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八声甘州·分数量子霍尔效应
热度 9 kongmoon 2017-9-29 11:59
诧电穿磁场侧生枝,横向电压稠。 正洛伦兹力,拖缠电子,拐转绸缪。 惜叹当初霍尔,不解个中由。 效应百年后,再撼诸侯。 探测至寒蝉翼,绘磁通电阻,恍似层楼。 见方程有序,整数量纲头。 信超薄,奇篇必赋,近温标、分数式前收。 斯京望,豫州万里,慈母乡愁。 1879 年,美国霍普金斯大学研究生研究生埃德温·霍尔( Edwin Herbert Hall )发现,将一个通电的长方形金属薄片放置于磁场中,居然在垂直于磁场和电流的方向上测到一个横向的电压!这个奇特的现象被命名为霍尔效应。霍尔电压常称为横向电压,以区别于沿电流方向的那个驱动电压。横向电压的大小与磁感应强度 B 和电流强度 I 的大小都成正比 , 而与金属板的厚度 d 成反比。 霍尔效应刚发现的那会儿,电子还没有被发现。所以无法解释霍尔效应的本质究竟是什么。而现在我们已经知道,霍尔电压的产生是因为在磁场中运动的电子受到洛伦兹力作用,产生了一个横向运动,在与电流垂直的方向堆积起来,也形成一个横向电压。最终电压阻止了电荷的继续堆积,与洛伦兹力达到平衡。 霍尔效应很快就在测量载流子浓度、测量磁场强度、磁流体发电甚至汽车点火上得到了应用。谁也没有想到,霍尔效应发现 100 年后,由于半导体技术的发展,人们已经实现了将电子束缚在一个近乎二维的平面上,实现了“二维电子气”。 1980 年,德国科学家冯·克利青( Klaus von Klitzing , 1943- )发现:在 1.5K 度(摄氏 -271 度)和 19.8T 的极强磁场下,二维电子气也会产生一个类似霍尔效应的现象,但是奇怪的是测量到的霍尔电压并不是连续的,只能取一些间断的数值,就像一个个台阶一样,霍尔电压和电阻的关系可以表示成某个整数和普朗克常数的关系式。由于出现了普朗克常数,因此这是一个量子效应,被称为整数量子霍尔效应,他因此获得 1985 年诺贝尔物理奖。 1982 年,已经是普林斯顿大学电子工程系教授的崔琦在整数量子霍尔效应的实验基础上,推测在二维电子气更薄、温度更低和磁场更强的条件下,也许还会有意想不到的奇迹发生。功夫不负有心人,崔琦和他的同事 Horst Stormer 用砷化镓等半导体材料代替了传统的二氧化硅,在 85mK 的低温和 280kG 的磁场下,量子霍尔效应方程的 n 居然可以取分数值!也就是说在克利青发现的“台阶”之间还有一些“小台阶”,这是一种全新的物质形态,他们命名为“分数量子霍尔效应”,最终获得了 1998 年诺贝尔物理奖。 1939 年正月初十,河南宝丰县肖旗乡,崔琦出生了。他父母虽然不识字,但却有着独到的眼光。眼看着崔琦小学毕业后因附近没有中学而辍学务农,崔母王双贤克服了重重困难,将崔琦送到香港培正中学就读,从此改变了人生。而崔琦的父母却先后在 1959 和 1968 年去世。崔琦获奖后,名声大噪。有一次,杨澜在采访中问他:“你 12 岁那年如果不外出读书,结果会怎么样?”崔琦回答:“如果我不出来……我父母就不会死。”他后悔得流下了眼泪。 2003 年,宝丰县重建了崔琦故居,并专门辟了一个展览馆,当地的官员数次邀请,但一直等不到到主人的归来。 2014 年 4 月, 75 岁的崔琦带着家人回到阔别 63 年的故乡——宝丰县肖旗乡范寨村范庄自然村……
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电子,电子!谁来拯救摩尔定律?
热度 1 hutongfuture 2014-12-1 17:06
张天蓉 老师新著《电子,电子!谁来拯救摩尔定律?》正式出版了,戴元本院士作序推荐,清华大学出版社出品。 量子、能带、晶格、玻色子、自旋、费米子、霍尔效应、凝聚态、拓扑绝缘体••• 描述和探索这些概念、理论的发生与发展 法拉第、特斯拉、赫兹、郎道、肖克利、霍尔••• 解读这些大师们的科学工作及趣闻轶事 什么原因造成了摩尔定律的危机?谁来拯救它?电子技术背后有哪些物理理论?相关的物理学家们当前在研究些什么热门课题?他们的研究成果能延续摩尔定律吗?电子在半导体中是怎样舞蹈的?此书将带你走近与此有关的物理及工程领域,从回顾半导体以及电的历史开始,到三只脚的魔术师—晶体管的发明;从原子模型的历史演化,到热门的自旋电子学研究,一直到目前的纳米技术以及凝聚态中的前沿进展,诸如量子霍尔效应、拓扑绝缘体,等等。 《电子,电子!谁来拯救摩尔定律》由原点阅读出品。 原点阅读(The Origin)(微信号:ydreadtup),清华大学出版社旗下的图书品牌,秉承“科学,让个人更智慧,让社会更理性”的理念,致力于科学普及和科技文化类图书的出版,传播科学知识、科学精神、科学方法,展现科学的真实、独立、智慧、多变、宽容、动人及迷人。 详情请移步豆瓣: http://book.douban.com/subject/26268375/ 如果您有豆瓣帐号,请不吝点“想读”或“读过”并评价,非常感谢! 京东、当当和亚马逊都有销售。 京东: http://item.jd.com/11584659.html 当当: http://product.dangdang.com/23606879.html 亚马逊: http://www.amazon.cn/mn/detailApp/ref=asc_df_B00Q3VE5TW1261906/?asin=B00Q3VE5TWtag=douban-23creative=2384creativeASIN=B00Q3VE5TWlinkCode=df0
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量子Hall效应
jzhangiphy 2014-5-7 01:08
量子 Hall 效应 拓扑绝缘体分类 整数量子霍尔效应,外加强磁场,表征 第一陈数; 破坏时间反演对称性 分数量子霍尔效应,外加强磁场,表征 第一陈数 ; 破坏时间反演对称性 自旋量子霍尔效应,自旋轨道耦合, 表征 Z 2 拓扑数 , 具有时间反演对称性 硅烯,狄克带 OTI ; 反常量子霍尔效应,自旋轨道耦合, 表征 陈数与自旋陈数 , 破坏时间反演对称性 平带 OTI 。 整数量子 Hall 效应 如果材料有缺陷,会使 Landau 能级简并度降低, Landau 能级展宽成有限宽度的局域态。 量子 Hall 效应就是由局域态产生。 整数量子霍尔效应是在低温,强磁场下实现的, 其拓扑不变量是第一陈数。 1.5K , 18T ,低密度。 1982 年实现。 分数量子 Hall 效应 量子霍尔效应明显地显示电子关联相互作用。 FQHE 是电子强关联现象的反应。每个磁通量子平均分配到分数个电子——即当电子间存在关联时,几个电子关联着一起分配到一个或者几个磁通量子。 并不总是正好所有的电子分配到同样的磁通。 当正好都是 3 个磁通量配一个电子,而有一个电子只分配到两个磁通量子,这就形成了一个 j=1/3 态缺陷。 整数量子霍尔效应最初在高磁场下的 二维电子气体 中被观测到;分数量子霍尔效应通常在迁移率更高的二维电子气下才能被观测到。 分数量子霍尔效应是在更低温,更强磁场,高密度载流子下实现的,其 拓扑不变量是第一陈数 。 0.5K , 20T , 10 11 /cm 2 .1982 年实现。 自旋量子 Hall 效应 电子是电流的载体,它除了负有电荷以外还具有一种自旋性质,就如同地球绕着太阳转,而地球本身也在自转一样。 在没有外磁场的情况下不存在着外场对电子的轨道效应 ; 反常霍尔效应的出现直接与材料中的自旋 - 轨道耦合及电子结构的 Berry 相位有关。 在具有自旋 - 轨道耦合并破坏时间反演对称性的情况下,材料的特殊电子结构会导致动量空间中非零 Berry 相位的出现,而该 Berry 相位的存在将会改变电子的运动方程,从而导致反常霍尔效应的出现。 这是通常所说的反常霍尔效应 “ 本征机制 ” 。 拓扑不变量是 Z2 拓扑数。   在运动过程中,电子从一端走到另一端,就如同要走过一个杂乱无章的迪斯科舞场,电子无规则地跳舞,不可避免地会发生碰撞,碰撞就会耗散热量。而 “ 量子自旋霍尔效应 ” 找到了一个新的规律,即电子自转方向与电流方向之间的规律。利用这个规律可以使电子以新的姿势非常有序地舞蹈,从而使能量耗散很低。张首晟说: “ 利用 ‘ 量子自旋霍尔效应 ’ ,有可能研制出新一代的电脑,延长摩尔定律的生命。 ”   在 “ 量子自旋霍尔效应 ” 下,芯片中的电子能够像高速公路上的汽车一样正反方向地分开运动,各行其道,互不干扰。这一理论预言近年来被越来越多的实验证实,科学家发现在很多不同的材料中都能实现 “ 量子自旋霍尔效应 ” 。 反常量子 Hall 效应 在没有外磁场的情况下不存在着外场对电子的轨道效应 ; 反常霍尔效应的出现直接与材料中的自旋 - 轨道耦合及电子结构的 Berry 相位有关。 在具有自旋 - 轨道耦合并破坏时间反演对称性的情况下,材料的特殊电子结构会导致动量空间中非零 Berry 相位的出现,而该 Berry 相位的存在将会改变电子的运动方程,从而导致反常霍尔效应的出现。 这是通常所说的反常霍尔效应 “ 本征机制 ” 。 自旋量子霍尔效应: 不需要磁场,但材料需要有强的自旋轨道耦合,有强自旋轨道耦合将导致能带反转 。在二维体系中,在表面边缘将出现自旋电流,上下自旋电流反向传播,因此不存在电荷电流。 同时这种自旋电流是受时间反演对称性保护的,因此能避免非磁性杂质的散射作用。 但磁性杂质将破坏时间反演对称性,因此也就破坏自旋电流对称性,将出现电荷电流。 表征陈数与自旋陈数。
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《硅火燎原》-26-量子霍尔效应的解释(1)
热度 9 tianrong1945 2013-10-29 08:17
26. 量子霍尔效应的解释(1) 量子霍尔效应的发现是 20世纪凝聚态物理学的一项重大成就。因为对它的产生机制的解释,特别是对分数量子霍尔效应的解释,带给了物理学许多崭新的概念,大大促进了凝聚态物理研究的发展。 为了更好地理解量子霍尔效应,首先重温一下高中物理中学过的电子在磁场中的运动情形。 一个在均匀磁场中运动的经典二维电子,其所受到的磁力(洛仑兹力)遵从右手规则,应该处处与其运动方向垂直(图 26.1a)。由于磁力不对电子作功,因此,电子的速率将保持不变但运动方向则不断改变,这意味着电子将保持回旋的圆周运动。电子回旋的半径与它的初始动量有关。有趣的是,电子的回旋角频率 w c ,是一个只与其荷质比及磁场大小有关的量。因此,当磁感应强度 B增加时,电子的回旋频率 w c 也增加,如图 26.1b所示。 图 26.1: 经典运动电子的回旋频率 w c 随磁场的增大而增大 如果在电子运动的二维平面上同时还存在着电场的话,电子便会在做回旋运动的同时,又在电场库仑力的作用下,在二维平面上移动。这也就是解释经典霍尔效应的理论基础。 从前一节的叙述可知,量子霍尔效应的特点就是霍尔电阻图上一个一个的平台。平台表示不连续,即霍尔电阻是一份一份地跳跃增加的。这种‘不连续’、‘一份一份’,便是物理学中量子的基本特征。因此,量子霍尔效应的解释需要用到量子力学。 首先,整数量子霍尔效应( IQHE)可以用我们在此系列中用过多次的能带理论、费米能级等概念来粗略地说明。 IQHE是在二维电子气中观察到的。电子在二维电子气的垂直方向(磁场方向)被束缚住了,不能运动,因此我们只关心电子在平面方向的运动,即X和Y方向,X方向是施加正规电压的方向,Y方向则是产生霍尔电势的方向。 在朗道和栗弗席兹所编写的量子力学教程中 【 1】 ,朗道给出了均匀磁场中二维电子体系的量子力学解(薛定谔方程)。朗道证明,如果磁场垂直于二维平面,可以使用朗道规范将问题简化为类似于一维谐振子的情况而得到电子能量的本征值。这些分离的能量的本征值被称为朗道能级。 诸位可能还记得我们开始介绍能带论的时候,讨论过电子共有化后成为自由电子,能级就扩展成了能带的过程(见第 7节图2)。现在对二维电子气加上磁场的情形似乎是相反,原来无磁场时连续的能带又变成了一个一个分离的朗道能级。见图26.1a,其中分离的红色及淡蓝色短线表示的便是朗道能级。 这些朗道能级是什么意思呢?尽管这是量子力学的结果,我们仍然不妨与刚才提及的电子在磁场中运动的经典图像类比一下,以加深记忆和理解。 概括一下迄今为止我们所了解的电子的量子行为与经典行为的区别:一是电子是那种喜欢独居一室的费米子,这是电子能带论的基础;二是电子有个称为‘自旋’的内禀特性,这是自旋电子学和磁电子学的基础。 我们还知道,量子化的最重要特征就是一份一份的,正如爱因斯坦 1905年发现光电效应时提出的观点:光是由一个一个能量为h w 的量子组成的。其中的 h叫做普朗克常数,凡是微观世界的量子现象都与它有关,朗道能级也是如此,朗道能级表示的是磁场中的电子可能具有的能量值。能量最小的基态是0.5h w c ,能级之间的距离是 h w c 。这儿的 w c 便正是上面所述经典电子运动时的回旋角频率。 这样一说,大家就明白了:哦,原来朗道能级就是磁场中经典电子圆周运动各种模式的量子对应物。 图 26.2:朗道能级和安德森局域化 因为 w c 正比于磁场,所以朗道能级的基态值和间隔也都正比于磁场。这从图 26.2a可以看出来:当B增加时,能级的间隔随之增大。 能带论中的费米能级是研究电子在物质中输运性质的有力工具。从费米能级的不同位置,可以区分导体、绝缘体、半金属、半导体等等。对于磁场中的二维电子系统,只要维持 MOSFET的栅极电压不变,磁场的变化并不影响载流子(电子)的密度,为了简单而方便地解释量子霍尔效应,我们可以粗略地假设费米能级也是不随磁场而变化的。因此,在图26.2中,我们用左右贯穿的一条水平红色虚线表示系统的费米能级。 水平红色虚线以下的能级,表示已经被电子填充(红),水平红色虚线以上的能级,则为尚未填充电子的空能级(蓝)。从图 26.2a可见,磁场为0时,电子能量是连续的(红色连续区域),磁场存在时,连续区变成分离的能级,而因为总的电子数目并未减少,朗道能级一定是简并的,简并的意思就是说,同一个能量对应于多个量子态。当磁场增加时,朗道能级数目减少,每个朗道能级的简并度也将随之增加,以保持相同的总电子数。 要解释量子霍尔电阻的曲线中,为什么会出现平台,还需要简单介绍一点点另一位凝聚态物理大师的工作 -安德森的局域化理论 【 2】 。 菲利普·安德森( Philip Anderson,1923年-)是美国物理学家。局域态、扩展态的概念和理论,是当他五十年代在新泽西的贝尔实验室工作时首先提出来的,为此他和vanVleck、Mott分享了1977年的诺贝尔物理奖。 什么叫局域态和扩展态呢?其实这两个概念我们早已使用,不过没有为其正名而已。比如,在周期格点排列的晶体中,电子的运动是公有化的,其波函数可自由扩展到整个晶体,这种态就被称为扩展态。反之,电子如果不是公有化的自由电子,而是只在局部区域里转悠,则称之为电子的局域态。 安德森的理论说,如果晶格中存在随机的无序杂质,周期性就会被破坏。使得电子无法自由地在整个晶体中运动,而是在杂质周围打转,就像被束缚在原子周围的情形一样,成为了局域态。在金属或半导体中,只有扩展态的电子才能形成电流,处于局域态的电子对电流没有贡献。 将此理论应用于二维电子气,会是什么情形呢?二维电子气系统中总是有一些无序杂质存在的。所以,电子便会被局域化。电子局域化对能级的影响则是减小能级的简并度,将能级扩展成能带。于是,在原来是线状的、狭窄的每条朗道能级两边,便产生了一个边沿分布,如图 26.2b中的灰色阴影部分所示,称之为朗道子能带。 安德森等人在 1978年的工作中还发现,无磁场的二维体系中,只要有任意小的无序杂质存在,最后将会使所有的电子局域化。由此而得出一个结论:无磁场的二维体系,一定是不能导电的绝缘体。 但是,冯•克利青等人发现的量子霍尔效应,却显示二维体系仍然具有导电性,那又该如何解释呢?从理所当然地推理便能猜想:一定是磁场起了作用!更多的研究也发现,二维电子体系有磁场时,和无磁场情况不一样,不再是只有局域态,而是局域态和扩展态共存。 再回到图 26.2b,人们认为,能导电的电子扩展态,聚集在理想的朗道能级周围(红色),而用灰色表示的其余尾部部分,则都是不能导电的局域态。 即使有了扩展态的能级,也不是总能导电的。大家可能还记得我们曾经说过,物体的导电性能取决于费米能级在能带中的位置,或者说,是取决于费米能级附近,有没有被电子占据了的扩展态。在图 26.2b中我们看到,虽然代表费米能级的红色虚线是一条数值固定的水平线,但因为朗道能级的图像是随着磁场变化的,所以费米能级与朗道子能带的相对位置便也随着磁场而变化。 现在,我们便能试图解释一下量子霍尔效应了。(待续) 参考资料: 【 1】Landau, L. D.; E. M. Lifshitz (1977).Quantum Mechanics: Nonrelativistic Theory. Pergamon Press. 【 2】Anderson, P. W. (1958). Absence ofDiffusion in Certain Random Lattices. Phys. Rev. 109 (5): 1492 – 1505. 上一篇:量子霍尔效应的诞生 系列科普目录 下一篇:量子霍尔效应的解释(2)
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《硅火燎原》-24-霍尔效应大家族
热度 6 tianrong1945 2013-10-15 07:31
24. 霍尔效应大家族 凡是学过物理的人一定都知道大名鼎鼎的麦克斯韦,麦克斯韦建立的电磁理论让人类美美地用上了一百多年,连爱因斯坦也评价它“是牛顿以来,物理学最深刻和最富有成果的工作”。 不过很遗憾,在麦克斯韦生前,他的电磁理论却并未被同行们广泛承认。并且,麦克斯韦 48岁就去世了,他最后几年的生活充满烦恼:妻子久病不愈,学说不被人理解,他带病坚持作电磁学讲座,却只有两名听众:一个是美国来的研究生,另一个是后来发明电子管的弗莱明 【 1】 。但无论如何,时间是最好的试金石,麦克斯韦电磁理论的光辉最终照遍了全球。 即使是如此伟大的电磁理论奠基人麦克斯韦,也不是无可挑剔的。麦克斯韦在他的《电磁学》卷二中这样写道:“作用在磁场中一个通电导体上的机械力,是作用在导体上,而不是电流上。在导线中流动的电流完全不受附近磁铁的影响……” 当时,一个叫霍尔的无名小子,美国霍普金斯罗兰教授的一个博士学生,对这句话产生了怀疑。因为霍尔的老师罗兰,还有瑞典物理学家埃德隆教授,都明确地认为,在磁铁的作用下导电体会产生移动,是因为有一个力作用在电流上。 霍尔的全名叫埃德温·霍尔( Edwin Herbert Hall, 1855 – 1938)。为了验证到底是麦克斯韦的判断正确,还是罗兰和埃德隆的观察正确,他进行了严谨仔细的实验 【 2】 。 上述的麦克斯韦和埃德隆等的分歧,是在于到底有没有力作用在‘电流’上。这儿用的是‘电流’而不是‘电子’,是因为当时大家还不知道电子为何物,完全不清楚金属的导电机制是由于其中自由电子的移动而造成的。 汤姆森发现电子还是在 20年之后的1899年的事情。 霍尔在罗兰教授的支持鼓励下,经过了许多次实验的失败和教训而楔而不舍,最后终于获得了成功。 1879年10月28日,刚好在麦克斯韦去世前一星期,霍尔第一次正式确切地观察到之后以他的名字命名的霍尔效应 【 3】 。他发现通过金箔片的电流在磁场里确实受到了磁场的作用,并因而产生了一个方向与电流和磁场都垂直的电压,这个电压之后被称为霍尔电压。 图 24.1:霍尔效应和霍尔 金属的霍尔效应中,磁场、电流、及霍尔电压三者方向之间的关系如图 24.1左图所示。 霍尔电压也经常被人称为横向电压,以区别于沿电流方向的驱动电压。横向电压的大小与磁感应强度 B和电流强度I 的大小都成正比, 而与金属板的厚度d成反比。 根据横向电压和纵向电流 I之比,我们可以定义一个横向的霍尔电阻R h 。这个电阻应该与磁感应强度B成正比,即R h 与B的关系是一条倾斜上升的直线。 在电子发现之前,很难真正理解经典霍尔效应产生的本质,但在电子发现以后,随着对金属及半导体材料导电机制研究的不断深入,对霍尔效应的理解也不断加深。在麦克斯韦电磁理论的框架下,就完全可以解释经典霍尔效应。实际上,霍尔电压的产生是因为在磁场中运动的电荷会受到洛伦兹力的缘故。洛伦兹力使得金属中运动的自由电子产生一个额外的横向运动,在与原来电流垂直的方向堆积起来,形成一个横向电压。这个电压阻止电荷的继续堆积,最后将与洛伦兹力平衡。 电子的发现使我们能够解释霍尔现象,反过来,霍尔效应对材料中导电载流子的研究也提供了一个很有效的途径。 比如说,如何判定金属导电时是其中的电子(负电荷)在移动,而不是带正电荷的质子移动呢?正是霍尔效应帮助我们证实了这点。更一般地说,我们可以借助霍尔效应研究半导体中的载流子,确定掺杂后的半导体材料中的载流子类型,到底是空穴还是电子?也可以进一步测量载流子的浓度。 图 24.2:半导体中的霍尔效应 比如,假设在某种半导体材料中,电流为 X方向,磁场施加在Z方向,那么,霍尔电势会是什么方向呢?答案取决于材料中的多数载流子是哪一种类型?是正电荷还是负电荷?让我们分别讨论这两种情况。如图24.2所示,如果X方向(图中向右)的电流是因为电子的运动而引起的话,带负电荷的电子则是往左运动,这时作用在电子上的洛仑兹力是在-Y的方向。另一种情形,如果电流是因为带正电的空穴的运动而引起的话,空穴运动方向与电流一致,即往右运动,这时作用在空穴上的洛仑兹力也是在-Y的方向。也就是说,无论导电机制是空穴还是电子,洛仑兹力的方向都是一样的。因为电子和空穴,它们所带电荷符号相反,运动方向也相反,两个‘相反’互相抵消,造成了最后横向运动的方向‘相同’(图中红色箭头所示的方向)。 不过,横向运动方向相同,并不等于霍尔电压方向相同。而恰恰因为载流子所带电荷的符号不同,使得实际上,这两种导电机制将形成极性相反的霍尔电压。正因为如此,我们才能够根据实验中霍尔电压的极性,来确定材料中载流子的类型。 利用洛仑兹力来解释霍尔效应,可以推导出霍尔电阻是正比于磁场、反比于导体中的载流子密度。因此,经典霍尔效应除了可以用于研究材料中的载流子种类之外,还可以测量载流子浓度、制成磁传感器等。此类霍尔器件被用以检测磁场及其变化,已经在各种与磁场有关的工业场合中得到大量应用。 霍尔在非铁磁性材料中发现常规霍尔效应后,又于 1880年在铁磁性金属材料中发现了反常霍尔效应。所谓‘反常’是指,当没有外磁场存在时,通电流的铁磁体内也会产生一个横向电压。这个现象令人迷惑,因为金属中霍尔电压的产生被解释为电子受到的洛仑兹力,既然没有外磁场,就没有洛仑兹力,也就无法用洛仑兹力的概念来解释反常霍尔效应。所以,反常霍尔效应至今尚未有一个统一的理论解释。一般认为,它与正常霍尔效应在本质上是完全不同的,不能仅仅用经典电磁理论来解释,而需要结合量子理论中自旋和轨道相互作用等等概念。 至今为止,距离霍尔效应的发现,已经有 140多年。期间对各种霍尔效应的研究一直连续不断。特别是在上世纪80年代发现量子霍尔效应之后,更多霍尔效应的家族成员相继被发现,成为凝聚态物理中的一大热门课题。 2013年4月9日,由中国清华大学薛其坤院士领导的团队(包括清华、中科院、斯坦福大学的物理研究人员)宣布,他们从实验中观测到了量子反常霍尔效应。他们的论文,3月15日已发表在国际权威学术杂志《科学》上。这个发现,为霍尔效应大家族成员的不断到来划上了一个句号。 . 图 24.3:霍尔效应大家族的三重奏 【 4】 中国科学家们的最新发现,得到国际学术界的高度评价和关注,正如美国新泽西州立大学物理与天文系教授 Seongshik Oh在4月12日出版的《科学》(Science)杂志的文章中所指出的:“这个结果证实了期待已久的量子反常霍尔效应的存在,这是量子霍尔家族的最后一位成员”,它“使人们终于能够完整地演奏量子霍尔效应的三重奏” 【 4】 。 参考资料: 【 1】Campbell, Lewis (2010). The Life of JamesClerk Maxwell: With a Selection from His Correspondence and Occasional Writingsand a Sketch of His Contributions to Science 【 2】Leadstone, G.S., The discovery of the HallEffect, Physics Education (Great Britain), Volume 14, Number 6, 1979,pp.374-379 【 3】Edwin Hall (1879). On a New Action ofthe Magnet on Electric Currents. American Journal of Mathematics(American Journal of Mathematics, Vol. 2, No. 3) 2 (3): 287 – 92. 【 4】The Complete Quantum Hall Trio,Seongshik Oh,Science 12 April 2013: Vol. 340 no. 6129 pp. 153-154 上一篇: 物质的千姿百相 系列科普目录 下一篇:量子霍尔效应的诞生
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[转载]“量子反常霍尔效应”研究获突破
热度 2 wanglaow 2013-3-17 08:48
http://paper.sciencenet.cn/htmlpaper/201331513142223128244.shtm “量子反常霍尔效应”研究获突破 由中国科学院物理研究所和清华大学物理系的科研人员组成的联合攻关团队,经过数年不懈探索和艰苦攻关,最近成功实现了“量子反常霍尔效应”。这是国际上该领域的一项重要科学突破,该物理效应从理论研究到实验观测的全过程,都是由我国科学家独立完成。 量子霍尔效应是整个凝聚态物理领域最重要、最基本的量子效应之一。它是一种典型的宏观量 子效应,是微观电子世界的量子行为在宏观尺度上的一个完美体现。1980年,德国科学家冯•克利青(Klaus von Klitzing)发现了“整数量子霍尔效应”,于1985年获得诺贝尔物理学奖。1982年,美籍华裔物理学家崔琦(Daniel CheeTsui)、美国物理学家施特默(Horst L. Stormer)等发现“分数量子霍尔效应”,不久由美国物理学家劳弗林(Rober B. Laughlin)给出理论解释,三人共同获得1998年诺贝尔物理学奖。在量子霍尔效应家族里,至此仍未被发现的效应是“量子反常霍尔效应”——不需要 外加磁场的量子霍尔效应。 图一,量子反常霍尔效应的示意图,拓扑非平庸的能带结构产生具有手征性的边缘态,从而导致量子反常霍尔效应 “量子反常霍尔效应”是多年来该领域的一个非常困难的重大挑战,它与已知的量子霍尔效应 具有完全不同的物理本质,是一种全新的量子效应;同时它的实现也更加困难,需要精准的材料设计、制备与调控。1988年,美国物理学家霍尔丹(F. Duncan M. Haldane)提出可能存在不需要外磁场的量子霍尔效应,但是多年来一直未能找到能实现这一特殊量子效应的材料体系和具体物理途径。2010年,中科院 物理所方忠、戴希带领的团队与张首晟教授等合作,从理论与材料设计上取得了突破,他们提出Cr或Fe磁性离子掺杂的Bi2Te3、Bi2Se3、 Sb2Te3族拓扑绝缘体中存在着特殊的V.Vleck铁磁交换机制,能形成稳定的铁磁绝缘体,是实现量子反常霍尔效应的最佳体系 [Science,329, 61(2010)]。他们的计算表明,这种磁性拓扑绝缘体多层膜在一定的厚度和磁交换强度下,即处在“量子反常霍尔效应”态。该理论与材料设计的突破引起 了国际上的广泛兴趣,许多世界顶级实验室都争相投入到这场竞争中来,沿着这个思路寻找量子反常霍尔效应。 图二,理论计算得到的磁性拓扑绝缘体多层膜的能带结构和相应的霍尔电导 在磁性掺杂的拓扑绝缘体材料中实现“量子反常霍尔效应”,对材料生长和输运测量都提出了 极高的要求:材料必须具有铁磁长程有序;铁磁交换作用必须足够强以引起能带反转,从而导致拓扑非平庸的带结构;同时体内的载流子浓度必须尽可能地低。最 近,中科院物理所何珂、吕力、马旭村、王立莉、方忠、戴希等组成的团队和清华大学物理系薛其坤、张首晟、王亚愚、陈曦、贾金锋等组成的团队合作攻关,在这 场国际竞争中显示了雄厚的实力。他们克服了薄膜生长、磁性掺杂、门电压控制、低温输运测量等多道难关,一步一步实现了对拓扑绝缘体的电子结构、长程铁磁序 以及能带拓扑结构的精密调控,利用分子束外延方法生长出了高质量的Cr掺杂(Bi,Sb)2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜,并在极低温输运测量装置上成功地观 测到了“量子反常霍尔效应”。该结果于2013年3月14日在Science上在线发表,清华大学和中科院物理所为共同第一作者单位。 图三,在Cr掺杂的(Bi,Sb)2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜中测量到的霍尔电阻 该成果的获得是我国科学家长期积累、协同创新、集体攻关的一个成功典范。前期,团队成员 已在拓扑绝缘体研究中取得过一系列的进展,研究成果曾入选2010年中国科学十大进展和中国高校十大科技进展,团队成员还获得了2011年“求是杰出科学 家奖”、“求是杰出科技成就集体奖”和“中国科学院杰出科技成就奖”,以及2012年“全球华人物理学会亚洲成就奖”、“陈嘉庚科学奖”等荣誉。该工作得 到了中国科学院、科技部、国家自然科学基金委员会和教育部等部门的资助。(来源:中科院物理研究所) (原标题:“量子反常霍尔效应”研究取得重大突破) 更多阅读 《科学》发表论文摘要(英文) 2010年在《科学》杂志发表的理论预言论文 2013年在《科学》杂志发表的实验验证论文 。。。。。。。。。。 个人感觉,这个总算应该是诺贝尔奖级别的成果了吧? 得益于中国雄厚的财力支撑下的最精密的实验设备 -- 能够生长出出符合需要和预期的人工材料。 中国长期高速发展的经济实力,终于在基础科研领域,体现出来了。 现在中国有关机构就应该大肆宣传、公关,力图让明年的诺贝尔奖花落中华,哪怕分三分之一给美国的斯坦福大学的张守晟教授也行。
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霍尔效应的五个概念
热度 1 shengxianlei06 2011-12-11 16:25
1.霍尔效应:1879年Edwin Hall观测到在金属平板中施加纵向电流,并在垂直于金属平面的方向上外加一个磁场,由于电子受到洛伦兹力,在金属平板的横向会分别聚集正负电子,出现横向电压,称之为霍尔效应。 2.反常霍尔效应:1880年Edwin Hall在一个铁磁性的金属平板中发现,即使是在没有外加磁场的情况下(或弱外场),也可以观测到霍尔效应。这种铁磁性材料中的霍尔效应后来被称之为反常霍尔效应。在具有自旋-轨道耦合并破坏时间反演对称性的情况下,材料的特殊电子结构会导致动量空间中非零Berry相位的出现,而该Berry相位的存在将会改变电子的运动方程,从而导致反常霍尔效应的出现。这是通常所说的反常霍尔效应“本征机制”。 3.量子霍尔效应:当外加磁场足够强,温度足够低时,电子全部局域在量子化的朗道能级上,从而体材料成为绝缘体,而边缘仍然可以导电,边缘上得相应能带各贡献一个通道,从而使霍尔电导量子化,称之为量子霍尔效应。 4.自旋霍尔效应:The Spin Hall Effect (SHE) is a transport phenomenon predicted by Russian physicists M.I. Dyakonov and V.I. Perel in 1971. It consists of the appearance of spin accumulation on the lateral surfaces of a current-carrying sample, the signs of the spin directions being opposite on the opposing boundaries.The SHE belongs to the same family as the anomalous Hall effect , known for a long time in ferromagnets, which also originates from spin-orbit interaction. 5.量子自旋霍尔效应: The quantum spin Hall state is a state of matter proposed to exist in special, two-dimensional, semiconductors with spin-orbit coupling . The quantum spin Hall state of matter is the cousin of the integer quantum Hall state, but, unlike the latter, it does not require the application of a large magnetic field. The quantum spin Hall state does not break any discrete symmetries (such as time-reversal or parity).
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光的自旋霍尔效应
热度 17 SoSoliton 2011-11-9 08:51
光的自旋霍尔效应
约 132 年前,美国物理学家霍尔( Edwin Hall , 1855-1938 )发现, 当电流通过磁场中的导体时,在垂直于电流和磁场方向的导体两侧 会出现电势差.这一现象后来被称为霍尔效应 ( Hall effect ),本质上,它是运动的载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生横向运动的结果.经典霍尔效应被发现之后的一百多年,反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应、自旋霍尔效应和轨道霍尔效应等 又 相继被发现,它们构成了一个霍尔效应家族.霍尔效应家族因其极其重要的科学意义和应用价值而一直受到广泛关注,仅从 有关霍尔效应的研究成果曾两度获得诺贝尔奖就可见一斑. 1985 和 1998 年诺贝尔物理学奖分别授与整数量子霍尔效应的发现者克利青 (Klaus von Klitzing) 和分数量子霍尔效应的发现者崔琦等人. 最近几年,一种新型的霍尔效应 —— 自旋霍尔效应( Spin Hall Effect , SHE ),引起人们的强烈兴趣,自 2004 年被美国加州大学圣巴巴拉分校 Awschalom 团队 首次在实验上观测到以来,已成为 目前凝聚态物理中一个相当热门的研究方向.由于相对论效应自旋 - 轨道耦合作用的存在,人们发现在这样的体系中,在没有外加磁场条件下即使是在非磁性材料中,也存在类似的霍尔效应: 自旋向上的电子和自旋向下的电子分别向两边运动从而分离开来.与以往跟电荷相关的 霍尔效应完全不同,这种霍尔效应与 电子的自旋密切相关.由于电子的自旋与电荷一样,可以用来储存和传递信息,而且 自旋霍尔效应中的电流几乎没有能量损失,也就是说不会发热,因而引发了科学界对研制新的电子元器件的设想 . 如上所述的各种霍尔效应 都是针对电子等带电粒子的.除了电子以外,其它粒子特别是中性粒子是否也有类似的霍尔效应? 2004 年,日本 AIST 的 Onoda 等人 从理论上明确提出,光子在介质分界面上反射或折射时同样存在类似于电子 SHE 的 光自旋霍尔效应( Spin Hall Effect of Light , SHEL ):在介质折射率梯度扮演的外场作用下,光束或波包沿垂直于折射率梯度方向发生自旋分裂. 2008 年,美国 Illinois 大学 Hosten 和 Kwiat 利用弱测量( Weak Measurement )方法,首次从实验上证实了这一现象.与电子 SHE 引发科学界对研制新的电子元器件的设想一样,光子作为当今时代信息和能量的重要载体,人们完全有理由期待 SHEL 的研究将导致新型光子学器件的产生,并可能衍生出一门类似于 自旋电子学 (Spintronics) 的 新学科——自旋光子学 (Spin-optics) .这儿对 SHEL 作一简单介绍. 电子 SHE 依赖于两个关键因素:电子的自旋 - 轨道 角动量 耦合及其导致这种耦合作用的 纵向加载的电场 .光子既有内在的自旋角动量(与圆偏振的手性相关),也有外在的轨道角动量(与螺旋相位有关).因此人们自然有理由推测,光子 的自旋 - 轨道 角动量 耦合应该也能产生光的 SHE .关键问题是:谁来扮演外场的角色以及如何产生 光子 的自旋 - 轨道 角动量 耦合作用? 光子有自旋但却因其为中性粒子而无磁矩 , 因此无法用外加场的方法去改变其自旋轴的方向 . 但由于光子自旋轴的方向与传播方向一致,因而使我们想到若改变光的传播方向将会改变光的自旋态,即自旋矢量在空间的指向;而改变光的传播方向最简单直接的方式是利用光的反射和折射,其本质是改变光在其中传播的介质的折射率 . 在 Hosten 和 Kwiat 首次观测 SHEL 的实验中,正是介质分界面上折射率的阶跃变化(折射率梯度)充当了 电子 SHE 中外加电场的角色,而圆偏振光的右旋和左旋分量分别充当了上旋和下旋电子的角色.因此,相较于电子 SHE , SHEL 表现出来的特征是圆偏振光的右旋和左旋分量最后在 垂直于入射面的横向产生一个很小的相对位移,如 图 1 所示 . 在同一年 Bliokh 等人 报道的 SHEL 实验中,将光掠入射到一根圆柱形玻璃介质中,圆柱形的介面使光在其中沿螺旋形轨迹传播,从而不断改变光子的自旋角动量并导致自旋 - 轨道角动量耦合,进而产生了类似的光束分裂,如图 2 所示.由此我们还可以想象,若把一根光纤绕成螺旋状,光在其中传播将很容易产生自旋 - 轨道角动量耦合. 图 1 光束在介质折射率梯度(空气 - 玻璃界面)扮演的外场作用下,沿垂直于折射率梯度方向发生自旋分裂.右上:入射光束为线偏振高斯形的强度分布.右下:折射光束强度出现自旋分裂(白线).利用弱测量方法使两自旋分量相消干涉形成强度较弱的单个高斯形强度分布(蓝线或灰线),从而可以显著地放大光场重心的横移(约 10 4 倍).(详见参考文献 ) 图 2 测量光束在圆柱形玻璃棒中传输时的 SHEL 实验装置. Laser :波长为 633 nm 的 He-Ne 激光器; P1 和 P2 :格兰激光偏振镜; LCVR :可调谐液晶波片; Prism :直角棱镜; Cylinder :圆柱形玻璃棒; QWP : 1/4 波片; Imaging lens :成像透镜; Camera :图像传感器.(详见参考文献 ) 从 SHEL 表现出来的特征看,它似乎违背了经典几何光学,或者说它很难单独用经典几何光学(如 Snell 定律和 Fresnel 公式)来解释. 牛顿光学认为:当一束光在介质分界面上反射和折射时,反射光和折射光都处于入射面内.然而,这违背了光的角动量守恒定律. 1955 年, Fedorov 在理论上预言:当一束圆偏振光发生全内反射时,光束重心将产生一个垂直于入射面的横向漂移.当考虑了这一横向漂移后,光在反射时满足角动量守恒定律. 1972 年, Imbert 实验证实了这一现象.后来这一现象被称为 Fedorov-Imbert 效应.其实, SHEL 本质上就是 Fedorov-Imbert 效应. Fedorov-Imbert 效应关注的是单一圆偏振光的光束重心的横向漂移现象,漂移方向与圆偏振的旋转方向相关. 光波的偏振是大量光子集合的宏观概念. 经典电动力学告诉我们: 不同的偏振态描述了光波的电矢量的各种不同的振动方向和方式;线偏振、椭圆偏振、部份偏振等光束都可以由作为基础的左、右旋圆偏振光束组合而成. 也就是说 ,一束 线偏振光可以分解为两束 同频率的 左旋和右旋圆偏振光.因此,基于 Fedorov-Imbert 效应可以推断, 一束 线偏振光在全反射时其左旋和右旋圆偏振分量将依其旋转方向而沿横向向不同方向分裂,变成两束光,这种现象正是所谓的 SHEL . SHEL 导致的光束横向分裂值很小,通常在亚波长尺度,所以实验上一般很难观察到. Hosten 和 Kwiat 里程碑式的实验工作,其意义不仅在于首次从实验上观测到了 SHEL ,还在于实现了 20 年前 Aharonov 等人 的预言:利用弱测量技术可以放大并测量很小的效应.理论上, SHEL 导致的光束横向分裂的定量公式至今仍有很多分歧.但业已清楚的是, SHEL 导致的光束横向分裂值与入射光的波长成正比,并且随入射角显著变化:正入射时 SHEL 消失,掠入射即入射角接近 90 °时分裂最明显;此外,显而易见的是, SHEL 与介质的折射率有关,因而包含了构成介质分界面的材料信息,这既为利用材料特性操控 SHEL ,也为利用 SHEL 研究材料特性及其中的物理现象提供了可能. 可以从多个角度解释 SHEL 产生的原因.基于光子自旋与光波偏振之间的关系以及光子的总角动量守恒,可以对这一现象提供一个 简单直观的解释 . 由于光波具有动量,因而当分析光波的电矢量处于旋转状态时,人们必定想到左、右旋圆偏振光具有一定的角动量.事实上,根据量子力学,每个光子都携带角动量,其大小为 h-bar (约化普朗克常量) , 也就是说,任何频率的光子都具有相同大小的角动量,这种固有的物理现象称为光子的自旋;自旋角动量的方向取决于 圆偏振是右旋还是左旋:右旋 和左旋 ( 光子自旋方向分别平行和反平行于光束传播方向 )圆偏振光子分别具有 + h-bar 和 - h-bar 的角动量. 因任何一个微观粒子具有的角动量是它的自旋角动量与轨道角动量之和,而光子自旋轴的方向与传播方向一致,所以若只考虑沿光的传播方向上的总角动量,则此时的轨道角动量为零,也即光子在传播方向上总的角动量就是其自身的自旋角动量. 当光从光疏介质射入光密介质时,如图 1 所示的光从 空气进入玻璃,光将偏向介质分界面的法线方向,也就是说 折射角小于入射角.由于对称性,左旋或右旋圆偏振光子关于法线的总角动量 J z 必须守恒,而当 光从 空气进入玻璃介质后,光子 自旋角动量沿 z 方向的分量增加,如图 3 所示,为此右旋圆偏振光子必须向 -y 方向移动以产生一个向上的轨道角动量(图 3(a) ),而左旋圆偏振光子必须向 +y 方向移动以产生一个向下的轨道角动量(图 3(b) ),才能抵消z 方向自旋角动量的增量.也就是说,当 一束 线偏振光 从光疏介质射入光密介质后, 其左旋和右旋圆偏振分量都将分别获取一个与其法向自旋角动量方向相反的轨道角动量,以保持 法线方向的总角动量守恒.正是这两个方向相反的 轨道角动量,导致了左旋和右旋圆偏振光分量的横向分裂.同理可解释 光从光密介质射入光疏介质或光在介质界面反射时的 SHEL .这种解释 虽然不是非常严格,但简单直观 . 图 3 光从光疏介质射入光密介质时,入射光子(蓝线)和折射光子(绿线)的总角动量 J 及其在法线方向的分量 J z . (a) 和 (b) 分别是 右旋和左旋圆偏振光子情形, J + 和 J - 分别是它们为保持 J z 守恒而获取的额外轨道角动量. 从傅里叶光学的角谱理论看,光束可看作是由与其传输轴成一定夹角的若干平面波所组成,每个平面波即为一角谱分量.当光束在介质界面改变方向(反射或折射)或在非均匀折射率介质中传输时,不同角谱分量的偏振将经历不同的旋转量,而这种旋转量又与相位相关,因此不同角谱分量相互干涉的结果产生两束分裂的光束.从数学上讲,光的偏振和相位之间的相互作用好比电子系统中电子 SHE 的自旋 - 轨道相互作用. 人们习惯于把光看成是波,并且认为 光学 效应比起相应的 量子力学 效应来更为寻常一些,尽管两种物理事实上是等价的.无论是用量子力学的方法还是用经典的方法去描述 SHEL ,两者的本质都是一致的:光的自旋 - 轨道相互作用是导致 SHEL 中光束重心自旋相关分裂的内在物理原因.从 Berry 相位理论看,与电子 SHE 一样, SHEL 显示了自旋粒子在外场中演化的深层次几何动力学关系 . 尽管 SHEL 是一种常规方法很难观测到的弱效应,但原理上可以使 SHEL 导致的光束分裂变得很大,从而分离不同的自旋态或不同的轨道角动量态,因此 SHEL 有望作为操控光子角动量的工具,应用于量子信息领域 .此外, SHEL 本身可以发展成一种精密的计量工具,用来例如表征亚波长尺度上的折射率变化 ,或为研究纳米结构中的物理特性提供一种灵敏的方式 .特别是,由于 SHEL 与凝聚态和高能物理中的 SHE 有高度的相似性和共同的拓扑根源,所以 SHEL 的研究将不仅对光学,同时还对其他学科产生重要影响 .例如, 对相对论粒子来说,目前的实验能力尚远不够测量其 SHE ;而对凝聚态系统来说,由于杂质散射导致的各种内在效应的竞争以及追踪电子轨迹的不可能性,所以观测电子 SHE 的实验条件非常复杂.因此, SHEL 作为一种尽管很弱但又很纯 (clean) 的物理效应,为测量 SHE 这类弱拓扑现象提供了独特而又方便的机会. 应《物理》杂志邀请,撰写“光自旋霍尔效应及其研究进展”一文。这儿贴出的是“简介”部分,基本上是学习、理解和总结,没有原创。文章尚在完善中,欢迎批评指正! 参考文献 Kato Y K, Myers R C, Gossard A C, Awschalom D D. Science, 2004, 306: 1910 Qi X L, Zhang S C. Physics Today, 2010, 63: 33 Onoda M, Murakami S, Nagaosa N. Phys. Rev. Lett. , 2004, 94: 083901 Hosten O, Kwiat P G. Science, 2008, 319: 787 Bliokh K Y, Niv A, Kleiner V, Hasman E. Nature Photonics, 2008, 2: 748 Nori F. Nature Photonics, 2008, 2: 716 Resch K J. Science, 2008, 319,:733 Fedorov F I. Dokl. Akad. Nauk SSSR, 1955, 105: 465 Imbert C. Phys. Rev. D, 1972, 5: 4 Aharonov Y, Albert D Z, Vaidman L. Phys. Rev. Lett., 1988, 60: 1351 Day C. Physics Today, 2008, 61: 18 Ménard J -M, Mattacchione A E, Driel H M, et al. Phys. Rev. B, 2010, 82: 045303
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