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tag 标签: 半导体激光器

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最新成果展示:半导体激光器有效腔长模型
simucal 2020-10-20 10:03
基于Crosslight公司先进的半导体仿真设计平台,我司技术团队已成功开发出半导体 激光器有效腔长模型 。 光学谐振腔是一种只允许相位匹配的光波在其中来回振荡从而实现谐振的空腔,只有特定波长的光束才能在谐振腔中稳定振荡,并形成驻波。如果光学谐振腔中存在增益介质,则谐振腔可以提供光学增益,并产生激光,因此光学谐振腔是激光器的重要组成部分。 谐振腔的设计直接影响了激光输出的模式特性、功率特性和稳定性。然而,工作温度的变化会直接引起激光器有效腔长的变化,造成激射波长的漂移。我司技术团队的计算结果表明:随着半导体激光器工作温度的降低,器件的输出波长逐渐蓝移,计算结果与实验测试结果实现了完美吻合。 该模型的成功开发有助于研究人员理清影响半导体激光器输出波长的诸多因素,为分析器件物理提供了重要的参考价值,对研发高稳定性半导体激光器具有重要意义。
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《涨知识啦22》---MSM型光电探测器
simucal 2020-10-20 10:00
此前,小赛给大家简单普及了金属与半导体之间的两种接触类型:欧姆接触与肖特基接触,二者也凭借各自的优势被研究人员充分应用。本周小赛给大家主要介绍的是基于肖特基接触类型的MSM型光电探测器的基本原理。 众所周知,光探测器可以将光信号转换成电信号;然而,根据光子能量的大小,MSM型光电探测器分为两种工作模式: 模式1:当光子能量大于材料的禁带宽度时(hvEg),半导体内部会产生大量的电子-空穴对,在电场的作用下形成稳定的光电流,具体如图(a)所示。该工作特点与PIN型光电探测器类似,而且当反向偏压足够大,可以有效提高光生载流子的输运能力,从而显著提升光生电流。 模式2:当光子能量介于肖特基势垒高度与材料禁带宽度之间时(qφBhvEg),金属电极中的电子将被激发,并可以越过金半接触势垒注入半导体层,具体如图(b)所示,即内部光发射机制,该过程可用于标定肖特基势垒高度和研究金属薄膜中的热电子传输机制。 因此,光子能量影响着探测器内部的载流子跃迁行为,而量子效率作为衡量光电探测器重要的表征参数,其公式具体如下: 其中,CF是Fowler发射系数。当对肖特基势垒二极管进行光谱扫描时,只有能量大于qφB且动量方向朝向半导体的载流子会形成光电流,因此,量子效率谱存在明显的阈值qφB,且随光子能量增加而增加 ,当光子能量能够匹配材料禁带宽度时,量子效率迎来突变,这时半导体层产生大量的电子-空穴对,并形成光电流。 本周的《涨知识啦》就到这啦!最后,值中秋佳节和国庆节之际,小赛在这真挚地祝愿您阖家欢乐、工作顺利! 以上内容参考S. M. Sze and Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Device, 3rd Edition.
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[转载]1710 nm半导体激光器,透明和白色塑料焊接应用的新利器
oeshow 2019-6-3 09:02
进入21世纪以来,激光技术的发展使得塑料焊接的工艺方案有了更多选择。虽然目前的塑料激光焊接占整个塑料焊接加工的市场份额只有不到20%,但是由于塑料激光焊接的平均效率超过传统焊接工艺的2~3倍,使得塑料激光焊接在整个塑料焊接加工市场的份额占比不断攀升,特别是在一些需要高焊接效率和严格的外观要求的场合,具有非常明显的工艺技术优势。 塑料的激光焊接已经在医用塑料器具、白色家电塑料零件和汽车塑料零件的焊接中被广泛采用。常用的焊接光源是980 nm和808 nm的半导体激光器,而透明和白色塑料在很多焊接应用中需要的高吸收率又催生了1710 nm半导体激光器和2000 nm光纤 激光器 的发展和应用。 01 常见塑料对红外波长激光吸收光谱的分析 图1 几种常见塑料的红外吸收光谱 图片来源:国际网络 图2 透明聚碳酸酯材料在可见光和近红外的吸收率 测试样品厚度为1 mm,图片来源:国际网络 从图1和图2的常见塑料对红外波长激光吸收光谱可以看出,厚度3.175 mm的塑料材料,大部分对波长1710 nm和2000 nm附近的光吸收率超过70%甚至80-90%, 这对于各种厚度的塑料制品的激光拼焊和1.5 mm以下透明塑料薄板的激光穿透焊是非常有利的,已经在医用塑料器具、白色家电塑料零件和汽车塑料零件的激光焊接中通过了很多实际验证,并开始应用于一系列激光塑料焊接设备中,进行一些塑料部件产品的正式生产,效果良好,受到塑料激光焊接业界的日渐认可。图3-6是几种适合用于激光焊的常见塑料材料。 图3 PMMA医用领域应用较多,焊接效果极好 图片来源:特必灵电子 图4 ABS在汽车领域常见,焊接效果较好 图片来源:特必灵电子 图5 PC材料有较高吸收率,且应用面极广,但熔点较低,如果控温不好容易变色 图片来源:特必灵电子 图6 AS材料,焊接效果极佳,应用面不如前几种材料 图片来源:特必灵电子 02 常见应用实例 医用透明/白色塑料器具的激光塑料焊接 医疗行业使用的塑料制品,很多需要进行激光焊接的加工,生产过程中有极高的品质要求,其中不可额外添加激光吸收剂的品种占90%以上,传统的激光焊接无法适用,业界翘首以盼新一代专用 激光器 能够解决这个难题。 1710 nm的激光以各种透明和白色塑料对其吸收率高出其他波长的激光几倍至10倍的优越性能,备受医用塑料激光焊接应用的青睐。同样的光功率和光功率密度的1710 nm激光器在不额外添加激光吸收剂的情况下,可以达到或超过其他波长的激光在额外添加激光吸收剂的焊接效果,见图7。 图7 医用透明/白色塑料器具的激光塑料焊接 图片来源:波科激光 3C产品的透明/白色塑料件焊接 3C产品中有很多塑料零部件,其中透明/白色塑料件大约占到30-40%,传统的焊接工艺采用超声波和包含红外波段的卤素灯加热来实现,主要适用于一些外观和焊接质量要求不高和需要追求极低成本的场合,在外观和焊接质量要求较高的场合,半导体激光器是较好的选择,其中的1710 nm激光器因吸收率高,性能更加突出,焊接样品见图8。 从左至右依次为:密封件、手机防水接插件、仪器设备的精密加工面板 图8 3C产品的透明/白色塑料件焊接 图片来源:波科激光、特必灵电子、上海三束激光 汽车塑料零部件的激光焊接 汽车塑料零部件中透明/白色塑料件大约占到30%,常见的透明/白色塑料件是车灯灯罩、内外饰零件和仪表面板等,如果采用传统的超声波焊接和包含红外波段的卤素灯加热焊接工艺,很难达到汽车零部件外观标准的要求,而采用1710 nm半导体激光器作为光源的激光焊工艺,可以很好地解决这个难题,见图9。 从左至右依次为:车灯灯罩、内外饰塑料件、仪表面板 图9 汽车塑料零部件的激光焊接,图片来源:苏州威克锐 03 1710 nm半导体激光器 因透明/白色塑料对1710 nm激光有很强的吸收,用于透明/白色焊接的1710 nm的激光器输出光功率并不像808 nm和980 nm那样至少需要100 W以上,一般只需要几十瓦的光功率就已经足够满足大部分的应用情况,因此目前实际应用的1710 nm半导体激光器(见图10)的光功率主要有22 W、30 W、40 W和60 W。这种激光器的配置包括了激光器模块、水冷板和激光器驱动电源,具有激光器过热保护和连接电脑的各种控制接口。 图10 1710 nm半导体激光器整机 图片来源:QPC Lasers(波科激光)产品手册 综上所述,1710 nm半导体激光器在透明和白色塑料材料的激光焊工艺中扮演了一个新兴力量的角色,不可否认在一些场合下(比如上部材料较厚的穿透焊)有一定的局限性,但是瑕不掩瑜,仍然不失为透明和白色塑料材料激光焊的一大利器,正在逐渐被业界普遍认可和广泛采用。 作者简介 梁民,波科激光研发总监;顾正,上海瀚宇光纤通信技术有限公司项目经理;胡文涛,QPC Lasers和波科激光公司总经理。
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[转载]半导体激光光谱合束技术的发展
oeshow 2018-8-6 10:52
作者: 谭昊 武德勇 中物院十所半导体激光技术室 光谱合束技术原理 半导体激光器(Diode Laser/Semiconductor Laser,DL)具有高转换效率、体积小、重量轻、可靠性高等优点。但是半导体激光器特殊的原理及结构决定了它的光束质量与功率之间普遍存在此消彼长的问题,当追求高功率输出时,其光束质量的提升往往会受到很大限制,这使得半导体激光器很难作为直接光源应用于工业加工和国防领域。因此,如何获得高功率、高光束质量的直接半导体激光光源,成为了国际上亟待解决的技术问题。其中美国、德国早已将其列入国家重大计划进行专项攻克,并陆续部署了ADHEL、BRIDLE 及 IMOTHEB 等专项对相关技术进行支持。在这其中激光合束技术被证明是解决该难题的关键技术之一。而在众多合束技术中,半导体激光器波分复用合束技术则被证明是一种实现高亮度半导体激光直接输出的有效技术。 波分复用 (WDM)合束技术又被称为光谱合束技术,其技术原理本质上是利用色散元件将不同波长的半导体激光光束进行共孔径合束,与通讯中的波分复用技术类似,最终可得到与单束光光束质量相当、亮度倍增数倍的激光输出。半导体激光光谱合束技术是由美国麻省理工学院林肯实验室的T.Y.Fan等人于2000年首次提出并实现。这种技术可有效获得高功率、高光束质量的直接半导体激光输出光源,是一种极具潜力的合束技术。其技术原理图如下图所示。 图1 半导体激光器光谱合束的原理示意图(a)闭环结构与(b)开环结构 光谱合束技术进展 国外进展 根据使用的合束器件的不同,半导体激光光谱合束技术可分为如下几类: 基于平面光栅的外腔光谱合束技术 这种技术路线可通过一个外腔同时实现波长锁定与合束,且波长间隔可通过光学系统参数进行控制。但其外腔合束结构受转换透镜焦距限制,体积相对较大,且外腔中需要采取互锁抑制手段控制合束后的光束质量。 目前这种技术方向的优势单位是美国TeraDiode公司。它采用的则是麻省理工学院林肯实验室的技术。目前已经可以实现50 μm、NA0.12光纤输出功率大于2000 W与100 μm、NA0.2光纤输出功率大于8000 W的产品研发,可应用于诸如金属切割、焊接等工业加工应用中。如下图所示。 图2 美国TeraDiode公司的1 kW(左)、8 kW(右)半导体激光合束模块 TeraDiode公司认为,半导体激光光谱合束技术将是未来实现超高功率、高光束质量激光光源的最佳手段之一,并声称其已经完成了100 kW级高亮度高效率直接半导体激光光源的方案设计。 为进一步提高合束效率,TeraDiode公司还设计了一种无输出耦合镜的外腔波长合束结构,如下图所示。利用两个全反镜将衍射光栅透射光的一部分反馈回发光单元进行波长锁定,另一部分反射到输出光路作为输出,从而提高合束效率。 图3 美国TeraDiode公司的无输出耦合镜的外腔波长合束结构 在光纤激光抽运方面,2012年Alfalight公司报道了针对光纤激光器抽运所研制的200 μm、0.2 NA尾纤输出200 W的DL光谱合束装置,并基于7个这种装置进行抽运,成功实现了功率大于1 kW的掺镱光纤激光输出。其原理、结构如下图所示。 图4 Alfalight公司用于光纤激光器抽运的光谱合束技术原理图 此外众多的大学也针对平面光栅的外腔光谱合束技术开展了各式各样的研究,诸如丹麦科技大学、德国波茨坦大学等。其研究多基于改善半导体激光光束质量、近衍射极限半导体激光合束、可见光波段半导体激光合束等方面,也为半导体激光合束技术的发展与应用提供了很好的推进与参考。 基于体布拉格光栅的光谱合束技术 体布拉格光栅(VBG)易与激光bar条或叠阵相匹配,先将 激光器 输出波长锁定,再进行合束。但温度变化会造成VBG的Bragg条件改变,散射和吸收等会引起功率损耗。在半导体激光合束中则表现为随着加载电流的提升效率会有一定下降。 德国夫朗和费研究所于2013年提出了一种基于 VBG的高功率密集波分复用(HP-DWDM)结构。采用5个VBG波长锁定的宽面发射半导体激光bar条进行合束,如下图所示。当加载电流120 A时可得到合束功率大于200 W。光束质量M2因子约为45,复合束效率约85%。 图5 基于VBG的波分复用实验装置示意图 基于薄膜滤波片的光谱合束技术 这种技术路线则是用TFF代替其它结构中的平面光栅,可采用外腔结构或者结合VBG锁定波长后使用。这种技术路线互锁定串扰问题相对较小,且光谱间隔可做到更窄,但TFF制备较为困难。 2014年至2015年间,德国Trumpf公司提出了一种基于薄膜滤波片(Thin Film Filter,TFF)实现波长选择与合束的半导体激光外腔光谱合束技术。其技术路线原理图如下图所示。可以看出其结构较为复杂,但其10个标准厘米bar的合束谱宽仅37 nm。目前已经实现100 μm芯径光纤半导体激光光谱合束输出功率近500 W,并声称可实现5 kW的半导体激光合束输出。 图6 德国Trumpf公司基于薄膜滤波片(Thin Film Filter,TFF)的光谱合束技术原理图 2013年,德国DirectPhotonics公司基于VBG锁定的沿快轴方向堆叠的半导体 激光器 单管(单管功率12 W)阵列,采用TFF以4 nm的波长间隔进行光谱合束。目前已经推出了功率500~2000 W、芯径100 μm的光纤耦合半导体激光产品。 2015年,DILAS基于3个VBG锁定的低填充因子(5%)短bar条,采用陡直度约为1 nm的TFF,以4 nm的波长间隔对其进行了光谱合束。35 A的加载电流下获得了500 W的光纤耦合输出,光纤芯径为100 μm、 NA 0.2,并生成基于该系统再进行偏振合束和波长合束,能够在光束质量保持10 mm·mr ad不变的情况下将功率提升至数千瓦。 国内进展 国内方面,针对半导体激光光谱合束技术开展研究的单位主要有长春光机所、长春理工大学、北京工业大学、四川大学、中电十三所、长光华芯公司、凯普林公司与中物院十所等单位。 其中长春光机所主要开展了基于透射式平面衍射光栅的高功率、窄谱宽合束技术研究,实现了基于3个标准厘米bar的140.6 W的光谱合束输出;北京工业大学针对SBC的开环、闭环结构开展了相关研究工作,并基于单个标准厘米bar与BTS实现了58.8 W的光谱合束输出;四川大学就光谱合束的光束特性、效率与互锁定串扰等方面开展了理论分析工作。 中物院十所半导体激光光谱合束课题组,也针对半导体激光光谱合束技术开展了研究工作,取得了一些进展。课题组初步建立了一个3+1维半导体激光光栅-外腔光谱合束模型,包括DL快慢轴两个方向的导模特征描述、DL内激光的纵向放大过程与emitter的光谱特性,并在此基础上初步分析了外腔参数与DL封装引入误差对外腔反馈注入、光束质量、效率等关键参数的影响;针对合束谱宽技术开展研究,实现了单个半导体激光阵列合束谱宽2.7 nm;针对半导体激光叠阵开展高功率合束技术研究,实现最高1 kW的半导体激光合束输出。 总结 目前,半导体激光波分复用技术的大致发展与应用状况对比如下表所示。 可以看出,半导体激光波分复用合束技术仍处在发展阶段,产品化相对较少。但其潜力巨大,可以应用于工业加工、高亮度抽运等方向。受益于半导体激光器的高效率、轻量化与小型化等特点,波分复用合束的半导体激光器有望成为一种极具竞争力的高功率高亮度直接应用光源。 目前,合束器件大多是采用宽发射面结构的半导体激光器,受其波导结构和封装的限制不能够达到衍射极限输出,与此同时光谱合束技术所得到的合束输出光束的光束质量与单个激光单元光束质量还有一定差距,需对变换透镜、衍射光栅等元件的参数和特性进行进一步研究,以获得与激光单元相同的光束质量输出。同时还应发展高光束质量的单元器件,如锥型半导体激光器、板条耦合光波导激光器等,实现合束光束质量与亮度的进一步提升。 另外,由于国内半导体芯片技术与合束技术起步较晚,半导体激光光谱合束技术在国内仍未实现产品化与实用化。这还需要在功率放大、光束质量控制、效率提升等方面开展大量研究工作,并结合新型高亮度半导体激光芯片的研发与工程化技术研究,最终使得国内的直接输出超高亮度半导体激光技术走向实用化。 封面图来源:teradiode公司网站
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《激光与光电子学进展》2018年第2期优秀论文
Xing2 2018-3-19 11:23
————2018年第2期优秀论文———— 微光遥感成像技术研发动态评述(封面文章) 向世明 樊学武 何娜 白喆 微光遥感成像技术是用微光像增强CCD(ICCD)弥补现有CCD成像器件不足的遥感成像技术, 其主要特点是宽光谱响应 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.020009 线结构光标定方法综述 张曦 张健 标定方法一直是线结构光三维测量系统研究的关键要素。重点讨论了线结构光传感器标定方法中的三个问题: ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.020001 半导体激光器波分复用合束技术研究进展 孙舒娟 郭林辉 谭昊 孟慧成 阮旭 闫雪静 张旭光 武德勇 高松信 受波导结构和芯片封装等因素的限制, 半导体激光器快慢轴方向上的光束质量差距较大。半导体激光器主要用作抽运源 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.020002 自由空间量子密钥分发关键技术的研究进展 杨汝 李云霞 石磊 蒙文 罗均文 自由空间的量子密钥分发(QKD)技术已成为量子通信领域的研究热点之一, 连续变量QKD与离散变量QKD是其两大技术分支 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.020003 再生光纤布拉格光栅的研究进展 薛渊泽 王学锋 罗明明 唐才杰 蓝天 再生光纤布拉格光栅是通过对普通光纤布拉格光栅进行高温退火处理得到的一种耐高温光纤光栅, 因其在高温下具有 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.020007 多用途激光通信天线设计 李响 柳鸣 李小明 张家齐 白杨杨 孟立新 张立中 为了满足空间多节点激光通信系统的研制与调试要求, 提出了一种多用途激光通信光学天线。通过替换透镜或分光组件 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.020602 基于专家乘积系统的组织病理图像分类算法 郭琳琳 李岳楠 组织病理图像的自动分类是医学图像处理领域的重要问题, 有效特征提取方法是实现准确诊断的关键。为了实现 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.021008 基于红色暗通道先验和逆滤波的水下图像复原 徐岩 曾祥波 为提升水下图像的视觉效果, 提出了基于红色暗通道先验(RDCP)和逆滤波的水下图像复原算法。该算法首先 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.021009 连续波氟化氢激光输出光谱特性研究 郭建增 王杰 赵海涛 颜飞雪 任晓明 杨珍 设计了V型折叠非稳定光学谐振腔, 对不同氧化剂过量系数条件下连续波氟化氢(HF)激光输出谱线变化规律进行分析 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.021404 静脉腔内激光治疗的蒙特卡罗模拟 肖郑颖 静脉腔内激光治疗已成为治疗静脉曲张最有前途的技术之一, 了解激光在血管及其周围组织中的传输, 有助于选择 ... 全文 | 引用本文 | 本期目录 2018年第55卷第2期, p.021701
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[转载]优秀综述:光子集成混沌激光器的研究进展
Chineselaser 2017-10-12 13:25
王永胜 王云才 郭龑强 太原理工大学物理与光电工程学院, 新型传感器与智能控制教育部和山西省重点实验室   近年来, 混沌激光已广泛应用于保密通信、高速随机数生成、混沌激光雷达、混沌光时域反射仪、光纤传感和测距等方面。与离散器件构成的装置不同, 集成芯片具有尺寸较小、功耗较低、稳定性较好和适用于大批量生产等优点。结合混沌应用和集成芯片的优势, 光子集成的混沌半导体激光器应运而生。将光子集成混沌半导体激光器分为五类, 并分别介绍了国内外相关机构在集成结构、集成区域的尺寸、集成构成的特点及集成混沌激光器的应用等方面的研究进展。另外, 设计并介绍了一种新型的面向蝶形封装的混沌外腔半导体激光器。   (本文发表在《激光与光电子学进展》2017年第10期, 点击阅读全文 ) 引用该论文    Wang Yongsheng,Wang Yuncai,Guo Yanqiang. Research Progress of the Photonic Integrated Chaotic Lasers . Laser Optoelectronics Progress, 2017, 54(10): 100005   王永胜,王云才,郭龑强. 光子集成混沌激光器的研究进展 . 激光与光电子学进展, 2017, 54(10): 100005   全文图表展示——
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Yablonovitch、Adams和应变量子阱
AnjinLiu 2016-9-19 20:57
近几年因工作需要读了些量子阱的文献,发现有些意思。 说起光电子,不得不说半导体激光器。激光器三条件:腔体(激光腔),能发光物质(有源区),需要外界能量注入增益介质(形成粒子数反转)。 不谈半导体激光器,而八一八人物,此俩人与半导体激光器大有关系,没有他俩,估计没有机会八了,因为网络估计都起不来。 先八下 Eli Yablonovitch ,先上图,老爷子面目和蔼,别忘了还是绝顶聪明。大多数做光电的人可能只知道他是光子晶体概念提出人之一,以为他出名是因为光子晶体。其实在光子晶体之前就赫赫有名了。老爷子不光是理论大神,也是实验大牛,举个例子,AlGaAs的大面积剥离技术就是他在1987年第一个做出来的,这个文章被引用了800次。 Yablonovitch 老爷子 1946 年出生,今年 70 了, 1967 年,加拿大 McGill 大学物理本科毕业; 1969 年在 Harvard 大学拿的应用物理的艺术硕士学位( A.M. ); 1972 年在 Harvard 大学拿的应用物理的博士;看来必须学物理啊!老爷子在后来在 Bell 、 Harvard 、 Exxon 、 UCLA ,以及现在 UCB 工作,得了一大堆头衔,就差炸药奖了:美国科学院院士、美国工程院院士、美国艺术和科学院院士、伦敦皇家学会会士(也是院士),美国 OSA 、 IEEE 、 APS 的会士,还有一大堆国际大奖,好些著名大学的荣誉教授或博士。他的文章目前被引用将近 4.8 万次, H 因子 80 。真是让我等羡慕嫉妒恨。 老爷子在 Bell 工作期间于 1985 年 10 月提交了一篇文章( 1986 年 5 月发表 ,提出应变量子阱(用于半导体激光器的有源区)可以引入应变,可以降低价带的有效质量,从而降低半导体激光器的阈值电流密度,最直接的影响就是使得半导体激光器功耗低,可靠性提高。后来大家发现应变量子阱还可以提高微分增益,大大地提高半导体激光器的带宽,奠定应变量子阱激光器在现代光通信中不可动摇的地位。因老爷子在应变量子阱领域的开创性贡献,获得了 1993 年的 W. Streifer Scientific Achievement Award of the IEEE/LEOS ,“ for contributions to opto-electronics, including thephysics of strained layer lasers and photonic applications of low dimensionalstructures ” 。这个奖基本上每年只有一个人,可以说是国际光电子领域的最重要奖项之一(顺带说下我在德国的老板也得过这个奖)。这个奖肯定了老爷子也光电子领域的地位。 ( 按道理说,应变量子阱就够老爷子逍遥去了。谁知 1987 年,老爷子又放了一炮,搞了个光子晶体,引领潮流几十年;然后近年来又搞能源去了,又在继续引领潮流。期间开过好多家公司,科研好的一塌糊涂,钱也赚得盆满钵满。真是让我们这些人没法活!所以真正的牛人不光学术好,产业也,干啥都成!在德的时候,因老板组织的 2 次小会,见识他的风格,作报告不看听众,盯着电脑屏幕讲,不管下面人的死活;提问从头问到尾,每个报告人他都要提问题,所以要成为牛人,还得会问啊。 ) 估计 Eli Yablonovitch 老爷子乐呵呵的于 1985 年 10 月向美国刊物 IEEE JLT 投稿时,也许他想我是这个宇宙第一个提出应变量子阱的,稳坐第一的宝座,可他创造历史的文章于 1986 年 5 月才发表。 7 、 8 月内可以发生无数的事情,期间远在英国 surrey 大学的另一个老爷子就在里面插了一脚,他就是 AlfredR. Adams 。以至于后人提到应变量子阱不得不同时提到 Eli Yablonovitch 和 Alfred R. Adams 。 AlfredR. Adams , 1939 年生于 U.K. 英格兰农村家庭, 1961 、 1964 从 University of Leicester, Leicester, U.K. 获得物理学本科和博士学位(看来要成为牛人必须学物理!!!)。博士毕业后在德国 University of Karlsruhe 做了两年博士后。 1967 年回到 U.K. 的 University of Surrey ,一直干到退休。从 1980 老爷子在日本的 Tokyo Institute of Technology 进行学术休假( sabbatical )开始研究半导体激光器。从日本返回英国,继续从事半导体激光器的研究,此后半导体激光器成为他主要研究兴趣之一。在 1986 年 1 月 16 号,老爷子估计也是乐呵呵、信心满满的怀着要单独开创历史的想法,向英国期刊 Electronics Letters 投了一个小文 : Band-structure engineering for low-threshold high-efficiencysemiconductor lasers ,指出量子阱激光器的有源区引入应变可以降低阈值电流,消除俄歇复合和价带间吸收,文章于 1986 年 2 月 27 号出版,(比 Eli Yablonovitch 老爷子的文章更早出版),一举奠定了其不可磨灭的历史地位。顺带说下, Adams 老爷子在在文章后致谢中特别感谢了一个人: Dr. E. P. O'Reilly ,注意是特别感谢,感谢他 “invaluable discussionsand for making available results prior to publication” , O'Reilly 今天依然活跃在半导体激光器领域,大牛!很好奇 Adams 老爷子为何没有把 O'Reilly 列为第二作者。 1995 年,老爷子获得了英国物理学会( Institute of Physics, UK )颁发的 Duddell Medal and Prize ,颁奖词是: proposing inter-valence bandabsorption and for his work on strained-layers in lasers ; 1992 年是 Hitachi Visiting Chair atTokyo Institute of Technology ; 1993 年是 CNRS Visiting Researcher at the University of Montpellier 。 老爷子是英国物理学会( Institute of Physics, UK )的会士;是 USA IEEE 的 LifeFellow ,比 Fellow 还高的荣誉(相当于院士之上的院士,院士里面再选院士);是英国工程和技术协会( Institute of Engineering andTechnology in the UK )的荣誉会士( Honorary Fellow ); 1996 年,老爷子当选为 UK 皇家学会( Royal Society )的会士(也就是 UK 的院士),颁奖词是: Distinguished for his pioneering work on theapplication of high pressure techniques to the study of semiconductingmaterials, Professor Adams has done much to advance the use of strain as animportant variable in understanding the basic physics of devices. Hiscontributions include the first demonstrtion of the T-L-X ordering of theconduction band minima in GaAs, the first direct observations of scattering bythe central cell potential of impurities, the proposal and experimentalconfirmation of intervalence band absorption as an important loss mechanism insemiconductor lasers and the prediction that the threshold current in aquantum-well laser can be greatly reduced if the wells are grown in a state ofcompressive stress. These latter ideas are currently being pursued vigorouslyaround the world where they are resulting in lasers having greatly enhancedperformance. 2014 年,老爷子获得 Rank Prize foroptoelectronics 。 难能可贵的是,老爷子 2015 年在 IEEE JSTQE (光电子领域的一流期刊)发表了第一作者的研究论文文章(不是综述文章哈) ,人家快 80 了。 当今,你我他的生活离不开 Eli Yablonovitch 和 Alfred R. Adams 两位老爷子的开创性贡献。遗憾的是 Alfred R. Adams 居然没有申请专利,没有因这个想法获得一点经济利益,实在是可惜哇。 从这个历史中,以下几点有意思: 1. 不知道是历史孕育了人物,还是人物推动了历史。 2. 开拓性的想法一定得申请专利,然后发表,想法就是钱,就是名望啊。 3. 开拓性的想法要尽早发表,不管杂志好坏,比如找个国内的刊物投出去,先发表先占坑,到时白纸黑字清清楚楚,没人能否定。 4. 还是得多休假、多交流、多扯淡,全世界跑, Adams 老爷子是在东京工业大学学术休假时进入当时正兴起的半导体激光器领域的,然后才有他后来应变量子阱的提出。 5. 要多学物理! 6. …( 欢迎补充 ) https://www2.eecs.berkeley.edu/Faculty/Homepages/yablonovitch.html https://en.wikipedia.org/wiki/Eli_Yablonovitch http://www.photonicssociety.org/award-winners/William%20Streifer%20Scientific%20Achievement%20Award Eli Yablonovitch et al., JLT, LT-4,504, 1986. http://www2.le.ac.uk/offices/press/for-journalists/graduation-ceremonies-1/summer-2015/biographies/professor-alf-adams-doctor-of-science http://www.surrey.ac.uk/physics/people/alf_adams/#biography https://en.wikipedia.org/wiki/Alf_Adams http://www.webcitation.org/6ON55feUH A. R. Adams, EL, 22, 249, 1986. A. R. Adams et al., JSTQE, 21, 1500806, 2015.
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