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[转载]CVD高纯钛成核热动力学及钛沉积速率分析
chvacuum 2013-5-18 01:55
一般高纯钛是指纯度在4 N 以上的钛 。作为钛系列产品中的一员,高纯钛以其优异的性能,主要应用于超大规模集成电路和真空设备的靶材中。在半导体领域中,高纯钛以钛硅化合物、氮化钛化合物、钨钛化合物等形式用于电极、扩散阻挡、配线等材料中,然而高纯钛中的杂质元素(例如:铁、镍、钠、钾等)超过一定含量会引起产品漏电流增大、性能下降等 。随着半导体电路集成度的不断提高,对高纯钛中所含杂质的含量要求越来越低。国外对有关高纯钛的研究较多 ,然而我国国内则相对很少。因而进行高纯钛方面的研究,具有非常重要的现实意义。   CVD 高纯钛就是以化学气相沉积的方法来制备高纯钛。利用卤素单质与粗钛在低温条件下经化合反应,生成气态卤化钛,通过传质过程,气态卤化钛扩散到沉积基体附近;在高温条件下,气态卤化钛在沉积基体表面分解为钛和卤素单质,钛在基体上结晶析出,最后得到钛晶体。晶体主要是由结晶作用形成。结晶是晶体在液体、气体等中从无到有(晶核形成)、由小变大(晶核长大) 的过程,结晶作用的方式主要有三类:(1气—固结晶(2)液—固结晶(3)固—固结晶。气—固结晶则是气态物直接转变为固态的晶体 。   本文依据经典的成核理论,对高纯钛的结晶成核过程进行热力学和动力学分析;根据所得到的热力学和动力学理论,对影响高纯钛结晶成核的主要因素进行分析;并讨论了影响钛沉积速率的原因。 4、结论   (1)对钛的结晶成核过程,进行热力学和动力学分析,得到钛结晶成核的热力学和动力学方程。从相应的数学方程分析可知,影响钛结晶成核的因素主要是沉积区温度和产物过饱和度。   (2)产物过饱和度和沉积区温度对成核自由能影响比较显著。随着产物过饱和度和沉积区温度增加,成核自由能减小,即越有利于结晶成核。   (3)钛的沉积速率随低价碘化物蒸汽压的升高而升高,因而蒸汽压是影响钛的提纯效果的重要因素, 实验过程中TiI2 的蒸气压应控制在60.8~101.3 Pa。   (4)分解区温度和卤化区温度对钛的沉积速率均有较大影响,其中在卤化区不只生成了卤化物,卤化区温度还同沉积区温度一起影响碘化物的转移速率,从而影响钛的沉积速率。   (5)反应过程中,高价卤化物的生成是消耗卤素、影响卤素使用效率的因素之一。高价卤化物的生成会影响低价碘化物的生成与转移,最终影响钛的沉积速率。 参考文献    石应江.高纯钛的生产与应用 . 上海金属(有色分册),1993,14(6):26- 33.    吴全兴. 高纯钛的制取 . 加工技术,1996(05):14- 16.    李哲,郭让民.高纯钛的制备及其发展方向 .钛业进展,1997(03).   【作者】 梁佰战; 李武斌; 曾英; 王舟;   【Author】 LIANG Bai-zhan,LI Wu-bin,ZENG Ying,WANG Zhou(College of Materials and Metallurgy,Guizhou University,Guiyang 550003,China)   【机构】 贵州大学材料与冶金学院;   【摘要】 采用化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛。以经典的成核理论为依据,对钛在沉积基体上的成核过程进行热力学和动力学分析,计算出成核过程吉布斯自由能ΔGmax、成核速率v和临界晶核直径D0的数学方程;并且考察了影响钛沉积速率的因素,结果表明:卤化区的温度、分解区的温度、低价碘化物和高价碘化物的蒸汽压都对钛的沉积速率有一定的影响,其中两区的温度对钛的沉积速率影响较大。   【Abstract】 High-purity titanium was prepared via CVD(chemical vapor deposition) process.Based on the classical nucleation theory,the nucleation process of the titanium deposited on substrate was investigated thermodynamically and kinetically.Some relevant equations were thus derived,ie.,the Gibbs free energy(ΔGmax),nucleation rate(v) and critical crystal nucleus diameter(D0),and the influencing factors on the deposition rate of the titanium were discussed.The results showed that the halogenated area temperature,decomposed area temperature and the vapor pressures of low-valent iodide and high-valent iodide all have influence on the deposition rate of high-purity titanium,especially the temperature in halogenated and decomposited areas.   【关键词】 CVD; 高纯钛; 成核; 热力学; 动力学;   【Key words】 CVD; high-purity titanium; nucleation; thermodynamics; kinetics;   原文链接:    CVD高纯钛成核热动力学及钛沉积速率分析    http://www.chvacuum.com/application/film/042378.html
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人工合成金刚石开启地球深部新视窗
热度 13 chunyinzhou 2012-2-13 09:08
人工合成金刚石开启地球深部新视窗
人工合成金刚石开启地球深部新视窗 (编译:周春银;原文作者: Tetsuo Irifune and Russell J. Hemley ;资料来源: EOS from AGU ) 【背景阅读】 2011 年 2 月我曾在博客中介绍日本科学家合成最硬人造金刚石的相关科普资料,见博文 《世界上最硬人造金刚石是如何炼成的》 。在该博文后,非常感谢有朋友(如“ anonymity ”)提到美国卡内基实验室 CVD 合成单晶金刚石的相关报道,不过限于本人知识水平有限,难于面面俱到作深入讨论。 关于金刚石的合成,国家地理曾经有一个 《 Super Diamonds 》 的纪录片,拍摄于 2009 年,如果大家感兴趣的话,可以去看一下,讲述了天然金刚石的来源、金刚石的高压合成和 CVD 合成法,以及金刚石的运用。我电脑里有一个 306 MB 的版本,还算比较清晰,不过中文字幕有好多错误和不当翻译。纪录片中有对美国卡内基实验室的 Hazen 、 Hemley (也是本文英文原作者)等顶尖级科学家以及著名的 Element Six 的采访和介绍,影片截图如下: 关于人工合成金刚石,最近又有一些新的进展,在正文开始之前,再稍微做一点介绍。博文 《世界上最硬人造金刚石是如何炼成的》 所提到的日本科学家高压合成的金刚石,研究人员正在努力使其“长大”和做一些开发工作(下面的正文中会提到一些)。首先,日本爱媛大学利用合成的超硬金刚石成功制作了直径 7.5mm 的金刚石真球体( http://www.ehime-u.ac.jp/research/news/detail.html?new_rec=8793 ),该金刚石真球体的制作,在某种程度上代表了日本科学家在该领域的研发实力,见下图。其次,爱媛大学和住友重工的成功合作,住友与 2012 年 2 月已经开始发售有关合成金刚石的工业制成品,如切削工具,见 http://www.sei.co.jp/news/press/12/prs006_s.html 。目前,进一步的研发还在继续进行中。 关于日本爱媛大学人工合成金刚石的研发工作,日本爱媛大学的 Tetsuo Irifune 教授曾经在 2011 年 12 月 7 日 AGU fall meeting 的“ 50 Years of High-Pressure Studies of the Earth ”分会场中(这一分会场为具有隆重的“ 毛河光 ”气氛,因为毛先生刚刚度过 70 岁生日并亲自到会场就坐听报告,会场上聚集了许多当今高压科学界和地学界的顶级科学家,包括毛先生女儿 Wendy Mao 在内的许多科学家高度赞扬了毛先生在高压科学研究中的卓越贡献,见 https://www.gl.ciw.edu/content/2011/12/9/ho-kwang-mao-honored-agu-fall-meeting-session ),专门介绍最新合成的金刚石 NPD 在未来的(尚处试验开发中)下一代高压装置中的运用研发情况( Title :“ Multiple Diamond Anvil (MDA) apparatus using nano-polycrystalline diamond ” ),大家可以登录 AGU 网站( http://sites.agu.org/fallmeeting/scientific-program/sessions-on-demand-7-december/ ) 或者 http://vimeo.com/33331037 观看(时间段: 47:54 至 59:59 )。 2012 年 2 月 14 日 AGU 的 EOS 刊发 Tetsuo Irifune 和 Russell J. Hemley 对人造金刚石的研发进展的最新文章(文章题目:“ Synthetic diamond opens windows into the deep Earth ”, EOS 链接: http://www.agu.org/pubs/eos/ ;其实在 T. Irifune 的 AGU 报告最后一张幻灯片中当时他本人已有提示这篇 EOS 文章即将和大家见面,见 59:30 处),或许大家可以从中得到一些启示,同时也是学习。我将该文章全文翻译,希望对大家有所益处。如果读者已经了解以上这些内容,将会十分有助于对本文内容和人工合成金刚石的理解认识。 以下为原文完整翻译,图文并茂: ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 金刚石,由于其非凡的强度和透光性,在极端压力和温度条件下材料的实验研究中具有特别重大的作用。曾经,我们所使用的金刚石的质量和大小都受限于大自然。但是,研究人员现在已经可以在实验室中人工合成各种类型的金刚石了,它们更加坚韧而且体积比天然金刚石更大。 这些合成金刚石的性质特征使得科学家能够在从地表到地心范围压力 - 温度条件下研究物质材料。诚然,这些人工合成金刚石开启了地球深部的新视窗。 地球深部研究中的金刚石 绝大部分天然金刚石都是伴随着岩浆的喷发而被带到地表来的,这些岩浆来源于地下大约 150-200 公里深度(相当于 5-7 × 10 9 Pa 压力,或者海平面处压力的 5-7 万倍)。除了其非凡的强度和透光性之外,金刚石的化学稳定性使其成为将物质从地球内部带到地表的一个独特的载体( capsule )。通过对筛选出来的天然金刚石的包体的研究发现了很多高压矿物,说明这些物质来源于下地幔,即 660 公里以下深度 (图 1 ) 。因此,金刚石为下地幔和转换带的性质特征研究提供了非常重要的信息。 图 1. 地球内部切面指示金刚石(右上图)以及金刚石矿物包体(右下图;由 Ben Harte 和 Jeff Harris 提供)被发现的相对深度。大部分单晶金刚石来源于上地幔的上部(大约 150-200 公里深度)。而且,还有些天然金刚石含有矿物包体,如 majorite 石榴子石,铁方镁石,硅酸镁和硅酸钙,所有这些矿物被认为形成于地幔转换带( 410-660 km 深度之间)和下地幔深部。另外,气相化学沉积法( CVD )金刚石和纳米聚晶金刚石( NPD )压砧新技术使得科学家可以对下地幔最深部( D” 层)和地核物质开展研究,目前还缺乏如此深度的来自天然金刚石的样品。 从另一方面来说金刚石也为地球深部开启了一个重要的窗口:金刚石是高压仪器中的一种重要砧头( anvil )材料——像金刚石类似的坚硬物质,在将样品压缩到与行星深部相应条件的过程中非常重要。金刚石压砧( diamond anvil cells, DACs ),将两颗单晶金刚石作为对顶砧头,能够产生超过 364 × 10 9 Pa 压力(相当于地心处的压力)。由于金刚石具有很高的透光性,样品在高压条件下的性质可以通过这个窗口而被我们观测到。在过去的三十多年里 DAC 的前沿研究,包括在地球核幔边界区压力和温度条件下发现的后钙钛矿相(地幔主要成分铁镁硅酸盐的一种高压形式) ,为深部地幔和地核组成物质的晶体结构、熔融作用、元素分异以及其他性质特征提供了重要的信息。 首个在实验室中成功合成的金刚石报道于 20 世纪 50 年代中期(如 Bundy et al.,1955 ),随后即投入到为工业运用服务的商业生产中。近年来,利用不同的技术,两种新的金刚石材料分别在美国华盛顿卡内基研究所地球物理实验室和日本松山市爱媛大学的地球动力学研究中心( Geodynamics Research Center )被合成出来。前一种是在高生长速率和低压条件下生成的大颗粒单晶金刚石。后一种,称为纳米聚晶金刚石( Nanopolycrystalline Diamond , NPD ),由超细的纯金刚石颗粒烧结而成,更加坚韧而且通常比天然金刚石更硬。 化学气相沉积法的单晶金刚石合成 天然金刚石可以是单晶或者聚晶,高级别的单晶是光学透明的,可以用作宝石,而聚晶则更加趋向于暗色,或者由于许多包体以及颗粒边界处杂质的存在而呈半透明。尽管两种金刚石都具有极好的硬度,而单晶金刚石比大部分聚晶金刚石具有更高的强度,但是它们也可能沿某些晶面而开裂。聚晶金刚石因为微细晶粒间具有很强的粒间结合力而通常韧性更高。这些特征使得其在工业运用中非常实用,如作切削工具。 利用化学气相沉积法( chemical vapor deposition , CVD )合成聚晶金刚石报道于 20 世纪 60 年代。但是结果仍不确定而且生长速率非常低(大约每小时 1mm )。另外,还只能做成非常薄的膜,而它们往往强度很弱且不均匀。 传统的单晶金刚石的合成是利用特定的催化剂和溶剂在接近于石墨 - 金刚石相边界的压力和温度条件下(大约 5-6 × 10 9 Pa , 1500 K )进行的。利用专门的、精细控制的大压机,高质量的单晶金刚石也有被合成出来。纯的无色的单晶金刚石有被合成出来;这些单晶金刚石的某些特定晶面据报道具有很高的硬度,但是体积大小仍受限于几个毫米 。由于生长速率非常缓慢,以及用来合成金刚石的高压设备对样品体积的限制,要合成较大的单晶金刚石非常困难。利用微波等离子 CVD (大气压之下)单晶金刚石的生长技术于二十世纪 90 年代后期在卡内基地球物理实验室被开发出来。而且,生长速率甚至高达每小时 150 mm ,这一速率比聚晶 CVD 方法高两个数量级 。从此以后,体积更大、质量更好的单晶金刚石通过不断优化生长和合成后期处理,如高温高压退火处理,而被合成出来 (图 2 ) 。 直径达 2.5 厘米的单晶金刚石( 10 克拉)现在已经在卡内基地球物理实验室被成功合成出来。最纯的 CVD 金刚石的紫外线 - 可见光吸收谱特征与高纯天然金刚石晶体是一样的 。它具有和纯的无缺陷的金刚石相似的硬度。更加重要的是,通过控制生长和退火工艺可以合成具有高韧性的金刚石 。因此,相对于传统单晶金刚石而言, CVD 单晶金刚石可以说是一种功能更为强大有用的材料。 图 2. 两种新型金刚石的合成和运用。(顺时针从左上角)在美国华盛顿卡内基研究所地球物理实验室用 CVD 技术合成的大颗粒单晶金刚石样品(直径超过 1 厘米,或 2.4 克拉)( Y. Meng 提供)。透过 CVD 反应器窗口对 900 C 和低于一个大气压条件下正在生长的金刚石晶体所拍摄的照片;金刚石为大约 8mm 的晶片( K. Hemawan 提供)。图示金刚石压砧装置的压砧构架,其中样品由两个对顶放置的单晶金刚石压缩,利用新型 CVD 金刚石材料可以产生更高的压力和温度( J. Shu 提供)。利用脉冲激光将纳米聚晶金刚石( NPD )圆柱切割成立方体,目前这些金刚石立方体正在被测试用作下一代多面砧装置的压砧材料。日本爱媛大学地球动力学研究中心安装的新 6000 吨多面砧装置,目前正用于 NPD 材料的合成研究。直径和长度均达 1 厘米的 NPD ( 14.5 克拉)圆柱样品。 纳米聚晶金刚石 NPD 聚晶金刚石在自然界中有被发现,但是通常结构不强而且不透明。一般而言在高压条件下烧结材料可以增强其特征性质。但是长期以来,在高压条件下合成纯的烧结的聚晶金刚石仍然是一大挑战,因为金刚石粉末的烧结极其困难。因此,只有那些含有诸如钴粘结剂的聚晶金刚石在高压下被合成出来并用于工业和科学用途。 爱媛大学地球动力学研究中心利用大体积压机开发出了新的方法 。在这种方法中,石墨在大约 15 × 10 9 Pa 和超过 2600 K 的条件下(比传统高压方法高很多)直接转变成为金刚石,形成纳米聚晶金刚石( NPD )。通过运用如此高的压力和温度条件(远远高于石墨 - 金刚石平衡边界),迅速生成大量纳米级的金刚石颗粒,可以在几分钟内合成一个烧结极好的 NPD (图 2 ) 。 现已研究发现, NPD 具有和大部分单晶金刚石相似的甚至更高的硬度,同时也具有很高的弹性刚性和相对较低的热导性。对于砧头非常重要的是, NPD 具有非常高的破裂韧性。 NPD 对可见光和红外光也具有高穿透性,除了大约 700 纳米以下的短波,因此显示为暗黄色的颜色。直径和长度均达 1 厘米( 14.5 克拉)的无裂隙 NPD 已在多面砧装置中被合成出来。 新金刚石的运用 除了广泛的工业用途,如用作切削加工,这两种新金刚石——单晶 CVD 和 NPD ,在高压地球科学中也具有广泛的运用。 单晶 CVD 金刚石已经在如压缩气体等材料的 DAC 实验中来提高其最高稳定压力 - 温度条件。例如关于氢在与类木行星深部相同条件下的研究,那里的压力可能高达几百个 GPa 。 另一项重要的用途则是在 DAC 中运用比传统金刚石体积更大的 CVD 压砧。尽管已有的激光加热 DAC 技术可以产生深部地幔和地核中的压力 - 温度条件,但是实验永远都是充满挑战。在高压下 DAC 样品非常薄,这使得材料的激光加热变得困难,因为金刚石的高热导会导致热量流失。通过使用体积更大、强度更高的材料做垫圈材料来产生更大的样品体积,这些问题可以尽量减小。样品的物性测量,如声速、电导和热导,在较大的 DAC 装置中会更加容易和精确。于是,这些装置将成为非常强大的工具来研究深达地球内核压力 - 温度条件下物质的相变、元素分异、熔融作用和物理性质。 开发的新 CVD 金刚石材料使得科学家创造出下一代的高压设备,包括设计用来提高各种功能的压砧。除增大样品体积之外,较大的单晶金刚石可以用于 X 光和中子散射测量——这两种技术均需要较大的样品 。另外,引入传感器和电路可以制作非常精细的用于电和热传输测量的压砧 。这些技术可以非常方便地运用于解决深部地球物理、地球化学和地球动力学等主要问题的实验中。这些材料的进一步开发有望形成新的地球和行星科学以外的基于金刚石的高科技,如开发电子传感器、激光和基于金刚石的计算机 。 NPD 已经成功运用于新的 DAC ,并产生了高达大约 250 GPa 和 5000 K 的压力温度调教 。在大约 150 GPa 的中等压力实验中, NPD 压砧,尤其是那些具有相对较大的底面、样品被包裹压缩起来的压砧,研究表明可以经受住与具有相同底面大小的单晶金刚石压砧两倍的压力 。研究还显示,在高温高压条件下, NPD 要比单晶金刚石的塑性变形小得多 。而且,当来自压砧的单晶衍射需要屏蔽时,如在某些 X 光吸收研究中 , NPD 相对于单晶金刚石更具优越性。 NPD 在 6-8 型多面砧装置运用中或许具有更加重要的作用,在一个大体积单轴压机装置里 8 个二级立方压砧被置于统一运作的 6 个一级压砧中。含有一些金属粘结剂的烧结聚晶金刚石现在已经被运用于这种压机的二级压砧,但是能产生的最大压力仍低于 100 GPa 。因为 NPD 的硬度是这些烧结金刚石集合体的大约两倍,那么当被用作二级压砧时,期待能更高的压力,至少 150 GPa ,而不需要牺牲多面砧装置的一些优点,如在相对较大的样品中具有均匀的压力和温度分布。因此,精确的高压矿物物理研究,例如准确确定地幔底部(大约 136 GPa 和 3000 K )附近铁 / 镁硅酸盐相的钙钛矿和后钙钛矿之间的相边界以及相应的密度密度或弹性特征的变化,可以用来和 DAC 测量结果对比。 新型材料 新型金刚石技术在地球科学研究中潜力的开发才刚刚开始,但是非常具有前景的单晶 CVD 金刚石和 NPD 压砧在各种高压设备中的运用已经展开。目前的努力探索在于合成体积更大、质量更高的金刚石。这些由地球物理学家而发明的新型材料,为探索行星内深部区域开启了新的窗口并具有更高的精度、分辨率和灵敏度,而且还将运用于地球科学以外的科学研究。 参考文献 Bundy, F. P., H. T. Hall, H. M. Strong, and R. H. Wentorf Jr. (1955), Man-made diamonds, Nature, 176, 51 – 55. Harte, B., and J. W. Harris (1994), Lower mantle mineral associations preserved in diamonds, Mineral Mag., 58A, 384 – 385. Irifune, T., A. Kurio, S. Sakamoto, T. Inoue, and H. Sumiya (2003), Ultrahard polycrystalline diamond from graphite, Nature, 421, 599 – 600. Kunimoto, T., T. Irifune, and H. Sumiya (2008), Pressure generation in a 6-8-2 type multi-anvil system: A performance test for third-stage anvils with various diamonds, High Pressure Res., 28, 237 – 244. Liang, Q., C. S. Yan, Y. Meng, L. Lai, S. Krasnicki, H. K. Mao, and R. J. Hemley (2009), Recent advances in high-growth rate single-crystal CVD diamond, Diamond Related Mater., 18, 698 – 703. Matsumoto, K., H. Maruyama, N. Ishimatsu, N. Kawamura, M. Mizumaki, T. Irifune, and H. Sumiya (2011), Noncollinear spin structure in Fe-Ne invar alloy probed by magnetic EXAFS at high pressure, J. Phys. Soc. 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Hemley (2009), Composite chemical vapor deposition diamond anvils for high-pressure/high-temperature experiments, High Pressure Res., 29, 317 – 324. ---------------------------------------------------------------------------------- 后注: 1. 在本文翻译中,我将 diamond 翻译成“金刚石”,而不是“钻石”,我认为“钻石”一词或许更多地运用于宝石领域,而本文则主要是材料学和高压地球科学,因此取“金刚石”的翻译;例如, diamond anvil cell 一般被翻译为金刚石压砧 / 腔。 2. nanopolycrystalline diamond 一词,我既有听到“纳米多晶金刚石”的翻译也有听到“纳米聚晶金刚石”的翻译方式,哪位朋友或者老师如果知道有比较专业通用的翻译,请留言告诉一下,谢谢。
个人分类: 地球科学家及实验室|16365 次阅读|24 个评论
最“坚硬”的理论相图, 还坚硬不坚硬?
热度 4 jitaowang 2011-5-8 15:06
最“坚硬”的理论相图, 还坚硬不坚硬?
作者 王季陶 在前面我写过一篇博文 “ 20 世纪后期最 “ 坚硬 ” 的科学实验 --- 激活低压人造金刚石的科学发展史 ”. 由于金刚石一直是人们心目中的财富象征 . 人造金刚石探索也有上百年的历史 . 从 1938 年开始 , 罗西尼 (F.D. Rossini) 和 耶瑟帕 (R.S. Jessup) 就 根据金刚石和石墨的燃烧热 , 比热 , 压缩率 , 热膨胀系数等数据 , 推算了在 1200 K 以下的石墨和金刚石两相平衡曲线 . 此后勃欧曼 (R. Berman) 和 西蒙 (F. Simon) 后来又作了一些修正 , 并用吉布斯自由能的变化 D G 作为两相平衡的基本判据 . 把石墨与金刚石两相平衡线外延推到 1200 K 以上 . 这就是在人造金刚石领域人们熟悉的 勃欧曼 - 西蒙线 (Berman-Simon 线 ) . 其数学表达式为 D G 1 (kJ mol - 1 ) = { p (Pa) - } D V (m 3 × mol - 1 ) . 具体对石墨 C(gra) - 金刚石 C(dia) 转变反应 : C ( gra ) = C (dia), 根据 热力学的数据表 , 石墨 和金刚石 的 标准生成热和标准熵值,可以计算得到标准状况下反应的吉布斯自由能 D G 0 298 是 2.87 kJ × mol - 1 , 大于零 , 是一个非自发反应不可能自发进行 . 已知标准状况下两者的密度分别为 2.261 10 3 kg × m - 3 和 3.513 10 3 kg × m - 3 . 如果希望 通过改变压强来使石墨转变金刚石的吉布斯自由能变为负值, 即 要求 D G ( p ) 0, 通过 就可以计算出所需的压强 . 结论是 : 必须 p 1.52 10 9 Pa, 约相当于大气压的 15000 倍 . 因此可以预言在高压下石墨有可能自发转变生成金刚石 . 在热力学的理论指导下 , 20 世纪 50 年代的高压人造金刚石的成功轰动了全世界 . 同时作为热力学理论指导也进一步完善 , 其中最有力的武器就是相图 . 以下就是一张元素碳的平衡相图 , 也可以称为人造金刚石的相图 ( 见图 1). 图 1 碳的平衡相图 请看 1955 年催化高压法成功以后 , 又出现了高温高压法和爆炸法的人造金刚石技术 , 也都证实了这一 “ 坚硬 ” 的金刚石相图的正确性 . 因此也有一些热力学家就超前地预言 : 低压人造金刚石是不可能成功的 , 或者说 , 连试也不用试的 . 然而 , 实验才是检验理论是否符合客观规律的最高标准 . 约 1970 年以后前苏联学者 Deryaguin 等成功地得到了低压人造金刚石 ( 又称激活 CVD 法人造金刚石 ) 薄膜和细小的美丽晶体 , 西方学者嗤之以鼻称之为 “Alchemy( 点金术 )”. 日本学者 Setaka 等就按照前苏联学者的思路探索 , 到 1980 年果然也得到成功 , 1982 年也连续公开发表论文 , 而且工艺简单明确 . 但是对西方仍然很少有影响 . 1984 年美国 Roy 参观了 Setaka 实验室 , 亲眼看到了极其简单的实验装置 ( 见图 2) 又在显微镜下亲眼看到美丽的低压人造金刚石晶体 . 图 2 激活 CVD 法低压人造金刚石装置 到 1986 年初 , Roy 就重复得到了低压人造金刚石 . 他没有马上发表论文 , 却是先 “ 炒作 ” 召开了记者招待会宣布了这一成果是真的 ! 他没有剽窃 , 而是说明 : 低压人造金刚石是前苏联和日本学者先做出来的 , 他是美国第一个重复出来的 . 接着当然是轰动全世界 , 这样的 “ 炒作 ” 对不对呢 ! 于是关键就是这张 “ 坚硬 ” 金刚石的相图 ( 图 1), 还 “ 坚硬 ” 不 “ 坚硬 ”? 从图 1 中可以清楚地看到 : 激活 CVD( 化学气相淀积 ) 法人造金刚石的实验区域是处于金刚石亚稳区 . 那么为什么不生长稳态的石墨而是生长亚稳态的金刚石呢 ? 诀窍在哪里 ? 就在 “ 激活 ” 两个字 ! 图 2 中就是一根 2400K 的钨丝 , 用来分解氢分子生成大量氢原子 ( 称为超平衡氢原子 , SAH, 即 Super-equilibrium Atomic Hydrogen). 每一个在低压人造金刚石领域中工作过的人都应该知道 : SAH 的存在是能够实现低压人造金刚石的关键 . 激活产生 SAH 的方法很多 , 图 2 的方法叫热丝法 , 还有微波法 , 射频法 , 等离子体法等等 , 总之必须从外部提供能量 , 不是一个平衡体系 . 显然图 1 的平衡相图是不适用的 . 关于低压人造金刚石的大量实验事实和理论的应用可以说就是我的 2002 年的一本英文专著 : 书名就是 “Nonequilibrium Nondissipative Thermodynamics with its application to low-pressure diamond synthesis”. 而如今在我的 “ 现代热力学 - 基于扩展卡诺定理 ” 的中英文版中 , 也都是用了第 6, 7, 8 章三章的篇幅来加以表述 . 在此只能简化到几句话 , 即通过定量化地计算得到了一系列适用于低压人造金刚石的非平衡相图 . 理论计算的非平衡相图和世界范围的大量可靠实验数据相符就是对我们理论的一个明确证明 . 在国际上也有明确的评价 . 以下仅仅列举一张对比图 , 见图 3. 图 3 图 3 的左面是我们 1997 年发表在 J. Materials Research 上的理论计算的碳氢氧三元体系的低压金刚石生长非平衡相图 . 图 3 的右面是英国学者 Aschfold 等在 2001 年发表在 PCCP 上的实验的碳氢氧三元体系的低压金刚石生长相图 . 显然他们并看到我们的论文工作 , 但是这丝毫没有影响 . 他们的实验工作完全证实了我们的理论工作 . 最“坚硬”的理论相图 , 还坚硬不坚硬 ? 答案是图 1 和图 3 等都是最“坚硬”的理论相图 , 前者适用于平衡条件下 , 后者适用于具体的非平衡条件下 , 都是坚硬的理论相图 ! 理论和实验相符 !
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第一次出国参加学术会议就登上国外报纸
热度 6 jitaowang 2011-4-10 01:39
第一次出国参加学术会议就登上国外报纸
1978 年改革开放以后 , 在 1980 年前后学校中很多老师纷纷出国留学、访问、开会成风 . 而我手中的低压化学气相淀积 (low pressure Chemical Vapor Deposition, 简称 LPCVD) 科研项目正好打开局面 , 并积极向工厂做技术推广工作 . 一直到 1985 年才能腾出时间第一次去瑞典,乌普萨拉,6月参加第 5 届欧洲化学气相淀积 (CVD) 会议 (The Fifth European Conference on Chemical Vapor Deposition, June 17-20, 1985, Uppsala, Sweden). 第一次到国外 , 一切都是新鲜的 . 顾不得欣赏美景 , 一心埋头在会议中 . 第一件事就是通览论文摘要集 , 了解相近的学术论文 . 我的报告 ( 作者 : 王季陶 , 张世理和王永发 ) 是一篇 15 分钟的 oral 报告 . 在我报告前还有一篇美国学者的半小时特邀报告 (invited), 题目是 CVD 反应器的大规模有限元的理论模拟 . 事实上内容却非常相近 , 也是 LPCVD 的计算机模拟 , 不同的是他采用的是数学拟合方法 . 整个半小时 , 他详细地介绍了这项 LPCVD 集成电路新工艺的优越性和理论模拟的学术意义 . 然后他介绍具体工作 , 他特别强调用了一台 “very huge computer”, “several months for calculating one line”, 最后才展示了一张理论曲线和实验对比图 , 这样就给人们留下很深的印象 : 他的工作是一项很有价值的艰难理论工作 . 我立即思考自己的 15 分钟口头报告如何做 ? 语言方面肯定远远不及美国人的母语 . 按照往常的前言介绍已经完全没有必要了 . 因此立即确定把整个报告的内容颠倒过来 ( 幻灯片次序调整 ), 先报告结果 : 即汇报理论和实验对比图 , 然后再介绍理论计算的原理和公式 . 报告时 , 介绍了题目以后 , 我立即打开一张又一张理论和实验对比图的幻灯片 , 大约一共有十一张 , 包含了约二十多条理论模拟曲线 . 没有想到我刚刚按下三、四张幻灯片 , 才介绍了将几条理论模拟曲线和实验对比图并且符合很好时 . 台下就有人不经过会议主持人就直接插话喊道 : “How huge computer you used?” 我回答 : “Apple II.” 因为苹果 II 机在当时也是最普通的小型机 , 全场上近百人一片惊叹 , 马上又有人高喊 : “How long time for calculating one line?” 我回答 : “A few minutes.” 全场上更形成了轰动效应 . 因为大家都清楚地知道和前面报告中的 “very huge computer”, “several months for calculating one line” 作对比 . 而且理论是我们提出的 , 而实验数据又是文献上公开报道的 , 两者符合情况良好 . 然后我继续介绍其余的一批理论模拟曲线和实验对比图 , 并介绍了我们计算机模拟的化学动力学模型 , 清晰的物理思想和推导得到的定量循环递推计算公式 . 很快 15 分钟就结束了 . 当我结束报告走下讲台回到座位时 , 两旁立即热情伸出手来握手 , 纷纷祝贺 : “Congratulation!”. 我带去交流用的英文版论文选 ( 见后 ) 也很受欢迎 . 并交结了不少国外的友人 . 会后会议主席 J.-O. Carlsson 就安排了四人 ( 主席 , 一位美国学者 , 一位欧洲学者和我 ) 会见记者 . 第二天刊登在当地的 Uppsala News 报纸上占据约 8K 的版面作这一学术会议报道和介绍 , 同时还包含了会见记者时约 6-8 吋的照片并注明照片中各人的姓名 ( 包括瑞典文王季陶来自中国 “ Ji-Tao Wang fr m Kina ” 的字样 ), 见图 1. 我们的这篇论文后来就发表在 . 被同行学者尊称为 “Sir CVD” 的 Dr. J. Blocher 也参加了这次第五届欧洲 CVD 会议 . 两年后 , 1987 年在夏威夷召开第 10 届国际 CVD 会议时 , Blocher 博士就作为会议主席邀请我作特邀报告 invited speaker 的邀请函 . 还有国外友人来信说 , 在教学中他也采用了我们的理论模型等 . 这些都是后话了 . 第一次出国参加国外学术交流会议就遇到这样的机遇肯定是我的幸运 . 这一张合照也是我迄今唯一的登上报纸的照片 , 却登载在国外报纸上 . 幸运的背后必须付出努力和认真的准备 . 为了做好准备工作 , 会前也忙了几个月 . 对当时的情况现在可能很难想象 , 就说准备交流已经发表的学术论文吧 . 连参加国际会议的论文都要经过校党委办公室的保密审查 . 因此此前的论文都发表在国内杂志上 , 包括国内最高级别的中国科学 ( 中英文版 ). 为了国际学术交流 , 准备携带 1980 年在半导体学报创刊号上和 1983 年在中国科学 ( 中英文版 ) 上发表的相关 ”LPCVD 计算机模拟 ” 等论文复印件 . 结果也被告知根据上海市保密局规定只能带正式出版物的原件不可以带复印件 ( 据说海关检查时通不过 ), 更不要说携带中文论文的英文翻译本 . 没有办法 , 只能联系了复旦大学出版社 , 得到社长陈树乔老师的大力支持 . 为了赶时间由我们用英文打字机打印后影印出版一共 140 页 , 封面见图 2. 现在连在读的研究生有时也会到国外参加国际会议 , 相应的机遇就更多了 , 一定要好好珍惜 . 学术会议就是 ” 以文会友 ”, 既是学习的大好机会 , 也是展示研究成果交流的大好机遇 . 最后归结为一句话 : 认真参加每一次学术会议 . 祝各位取得更大的成功 !
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微波CVD金刚石膜产品及应用分析
jackiemwd 2011-1-9 15:14
有兴趣的可以看看下面我的博客文章: 1) http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=402561 ( 关 于(微波法)CVD金刚石膜产业化的看法 ) 2) http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=231983 ( 金刚石薄膜的性质、制备及应用 ) 3) http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=232233 ( 微波等离子体化学气相沉积—— 一种制备金刚石膜的理想方法 ) We’re starting to lay down thick layers of diamond in CVD machines, hinting towards a future of bulk diamond machinery. Diamond is an ideal construction material — it’s immensely strong, light, made out of the widely available element carbon, nearly complete thermal conductivity, and has among the highest melting and boiling points of all materials. By introducing trace impurities, you can make a diamond practically any color you want. Imagine a jet, with hundreds of thousands of moving parts made of fine-tuned diamond machinery. Such a craft would be more powerful than today’s best fighter planes in the way an F-22 is better than the Red Baron’s Fokker Dr.I. 这里有我上传的美国一家公司生产CVD钻石的视频介绍: 看看老外关于CVD制备钻石的视频 http://bbs.sciencenet.cn/forum.php?mod=viewthreadtid=201614extra=page%3D1 CVD金刚石膜的制备方法主要有四种:热丝法,微波法,直流电弧法和燃烧火焰法,其中微波法是高端金刚石膜应用的最理想方法。下面主要就微波法制备的产品及品质,应用进行分析,大部分数据都是从网络上来的,呵呵! 微波法优于等离子体靠电磁波激发,避免的电极的污染,因此可以制备高纯度的金刚石膜。 上图就是微波法同质外延金刚石(单晶钻石)的情形 图片中的是生长用的“种子”,一种特别加工的金刚石仔晶。经过CVD过程,可以将大自然几百万年过程生成的金刚石,压缩到很短的时间,就能在实验室里面生长出钻石级的金刚石,而且完美无缺,比最好的天然金刚石还要好。下图就是生长前后的照片。 该技术的关键是:可以在很短的时间内作出完美无缺的大颗粒钻石级别的金刚石;更重要的是该技术能批量生产;这完全不同于高温高压法的一次就只能生产一颗,而且由于含有金属催化剂,一般作出来的都是黄色的“黄钻”。 这些是CVD法制备的钻石级金刚石,颜色的选择性出现是在生长国产中人为掺入了一些着色物质。其制备成本都是差不多的。 下图是高温高压法(HTHP)制备金刚石的现场照片: 下面是用HTHP方法制备出来的钻石照片: CVD技术,可以在制备金刚石膜的同时加入一些“染色剂”,可以认为的制备出不同颜色的金刚石。 下面就是引用元素六公司的产品( http://193.120.252.126/cvd/page.jsp?pageid=298 ): 1) Optical Grade CVD (OP) (光学级金刚石膜) Optical grade polycrystalline CVD diamond. Broad transparency, high thermal conductivity, durable and wear resistant. Suitable for use in IR and high power laser optics. (价格单位是:英镑) Thermal Management Grade CVD (金刚石膜散热片) Thermal management grade polycrystalline CVD diamond with a thermal conductivity 1000 Wm-1K-1. Mechanical Grade CVD (PC) (机械级CVD金刚石膜) PC Grade CVD is used extensively for precision cutting tools and scalpels. Electrochemistry Grade CVD (PE) (导电金刚石膜) Electrically conductive polycrystalline CVD suitable for use in electrochemistry applications. This material can also be cut by EDM. Single Crystal Diamond Plate (单晶金刚石膜) 其他的就不黏贴了,反正CVD金刚石膜可以通过微波法做得非常的好。至于市场,大家可以积极参与,共同开发。 下面是一些CVD产品,网上图片,仅供参考: The ability to process large size transparent windoews in diamond with consistant quaility is key to its application in advanced optics Diamond is the only material that offers a wide far-infrared (8-14 um) range transmission combined with high strength and excellent resistance to thermal shock, scratching and erosion The use of CVD diamond optics in high power laser applications overcomes the common problem of thermal distortion of the beam by the window material. The broad-band optical transparency , high thermal conductivity and hardness make diamond an ideal choice for highly demanding window applications such as high-power IR laser windows, high-power microwave windows and durable windows for aggressive environments. Its optical transparency covers the whole spectral range from the UV to the far infrared. Specifications for standard diamond windows Diamond windows can be manufactured to the following standard specifications. 下面图片出自: http://www.diamond-materials.com/prod_overview_en.htm ,具体详情可以自己去看看。市场前景很大,只要能做得出来。他们都是用微波法生产的。 千万不要用老思维方式看如何工业化生产CVD金刚石膜,这些高科技东西第一要求的是质量,而不是数量,质量达到要求了,可以从某种程度上讲不用说价格,一定有人买的。一句话:不怕你卖不出去,就怕你做不出来! 如果需要CVD金刚石膜设备,可以与我联系,可以根据要求进行配置,从而满足不同的科研,教学的要求。 热丝CVD或者各种功率大小的微波CVD均可以与我联系!喜欢CVD金刚石膜的朋友,可以看我博客中的其他文章。 ----------------------------------------------------------------------------- 欢迎看看我的其他的博客内容: 金刚石薄膜的性质、制备及应用 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=231983 微波等离子体化学气相沉积 —— 一种制备金刚石膜的理想方法 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=232233 微波 CVD 金刚石膜产品及应用分析 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=402659 关于(微波法) CVD 金刚石膜产业化的看法 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=402561 Carnegie-Made Diamonds on Exhibit(CVD 金刚石产品展示) http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=386101 国外先进的微波等离子体 CVD 制备金刚石膜设备介绍 (Diamond) http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=384330 微波等离子体 CVD 制备金刚石膜 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=384313 Synthetic Diamonds http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=351296 微波等离子体同质外延修复金刚石的研究 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=232229 微波 CVD 金刚石薄膜用作 LED 散热片的制备 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=232213 提高金刚石薄膜与硬质合金基底之间附着力工艺的研究进展 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=231988 国外微波法制备金刚石膜设备介绍( microwave plasma CVD diamond system introduction) http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogview=mefrom=spacepage=2 等离子体技术 —— 一种处理废弃物的理想方法 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=259594
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[转载]碳纳米管生长机理
weiqiong 2010-12-24 23:13
碳纳米管在催化剂纳米粒子上的生长过程与常见的用化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)再基底上沉积薄膜等气-固反应过程类似。这一过程涉及以下几个步骤,其中的一步或几步是反应的决速步骤,决速步骤会因体系的不同而不同,并且需要更详尽的实验分析: 1. 前驱体穿过很薄的边界层扩散到基底表面; 2. 反应物种吸附到催化剂表面; 3. 发生表面反应生成碳纳米管和气态副产物; 4. 气态产物从基底表面脱附; 5. 释放出来的气体物种通过边界层扩散到流动层。 在低温的等离子体中,正离子对基底表面的轰击可能满足步骤1和步骤3所需要的能量或者为步骤4的脱附过程提供帮助。 碳纳米管生长所经历的步骤在化学气相沉积和PECVD中也许不尽相同。例如,热CVD反应器中除了碳源碳氢化合物本身外,很少含有其他气体物种,而在PECVD中,正如在前面所讨论的那样,其体系中有许多高反应活性的集团和氢原子,在等离子体中也有一些高稳定性的碳氢化合物和离子。这些高反应活性组分和碳氢化合物可以在比热CVD更低的的下源源不断地向金属催化剂纳米粒子提供碳源。碳源分解后扩散到金属催化剂中,随后过饱和的碳析出,这被认为是激光烧蚀法和电弧法中的步骤,但并不是CVD和PECVD的必要步骤。在CVD和PECVD中,高反应活性的集团和碳氢化合物释放期中的氢,并断裂部分碳键,在催化剂粒子表面聚集从而形成碳纳米管结构。 20世纪70年代关于催化热解制备碳纤维的一些研究曾经对前面提到的五步过程进行了讨论。即吸附在催化剂表面的烃类被催化裂解成碳,,碳在催化剂粒子中溶解和扩散,当达到饱和时,碳就会以管的形式析出。这个过程有两种可能的情形;如果催化剂粒子与基底表面的粘附力比较强,碳就会从粒子的上表面析出,这就是底端生长模型;当粒子与表面的粘附力比较弱时,碳就会从粒子的下表面析出,粒子将被不断生长的碳丝抬起,即催化剂粒子处在碳丝的上端,这就是顶端生长模型。
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[转载]国外先进的微波等离子体CVD制备金刚石膜设备介绍(Diamond)
jackiemwd 2010-11-16 16:11
本文最后有关于微波设备的联系方式,关于微波CVD金刚石膜产业化的问题,可以看我的博客文章: http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=402561 ( 关于(微波法)CVD金刚石膜产业化的看法 ) 看看老外用微波设备作材料研究的视频: http://bbs.sciencenet.cn/forum.php?mod=viewthreadtid=201615extra = AX5010 Microwave Plasma CVD Reactor (1.5 kW) The AX5010 Microwave Plasma CVD Reactor is used for growth of high quality diamond films. Intended as a low cost system for basic film research in RD laboratories. It produces a wide range polycrystalline and single crystal diamond films on a variety of substrates with properties equal to or better than those made by any other method. The AX5010 is easy to use, small in size, and gives reproducible results. Model AX5010 AX5200 1.5kW Microwave Plasma CVD Integrated System he model AX5200 Microwave Plasma CVD system incorporates a 1.5kW at 2.45GHz microwave generator for high power and high temperature plasma deposition. System can also be equipped with optional electromagnets to become an Electron Cyclotron Resonance (ECR) system for operations at low pressure and low temperature. Both systems are: Capable of depositing high quality CVD diamond films for a wide variety of applications Flexible reactor design supports high pressure microwave and magnetized microwave CVD Development time minimized with supplied CVD diamond process recipes Reliable, stable, reproducible, versatile operation Modular approach to suit a wide range of budgets Manual operations or Computer controlled GUI for ease of operation Up to 6 different gas inlets Pressures from 10 to 150 Torr (1 to 150 Torr optional) Substrate Stage Temperature control – heated stage Extensive after-sales support AX5200 1.5kw Integrated Systems AX5250 5kW Microwave Plasma CVD System The AX5250 microwave plasma reactor incorporates a 5kW at 2.45GHz microwave generator to produce plasma at high power densities. Such operation allows a new regime of plasma chemistries. In this microwave cavity configuration, liner growth rates on axis up to 15 micro meter an hour for diamond have been demonstrated. Total mass deposition rates of 60mg/hour have been achieved. The process recipe for thick, high growth films is included with the system. Features: Film or thick CVD diamond at deposition rates up to 15 micro meter per hour White transparent diamond at growth rates up to 2 to 5 micro meter per hour. Accommodates substrates up to 4 inch diameter Produce CVD diamond with high thermal conductivity - 10 to 20 W/cm-K Operation at 10 to 100 Torr (1 to 100 Torr optional) Fully automated for CVD diamond growth for multi-recipe, multi-day operation AX5250 5kW Integrated Systems Comparison between 1.5kW and 5kW Microwave Diamond CVD Microwave Power 1.5kW 5kW Appropriate applications Semiconductor device (doping), Homo Hetero epitaxial films, FED* Thermal management (Heat Sink), Optical, Tools coating, FED*, SAW filters** Typical Growth rate 0.1 - 0.5 or 1 micron/hr 2 - 5 or 6 micron/hr Substrate Stage Heated Stage Water Cooled Stage Substrate Temp. Control Digital Setting Need shim replacement BEN*** OK OK Grain Size Small Small - large Sample size 50mm (2 inch)±15% uniformity (Guaranteed) 50mm (2 inch) ±15% uniformity (Guaranteed) Accommodating substrate 90mm (4 inch) 100mm (4 inch) Stage Option: No Yes (changeable to heating stage) Field Emission Display*, Surface Acoustic Wave**, Biased Enhanced Nucleation*** AX6500 8kW Microwave Plasma CVD System The AX6500 produces CVD diamond substrates suitable for most heat-spreading applications. Thick CVD diamond films, to over 3.5 inches in area, enable and expand applications such as laser diode mounts, multi-chip modules, surface acoustic wave devices, and high-power GaAs-based circuits. The AX6500 is designed for a production environment, with features including: easy loading, push-button operation, low maintenance and high uptime. The AX6500 high deposition rates allow relatively short deposition runs which increases manufacturing flexibility and response time. The AX6500 combines the most advanced microwave reactor design and high growth rate diamond deposition process into a turnkey system for pilot production of CVD diamond-coated tool inserts. In addition, the AX6500 is ideally suited for robotic tool handling in a production environment. Features: Deposits CVD diamond films at growth rates and uniformity necessary for practical, cost effective tooling applications Enables pilot production of CVD diamond-coated tools Provides a path to full-scale production Includes proprietary process knowledge which significantly shorten the user's learning curve. Easy to use Available with extensive after-sales service and support for high reliability and uptime AX6500 8kw Semi-Production Model AX6600 Microwave Plasma CVD System The AX6600 microwave plasma system is designed to operate with plasma at high power densities for large area, high deposition rate processes to meet the scale-up needs for diamond coated tool insert manufacturers. This complete turnkey system incorporates the latest microwave technology with computer control for ease of use. A large batch size, covering an area of 8 inches in diameter, can be processed all at once. It is a highly flexible design which can be operated in a wide range of power from 15kW to 100kW. Features: Large throughput Easy to use Production capability Computer-controlled, turnkey operation Reliable, stable reproducible,versatile operation Extensive after-sales process support and training Specifications of different models System Model AX5200 AX5250 AX6500 AX6600 Reactor Type Plasma Immersion Plasma Immersion Plasma Immersion Plasma Immersion Usage RD RD Production Production Stage Heated or Cooled Heated Cooled Cooled Cooled RF Power 1.5kW 5kW 8kW 60 - 100kW RF Frequency 2.45GHz 2.45GHz 2.45GHz 915MHz Typical Diameter 50mm 50mm 64mm dia. Thermal 100mm dia. Tools 200mm Max Diameter 100mm 100mm 125mm 300mm Typical Growth Rate 0.1-0.5μm/hr Up to 7μm/hr Up to 7μm/hr Up to 15μm/hr Typical Mass Rate 1-4mg/hr 60mg/hr 90mg/hr 1g/hr MPCVD FOR DIAMONDS PECVD system with reliable and versatile base and many options will solve almost any your RD problem. DIFS-ST10 system for MPCVD diamond film growth. Applications: tool coatings IR optical components heat spreaders for electronic devices surface acoustic waves devices biosensors, biocompatible coatings conductive diamond electrodes for electrochemistry ionizing radiation detectors (UV, X-ray, particles) MEMS The DIFS-ST10 microwave plasma CVD reactor is designed for polycrystalline diamond film and wafers deposition on large area substrates of various materials. Smooth nanocrystalline diamond films can be deposited as well. B asic parameters of the CVD system: Microwave power source: 5kW at 2.45 GHz. Number of feed gas channels: 4. Reaction gases: CH4, H2 (main); O2, Ar, N2, CO2 optional. Gas process pressure: 20-150 Torr. Gas consumption: 1000 sccm (typical). Substrate diameter: 3 inches. Substrate temperature: 700 – 1000°С (control with a pyrometer). Growth rate: 1-7 microns/hour. Diagnostic ports: 5 quartz windows. Vacuum chamber: stainless steel, water cooled. Full computer control. 5KW microwave plasma CVD system Reactor Parameters MW Power - 30 kW MW Frequency - 915 MHz Bell Jar Diameter – 10” (25 cm) Sample Holder Diameter – 6” (15 cm) Water Cooled Stage Optional Bias Voltage Temperature Control by IR-Pyrometer Optical Emission Spectroscopy Control Capable for long deposition hours Microwave plasma chemical vapor deposition chamber shown in action growing ultrananocrystalline diamond films at Argonne's Center for Nanoscale Materials. AsTex MWCVD MicroWave Plasma Chemical Vapour Deposition - Process gases: methane(CH4), hydrogen(H2), nitrogen(N2), argon(Ar), oxygen(O2) - Materials: Poly- and nanocrystalline diamond films (PCD and NCD) A Lamda Technologies microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) instrument for the growth of nanocrystalline diamond is available in the cleanroom facility This system is an Electron-Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (ECR-PECVD) chamber which we have used in research related to diamond and other carbon-based thin films, low-K dielectrics, and other thin films. This system uses a 2.45 GHz microwave source and a ring of rare earth magnets to create a plasma which is used to break down gaseous precursors and deposit films onto a variety of substrates. A 2.45 GHz, 1.5 kW, Microwave Electron Cyclotron Resonance (ECR) plasma processing facility has been set up to give a uniform deposition on a substrate area of around 100 mm, with features like substrate rotation, substrate heating, deposition under RF bias / pulse bias condition etc. The photo on the left shows the system undergoing tests. Diamond is grown from a plasma generated by a gaseous absorption of high power microwave energy Plasma Quest ECR Etch Tool 如果需要CVD金刚石膜设备,可以与我联系,可以根据要求进行配置,从而满足不同的科研,教学的要求。 热丝CVD或者各种功率大小的微波CVD均可以与我联系!喜欢CVD金刚石膜的朋友,可以看我博客中的其他文章。 --Options-- * Optical Emission Spectrometer * Remote Raman Spectrometer * Additional Gas Channels * Biasing capabilities * Temperature Measurement System (In-situ nucleation monitoring) * Turbo Pump ------------------------------------------------------------- 欢迎看看我的其他的博客内容: 金刚石薄膜的性质、制备及应用 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=231983 微波等离子体化学气相沉积 —— 一种制备金刚石膜的理想方法 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=232233 微波 CVD 金刚石膜产品及应用分析 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=402659 关于(微波法) CVD 金刚石膜产业化的看法 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=402561 Carnegie-Made Diamonds on Exhibit(CVD 金刚石产品展示) http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=386101 国外先进的微波等离子体 CVD 制备金刚石膜设备介绍 (Diamond) http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=384330 微波等离子体 CVD 制备金刚石膜 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=384313 Synthetic Diamonds http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=351296 微波等离子体同质外延修复金刚石的研究 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=232229 微波 CVD 金刚石薄膜用作 LED 散热片的制备 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=232213 提高金刚石薄膜与硬质合金基底之间附着力工艺的研究进展 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=231988 国外微波法制备金刚石膜设备介绍( microwave plasma CVD diamond system introduction) http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogview=mefrom=spacepage=2 等离子体技术 —— 一种处理废弃物的理想方法 http://bbs.sciencenet.cn/home.php?mod=spaceuid=257140do=blogid=259594
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为什么孙悟空能逃出太上老君的炼丹炉
jitaowang 2010-11-8 16:13
西游记是我国的著名神话故事,并不一定要求有科学依依据。但是,如果过于荒诞,脱离生活,也就失去影响力。 孙悟空逃出太上老君炼丹炉的故事,几乎人人尽知。要知道其中还有一定合理成分的科学依据。 炼丹炉就是中国古代的化学反应器。众所周知,化学的前身就是西方古代的点金术和中国古代的炼丹术。在英文中化学一词 Chemistry 就是来自于点金术 Alchemy 。 古人很早就对汞,也就是水银感兴趣。滴溜滴溜、到处滚动又是光亮无比、抓不住又拿不起、无缝不钻,太神奇了!这是因为汞是室温下唯一的一种液体金属化学元素。它的化学符号是 Hg ,比水重 13.546 倍,而沸点是 356.58 o C 。西方古代的点金术和中国古代的炼丹术都离不开它。 早在秦始皇的时候就组织方士们到处寻找或修炼能长生不老的仙丹。而汞的化合物都是有毒的,所以吃了仙丹的皇帝们都早早地成仙死去。而得道高僧们可以在临终前,几天不吃不喝,预知自己升天成佛的大体时间,还能够告知子弟们,自己肉身不腐等等。前几年在九华山开会时,还得知九华山的庙宇中至今还在陶缸中保留有一具成仙或升天的高僧干肉身。大体上这些事都和汞的化合物有关,因为汞的化合物具有很强防腐作用。在古墓中也常常可以发现放有水银的棺材中,尸体也往往不腐。 仙丹的主要成分是氧化汞,但是汞的氧化反应比较缓慢,需要把汞保持在高温下由空气中的氧,慢慢氧化生成。于是得道高僧,包括太上老君等就设计了炼丹炉,把汞放在陶瓷的容器 坩埚中,保持在上百度的高温,经历七七四十九天缓缓在汞的表面逐步生成淡红色的丹粉 这就是氧化汞 HgO 。取出后再添加一定的粘合剂(如面粉的糊精)揉成颗粒,就是仙丹。 要知道,古时候设计的化学反应器 --- 炼丹炉内温度并不均匀,也可以不需要均匀,只要使放汞的坩埚保持高温就行。因此,孙悟空就躲在太上老君炼丹炉的温度死角中,逃过了一劫,反而练出了一身火眼金睛! 以上是我讲化学气相淀积 CVD 时的一个小故事。最后,请大家注意如今的节能灯灯管中都含有少量汞,不要把灯管打破,并交到回收的指定地点,保护环境!
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从穴居人到集成电路和光纤通信的高科技
jitaowang 2010-11-5 09:52
大家一定很奇怪:穴居人和集成电路或光纤通信有什么关系?其实当前的集成电路和光纤通信制造过程中有一项技术就和穴居人的当时生活密切有关。这就是 化学气相淀积( Chemical Vapor Deposition ,简称 CVD ) 技术,又称 化学气相沉积 。最方便的叫法就叫 CVD 。 说白了,就是原料经过气相的化学反应,变成了固体物质,淀积下来成为薄膜、晶体、锭块、粉末、纳米颗粒、纳米线、纳米管或石墨烯都可以。原来如此!当然从古代到现代都离不开它。那么原料是什么?固体、液体或气体都可以,但是有一个条件,就是必须首先得变成气体。 一句话 CVD 就是:原料 气体 反应 固体就行! 这件事最早是谁做的?穴居人! 说话要凭证据:至今在山洞中可以看到岩洞顶上还留有黑色的碳膜就是最古老的 CVD 证据 -- 化学气相沉积的古老原始形态。可这是穴居人在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。它是木材或食物加热时释放出的有机气体,经过燃烧、分解反应沉积生成岩石上的碳膜。这就完成了一个 CVD 的全过程!因此考古学家发现的古人类烧烤遗址也是原始的 CVD 最古老遗迹。但这是古人类无意识的遗留物,当时的目的只是为了取暖、防御野兽或烧烤食物。 这些文字在相关的国内外书上就是如此写的。还要有趣的是:中国的古人也在 CVD 方面做出非常突出的贡献 -- 留下了 CVD 技术方面世界上最古老的文字记录! 证据:我国的著名学者陆学善前辈在为《晶体生长》一书所写的前言中说 : 关于银朱的制造也值得我们的注意。银朱就是人造辰砂(王注: HgS ,硫化汞),李时珍引胡演《丹药秘诀》说 : 升炼银朱,用石亭脂二斤,新锅内熔化。次下水银一斤,炒作青砂头,炒不见星,研末罐盛。石板盖住,铁线缚定,盐泥固济,大火锻之,待冷取出。贴罐者为银朱,贴口者为丹砂。 这里的石亭脂就是硫磺。这里所描写的是汞和硫通过化学气相沉积而形成辰砂的过程,这一过程古时候称为 升炼 。在气相沉积的输运过程中,因沉积位置不同所形成的晶体颗粒有大小的不同,小的叫银朱,大的叫丹砂。我们现在生长砷化镓一类电光晶体,基本上用的就是 升炼 方法。这种方法我国在炼丹术时代已普遍使用了。 注意:李时珍 (15181593) 可是明朝人,生活在 16 世纪的中国。他引用的胡演《丹药秘诀》的原著一定还要古老。不管怎样,这一段从汞 ( 即水银 ) 和硫作用生成硫化汞的论述就是人类历史上对化学气相沉积技术迄今发现的最古老的文字记载。对这一点被 CVD 同行尊称为 Sir CVD 的国际会议主席 Blocher 在 1989 年第 7 届欧洲 CVD 学术会议开幕式上也曾专门向国际同行作了介绍了这一点。因此可以说是得到国际公认的。当然关键还是白纸黑字的证据是客观的事实。 尽说古代的事没有用,还看今朝!如今 CVD 技术在高科技行业中的应用是遍及全球的,从集成电路芯片制造到光纤制造无处不在。从机械行业的镀黄硬质合金刀具, TiN 金黄色装饰薄膜、半导体硅单晶,砷化镓晶体、超纯多晶硅锭块、白炭黑高强度增强橡胶填充剂粉末、众多的纳米颗粒、纳米线和纳米管,低压人造金刚石克拉钻以及今年获得诺奖的石墨烯等的具体应用都和 CVD 技术密切有关。真是前途无量!
个人分类: 科学发展|4332 次阅读|1 个评论
一幕悲剧再度上演
pinjianlu 2009-6-28 15:30
最近市场上出现了一种叫做EVD的东西,这让我想起了十年前的SVCD、CVD。 当初的SVCD、CVD也是为了要和老外的DVD竞争低端市场,国人自己推出的标准。可是当DVD的价格降下来的时候,DVD成为了趋势,SVCD、CVD就消失于市场上了。而如今悲剧又再度上演,为了要和老外的蓝光DVD竞争低端市场,国人又推出了自己的标准EVD(Extended DVD)。 虽然价格便宜,但是可以想一下,十年前,SVCD、CVD出现在市场上,是因为DVD的播放机很贵,但片子还大多数是VCD的时候,支持SVCD、CVD的播放机也是靠着低廉的价格才能生存,可是软件市场匮乏,市面上基本上看不到有SVCD、CVD的碟子卖,除了一些盗版市场。可是实践证明了仅仅靠低廉的价格为卖点的东西是不太可能取胜的。 如今的这一幕和十年前是如此的相似,蓝光DVD太贵,软件基本上看不到的时候,离蓝光流行的时间还有点儿远的机遇下,国人又推出了一套不太可能成为未来趋势的EVD。在夹缝中生存,但是失败还是不可避免的。 市场竞争证明了:一味靠走低端路线的商品取得胜利的可能性不太大,仅靠低廉的价格也不是一种好的策略,质量和信誉才是企业成功的法宝,也是一个国家走向真正强大的制胜之道。
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转载:大规模生产低成本石墨烯的方法
热度 1 zxc508 2009-5-17 17:31
图为韩国科学家最新制备出的石墨烯薄膜。这一工作使得大规模生产低成本的柔性石墨烯电子产品成为可能。 自2004年石墨烯这一材料被发现以来,有关研究和新闻就未曾间断。 石墨烯的应用范围很广,从柔性电子产品到智能服装,从可折叠显示器到有机太阳能电池,甚至未来的太空电梯都可以以石墨烯为原料。 2008年8月,美国科学家证实,石墨烯是目前已知世界上强度最高的材料。 然而,迄今为止,如何制备大尺寸、高质量的石墨烯薄膜仍旧是一个有待解决的难题。 据《纽约时报》近日报道,韩国科学家在制备大尺寸、高质量的石墨烯薄膜方面取得了重大突破。 韩国研究人员近日发现了一种制备大尺寸石墨烯薄膜的方法。这种石墨烯薄膜不仅具备高硬度和高拉伸强度,其电学特性也是现有材料中最好的。这些单原子层厚的碳薄片是非常有前途的材料,可以用来制造平板显示器所必需的柔性、超薄电极和晶体管。另外,石墨烯还可以制作可折叠的有机发光二极管(OLED)显示器和有机太阳能电池。 据悉,由韩国成均馆大学和三星先进技术研究院的研究人员制备出的这种最新石墨烯薄膜有1厘米厚,透光率达80%;在弯曲或延展过程中,它不仅不会断裂,其电学特性也不会有任何改变。 到目前为止,也有其他科学家用更简单的方法制备过大尺寸的石墨烯薄膜,但是这些新制备出的薄膜的导电性能是它们的30倍。而且,这些薄膜很容易转移到不同的衬底上。我们已经证实石墨烯是具备高拉伸强度、透明的最佳电子材料之一。领导这一工作的韩国科学家Byung Hee Hong教授表示。他们的这一成果已于1月14日发表在英国《自然》杂志网络版上。 石墨烯是一种优良的导体。它的电子传输速度要比硅快数十倍。它能够在显示器、有机太阳能电池、触摸屏生产中替代传统上采用的脆弱的铟锡氧化物(ITO)电极。石墨烯晶体管也能够替代硅薄膜晶体管,后者不仅不透光,而且难于在塑料上生长。 制作高质量石墨烯微小薄片的最简单的办法是从石墨上剥离石墨烯层。石墨是由许多层的石墨烯组成的。2008年,美国罗格斯大学材料科学与工程系教授Manish Chhowalla领导的研究小组设计了一种在实际应用时制备厘米级石墨烯薄膜的方法。这些研究人员将氧化石墨融于水中,制造出独立的氧化石墨烯片,这些石墨烯片沉淀在可弯曲的衬底顶部。 与他们不同,韩国研究人员使用了一种名为化学气相沉积的方法。首先,他们在硅衬底上添加一层300纳米厚的镍。然后,他们在1000摄氏度的甲烷中加热这一物质,再将它迅速降至室内温度。这一过程能够在镍层的上部沉积出6或10层石墨烯。用制作镍层图形的方式,研究人员能够制备出图形化的石墨烯薄膜。 此外,美国麻省理工学院电子工程系教授Jing Kong也正在研究用类似的方法制备石墨烯薄片。但是,韩国研究者的工作已经更进了一步,他们在把这些薄膜转移到柔性衬底上的同时不损坏薄膜的质量。这种转移可以用如下的两种方法实现:一是把镍用溶剂腐蚀掉以使石墨烯薄膜漂浮在溶液表面,进而把石墨烯转移到任何所需的衬底上;另外一种更简单的方法就是用橡皮图章式的技术转移薄膜。 美国哥伦比亚大学物理系教授Philip Kim是新论文的作者之一。他表示,化学气相沉积方法是制备大尺寸、高质量石墨烯的最省钱方法之一,可以与现有的半导体制造工艺兼容。现在,研究人员已能够制备4英寸厚的薄片。不过,Byung Hee Hong表示,他们能够很轻松地升级尺寸的规模。 与此前科学家们在这一领域所取得的成果相比,新的石墨烯薄膜缺陷更少。Byung Hee Hong认为,这是他们的薄膜导电性能提高30倍、迁移率提高20倍的原因所在。这些薄膜的导电性能对于小尺寸液晶显示器和触摸式显示器的一些入门级应用来说已经足够了。美国加州大学洛杉矶分校材料科学与工程系教授Yang Yang认为:如果要想在有机太阳能电池和OLED产品中替代ITO,其导电性能还需要提高10倍。 除了石墨烯之外,其他许多材料也被认为可以制作透光、可弯曲的电子产品。碳纳米管就是其中强有力的竞争者之一。例如,研究人员在制作可弯曲的纳米管半导体器件方面已经取得进展。美国Unidym公司宣布,其使用碳纳米管涂层塑料薄膜而不是ITO涂层的显示器很快就会上市。 还有研究者正在用氧化铟涂层或氧化锌、氧化铟纳米线的方法制造可弯曲、透光的半导体器件。与此同时,密歇根大学的研究人员还用由非常细的金属线组成的栅格制作透光的半导体器件。 石墨烯的优点在于它优越的强度和很高的迁移率(预计是纳米管的两倍)。莱斯大学石墨烯研究人员Tao He表示,新薄膜的导电性能和迁移率给人留下了很深的印象。我还没有见到任何与此相似或者可以与之媲美的工作,他说,这项工作使得大规模生产低成本的柔性石墨烯电子产品成为可能。(来源: 科学时报 计红梅) (《自然》( Nature ),doi:10.1038/nature07719,Jae-Young Choi,Byung Hee Hong)
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