张永和离子共价论应用 (15) 张永和路易士酸强度 导出晶体性能关系式 法国波德大学 C ． MARCEL 等和法国国家实验室 S.Y.HUUANG 等基于《张永和路易士酸强度》推导出晶体掺和元素的分散截面关系式 :LSn 4+ /LGe 4+ QGe 4+ /QSn 4+ 论文说 : 我们最近曾表示 ，一个理想的晶体掺和阳离子必须具有低的电负性、小的离子半径以及较高的有效核电荷。一个较高的 Z * /r 2 值 将会强烈地激化氧的 2p6 电子云。因此其对核电荷的屏蔽如同一个分散中心的弱化作用一样。一个电负性低的掺和阳离子将起着弱化的导电带电子和掺和阳离子的相互作用。张永和建立了路易士阳离子强度 L 、电负性和 Z * /r 2 L = Z * /r 2 7.7X + 8.0 (1) 在此情况下，掺和阳离子的高 L 值意味着减小与导电带电子有关联的阳离子的分散效应（因此减小分散截面）。因此，主导迁移率的因素是将电子从给予中心分散。较高（较低）的迁移率将发生于与较高（较低）的 L 值掺和的元素的半导体。按此准则 Ge 4+ 作为 ITO （部分或全部取代 Sn 4+ ）的掺和元素，能诱导迁移率的增强，依张永和关系式 ： L Ge 4+ = 3.06 L Sn 4+ = 1.62 (2) 最后，我们得出： QGe 4+ /QSn 4+ = 0.55 (3) 有趣的是上式所得数值与张永和路易士阳离子强度的比率非常接近 ： L Sn 4+ /L Ge 4+ = 0.53 (4) 由此，得出了，掺和离子的分散截面与张永和路易士阳离子强度的关系： LSn 4+ /LGe 4+ QGe 4+ /QSn 4+ (5) 似乎可以这样说，当迁移率的取决因素是从离子给与中心分散电子时， L 与 Q 成反比。这一关系也同样可以运用于其他离子性较强的氧化物。 C. Marcel, J. Salardenne, S. Y. Huuang, G. Campet, and J. Portier, Active and Passive Elec.Comp.1997, Vol. 19, 217-223 S. J. Wen, G. Campet, J. Portier and J. Goodenough Mat.Science and Eng. , 1992, B. 14, 115. G. Campet, S. D. Han, S. J.Wen, J. P. Manaud, J. Portier, Y. Xu and J. Salardenne, Mat. Sci. and Eng. , B (accepted for publication 1995). S. J. Wen, doctoral thesis, University of Bordeaux I, 1992. Y. Zhang. Inorg. Chem., 1982, 21, 3886 ， 3889.
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