6.9 0.86 10.3 VO 6.7 0.81 5.9 TiO 6.6 0.78 5.8 Reference: Band theory and Mott insulators: Hubbard U insteat of Stoner I, PRB Vol44 No 3 (1991); 3d轨道U和J计算如下所示：主要原理是改变d轨道的占据，在自旋极化的前提下计算不同自旋轨道能量的差值提取U和J，U微Coulomb排斥能，J是交换能，U在所有电子中都存在，不管自旋是否相同，J只存在于自旋相同的电子上。 下面给出过渡金属（不包括稀土元素）U和J参数的选取(uint in Ry,1Ry=13.6eV)： 3d series: Elements U J V 0.25 0.05 Cr 0.26 0.053 Mn 0.28 0.055 Fe 0.3 0.058 Co 0.31 0.059 Ni 0.31 0.06 4d series: Elements U J Nb 0.19 0.04 Mo 0.2 0.04 Tc 0.21 0.042 Ru 0.22 0.042 Rh 0.25 0.044 Pd 0.29 0.044 5d series: Elements U J Ta 0.19 0.039 W 0.20 0.038 Re 0.205 0.039 Os 0.2 0.039 Ir 0.21 0.038 Pt 0.215 0.038 对于其他过渡金属化合物U一般在5－10eV之间。如在PRB73，134418（2006）这个文献中作者在计算Co掺杂的ZnO时采用的U是6和8eV。过渡金属的U数值和d电子排列以及价态有关系，因此上面给出的数值只是一个大概的估算数值，具体文献见Physical Review B Vol50,No23,1994. LDA+U 算法主要原创作者是俄罗斯金属研究所的V.I. Anisimov，重要文献有： Corrected atomic limit in the local density approximation and the electronic structure of d impurities in Rb, Phys.Rev.B 50,23 (1994）； Band theory and Mott insulators: Hubbard U instead of Stoner I, Phys.Rev.B. 44 No.3 (1991); Materials Studio 4.3版本中也给出了一些元素默认的U数值（实际是Ueff＝U－J）： Element Name Atomic number Angular Momentum Hubbard U Sc 21 d 2.5 eV Ti 22 d 2.5 eV V 23 d 2.5 eV Cr 24 d 2.5 eV Mn 25 d 2.5 eV Fe 26 d 2.5 eV Co 27 d 2.5 eV Ni 28 d 2.5 eV Cu 29 d 2.5 eV Y 39 d 2.0 eV Zr 40 d 2.0 eV Nb 41 d 2.0 eV Mo 42 d 2.0 eV Tc 43 d 2.0 eV Ru 44 d 2.0 eV Rh 45 d 2.0 eV Pd 46 d 2.0 eV Ag 47 d 2.0 eV Cd 48 d 2.0 eV La 57 f 6.0 eV Ce 58 f 6.0 eV Pr 59 f 6.0 eV Nd 60 f 6.0 eV Pm 61 f 6.0 eV Sm 62 f 6.0 eV Eu 63 f 6.0 eV Gd 64 f 6.0 eV Tb 65 f 6.0 eV Dy 66 f 6.0 eV Ho 67 f 6.0 eV Er 68 f 6.0 eV Tm 69 f 6.0 eV Yb 70 f 6.0 eV Fr 87 f 2.0 eV Ra 88 f 2.0 eV Ac 89 f 2.0 eV Th 90 f 2.0 eV Pa 91 f 2.0 eV U 92 f 2.0 eV Np 93 f 2.0 eV Pu 94 f 2.0 eV Am 95 f 2.0 eV Cm 96 f 2.0 eV Bk 97 f 2.0 eV Cf 98 f 2.0 eV Es 99 f 2.0 eV Fm 100 f 2.0 eV Md 101 f 2.0 eV No 102 f 2.0 eV
低速率拒绝服务(Low-rate DoS)攻击相关研究进入SCI最新文章列表 1. Title: A potential low - rate DoS attack against network firewalls Author(s): Salah K, Sattar K, Sqalli M, et al. Source: SECURITY AND COMMUNICATION NETWORKS Volume: 4 Issue: 2 Pages: 136-146 Published: FEB 2011 Times Cited: 0 2. Title: Defense techniques for low - rate DoS attacks against application servers Author(s): Macia-Fernandez G, Rodriguez-Gomez RA, Diaz-Verdejo JE Source: COMPUTER NETWORKS Volume: 54 Issue: 15 Pages: 2711-2727 Published: OCT 28 2010 Times Cited: 0 3. Title: RRED: Robust RED Algorithm to Counter Low - Rate Denial-of-Service Attacks Author(s): Zhang CW, Yin JP, Cai ZP, et al. Source: IEEE COMMUNICATIONS LETTERS Volume: 14 Issue: 5 Pages: 489-491 Published: MAY 2010 Times Cited: 1 4. Title: Filtering LDoS Attack by FIR Filter Author(s): Wu ZJ, Shi Z Source: CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS Volume: 19 Issue: 2 Pages: 275-278 Published: APR 2010 Times Cited: 0 5. Title: Mathematical Model for Low - Rate DoS Attacks Against Application Servers Author(s): Macia-Fernandez G, Diaz-Verdejo J, Garcia-Teodoro P Source: IEEE TRANSACTIONS ON INFORMATION FORENSICS AND SECURITY Volume: 4 Issue: 3 Pages: 519-529 Published: SEP 2009 Times Cited: 1 6. Title: On Remote Exploitation of TCP Sender for Low - Rate Flooding Denial-of-Service Attack Author(s): Kumar VA, Jayalekshmy PS, Patra GK, et al. Source: IEEE COMMUNICATIONS LETTERS Volume: 13 Issue: 1 Pages: 46-48 Published: JAN 2009 Times Cited: 3 7. Title: Fidelity of Network Simulation and Emulation: A Case Study of TCP-Targeted Denial of Service Attacks Author(s): Chertov R, Fahmy S, Shroff NB Source: ACM TRANSACTIONS ON MODELING AND COMPUTER SIMULATION Volume: 19 Issue: 1 Article Number: 4 Published: DEC 2008 Times Cited: 2 8. Title: Evaluation of a low - rate DoS attack against application servers Author(s): Macia-Fernandez G, Diaz-Verdejo JE, Garcia-Teodoro P Source: COMPUTERS SECURITY Volume: 27 Issue: 7-8 Pages: 335-354 Published: DEC 2008 Times Cited: 5 9. Title: On the impacts of low rate DoS attacks on VoIP traffic Author(s): Shevtekar A, Stille J, Ansari N Source: SECURITY AND COMMUNICATION NETWORKS Volume: 1 Issue: 1 Pages: 45-56 Published: JAN-FEB 2008 Times Cited: 2 10. Title: Evaluation of a low - rate DoS attack against iterative servers Author(s): Macia-Fernandez G, Diaz-Verdejo JE, Garcia-Teodoro P Source: COMPUTER NETWORKS Volume: 51 Issue: 4 Pages: 1013-1030 Published: MAR 14 2007 Times Cited: 7 11. Title: Honeypot back-propagation for mitigating spoofing distributed Denial-of-Service attacks Author(s): Khattab S, Melhem R, Mosse D, et al. Source: JOURNAL OF PARALLEL AND DISTRIBUTED COMPUTING Volume: 66 Issue: 9 Pages: 1152-1164 Published: SEP 2006 Times Cited: 4 12. Title: Low - rate TCP-targeted denial of service attacks and counter strategies Author(s): Kuzmanovic A, Knightly EW Source: IEEE-ACM TRANSACTIONS ON NETWORKING Volume: 14 Issue: 4 Pages: 683-696 Published: AUG 2006 Times Cited: 9 13. Title: Distributed mechanism in detecting and defending against the low - rate TCP attack Author(s): Sun HB, Lui JCS, Yau DKY Conference Information: 12th IEEE International Conference on Network Protocols (ICNP 2004), OCT 05-08, 2004 Berlin, GERMANY Source: COMPUTER NETWORKS Volume: 50 Issue: 13 Pages: 2312-2330 Published: SEP 15 2006 Times Cited: 8 14. Title: Low rate DoS attack to monoprocess servers Author(s): Macia-Fernandez G, Diaz-Verdejo JIE, Garcia-Teodoro P Conference Information: 3rd International Conference on Security in Pervasive Computing, APR 18-21, 2006 York, ENGLAND Source: SECURITY IN PERVASIVE COMPUTING, PROCEEDINGS Book Series: LECTURE NOTES IN COMPUTER SCIENCE Volume: 3934 Pages: 43-57 Published: 2006 Times Cited: 3 15. Title: Novel mechanism to defend against low - rate denial-of-service attacks Author(s): Wei W, Dong YB, Lu DM, et al. Conference Information: IEEE InternationalConference on Intelligence and Security Informatics (ISI 2006), MAY 23-24, 2006 San Diego, CA Source: INTELLIGENCE AND SECURITY INFORMATICS, PROCEEDINGS Book Series: LECTURE NOTES IN COMPUTER SCIENCE Volume: 3975 Pages: 261-271 Published: 2006 Times Cited: 1 16. Title: Low rate TCP Denial-of-Service attack detection at edge routers Author(s): Shevtekar A, Anantharam K, Ansari N Source: IEEE COMMUNICATIONS LETTERS Volume: 9 Issue: 4 Pages: 363-365 Published: APR 2005 Times Cited: 20 17. Title: Low - rate TCP-targeted denial of service attacks - (The shrew vs. the mice and elephants) Author(s): Kuzmanovic A, Knightly EW Conference Information: SIGCOMM 2003 Conference, AUG 25-29, 2003 KARLSRUHE, GERMANY Source: COMPUTER COMMUNICATION REVIEW Volume: 33 Issue: 4 Pages: 75-86 Published: OCT 2003 Times Cited: 0 18. Title: The role of stereotactic 11G vacuum biopsy for clarification of BI-RADS (TM) IV findings in mammography Author(s): Diebold T, Jacobi V, Krapfl E, et al. Source: ROFO-FORTSCHRITTE AUF DEM GEBIET DER RONTGENSTRAHLEN UND DER BILDGEBENDEN VERFAHREN Volume: 175 Issue: 4 Pages: 489-494 Published: APR 2003 Times Cited: 10 相关文章: 1. 低速率拒绝服务攻击检测最新进展 2. 低速率拒绝服务攻击简介与原理 3. Recent Publications in low-rate Denial-of-Service (DoS) attacks 4. RRED: Robust RED Algorithm to Counter Low-Rate Denial-of-Service Attacks 如果您的相关文章没有被列出,欢迎留言补充.
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