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相关日志

断键与非健12:纳米半导体禁带宽度的变温和变尺度调制
ecqsun 2011-11-3 13:11
断键与非健12:纳米半导体禁带宽度的变温和变尺度调制
BOLS 理论与实验结果一致证实: 1 晶体势对波函数的积分决定禁带宽度; 2 晶体势在平衡时其谷点对应单键能; 3 单键能的任何变化会直接作用于禁带宽度; 4 低配位原子间的键短且强,从而使禁带展宽; 5 纳米结构表层原子键序降低; 6 低配位原子比例随尺寸减小而增大; 7 禁带展宽是由表层低配位原子间的强相互作用或表层应变和能量限域钉扎决定而不是体限域效应; 8升温使键变弱,禁带变窄; 9理论拟合可求得德拜温度和单原子结合能。 Band Gap Modulation of the IV, III-V, and II-VI Semiconductors by Controlling the Solid Size and Dimension and the Temperature of Operation http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp209933v
个人分类: 断键非键|4880 次阅读|0 个评论
石墨烯之魂9: 类金属与类半导体特性及机制
ecqsun 2011-10-11 23:12
石墨烯之魂9: 类金属与类半导体特性及机制
1 扶手椅型边界显类半导体态:近距悬键电子间准双键形成 2 锯齿型边界显类金属态:等距悬键电子的孤立与极化(狄拉克-费米极化子) 3狄拉克-费米极化子处于费米能级形成杂质态-高群速度,低有效质量,非零自旋,高迁移率,等 4 边界处键相对短且强,导致局域致密钉扎,从而极化近邻的孤立悬键电子。 5 断键导致的局域量子钉扎与极化实为起因。 Dominance of Broken Bonds and Unpaired Nonbonding π-Electrons in the Band Gap Expansion and Edge States Generation in Graphene Nanoribbons http://www3.ntu.edu.sg/home/ecqsun/rtf/JPCC-NGR.pdf Graphene nanoribbon band-gap expansion: Broken-bond-induced edge strain and quantum entrapment http://www3.ntu.edu.sg/home/ecqsun/RTF/Nanoscale-GNR-Eg.pdf
个人分类: 石墨烯|3922 次阅读|0 个评论
发个牢骚,申请博士后,感慨职位太少,给钱的不多
zxc508 2011-10-4 20:16
工作二年来,越来越感觉到自己的瓶颈,特别是实验室现在朝着纳米器件方向发展。给我们实验室打个广告,我们实验室现在拥有从样品制备,到结构表征,再到性能测试的充为完备的仪器。制备设备有高温炉(2000度),微波炉,微波水热炉,管式炉。表征和性能设备有:TEM(JEOL 2100F), SEM(S-4800), AFM(vecco multimold 5), PL光谱,场发射测装置, HE-Ga 325nm的激光,半导体参数系统,及即将采购的四探针和拉曼。 随着设备的完善和工作的初步展开,越来越发现自己的不足,得走出去学习一下。特别是加强在器件方面的学习。因此有了想出去学习的想法。 感兴趣的方向为:基于纳米线器件的研究。期待加入能开展此方向的实验室,共同学习。也期待国内的研究组能来我们实验室参观,共同合作。 今天一口气,又投了5份简历,继续努力。 附文章续表:
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想到哪写到哪
热度 1 mruniverse 2011-9-7 21:21
前几天两个学生来找我,没其他事,就是聊聊天。他俩是我上课班级的本科生,刚升大四,整准备考研。看的出他俩有些迷茫。除了他们俩,我也跟他们班其他的同学交流过。比较上进的学生普遍的感觉是感觉大学没学到东西,对未来比较迷茫。在这学期开始的第一节课,(我是专业课老师,他们这学期的第一节课就是我上的)我问学生们当初为什么选这个专业,对这个专业有什么认识?几个人回答下来,选择时基本是听说这个很新,前景应该很好。三年下来对这个专业的认识却几乎为零。没人能说出了个一二三四来。但都感觉没学到东西,认为学的好像没啥用。 我所在的是太阳能光伏学院,这个专业非常新。我们南昌大学是全国第一个开设这个方向的。由于这个专业的特殊性,所以针对学生开设的基础课程的面很宽,既有材料类的,又有半导体类的。有了广泛的基础,在专业课的学习和对一些问题的看待上才能深入。所以学生们虽然大学已经三年,但光伏方向的课程却没上过,直到大四上学期才集中开设了光伏的专业课程和实验。虽然所开设的课程足以让他们对专业的认识有足够的广度和深度,但由于过于集中在大四,所以学生们从前几年课程教学上未能对本专业领域有所了解。这也是当时教学计划制定时的不够周全(毕竟以前未有相关的参考),后面的教学大纲则进行了修改,在学生的更早阶段就开始逐渐深入的开展各类专业课程,这个问题也就解决了。 在这里我感慨的其实不是这个事情,而是学生们的学习自主性。入学三年,竟普遍不知所要学习的专业是怎么一回事。除了学校的教学安排的不到位,我想学生们的学习的主动性也是非常需要进行提高的。大学不是初高中,除了课程教学时间,大部分时间是很自由的。但学生们没有把这个当成是让他们自主学习提高的,都用来玩去了。空耗了这“青葱岁月”。 不知学生们入学时是否有类似于提醒他们大学阶段应该如何度过的课程或者讲座,我想这个对他们以后的影响可能比马邓毛概重要的多。恩,也应该开展一些专业介绍的讲座,使学生们最自己将要学习和从事的领域有一定的认识,从而参数兴趣和自豪感。
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腾讯与360之争
whyhoo 2011-8-8 10:59
这两天腾讯与360之争在网络上闹的沸沸扬扬,实际上两个公司的产品定位并不相同.腾讯做的是及时通讯产品,360做的是网络安全产品.为什么会出现这种恶性竞争,甚至最终会导致两败俱伤的局面?在汽车行业,奔驰和宝马,本田和丰田;在半导体行业,Intel和AMD做的是同类产品,为什么这些公司就能一直保持良性竞争而共同发展?中国互联网行业显然还处在低级阶段,有些公司贪大求全,它们不是去想着如何进一步提高自身产品质量,而是想着去排挤竞争伙伴,争取垄断地位,牟取更多自身利益!在IT行业,微软一直想在搜索引擎领域占得一席之地,但其与Google却一直保持良好的竞争态势,结果是两大公司的搜索产品都有着更大的改进!为什么中国诞生不出一些世界级的大公司?我觉得一个重要原因是它们的眼界太狭隘了,它们只盯着自己身边的地盘,而不去想着走出国门,参与世界竞争!腾讯QQ有没有勇气去与微软的MSN一较高下?百度与Google,华为与Cisco在海外市场展开了正面竞争,而腾讯则应该学习百度与华为,去与微软正面竞争!希望马化腾就此罢手,放眼世界,去参与国际竞争!
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软性显示技术前景(110720)
热度 8 ymin 2011-7-20 08:03
软性显示技术前景(110720) 闵应骅 最近参加基金委重点课题半导体学科项目评审,学到了很多东西。从项目申请的情况看,显示技术受到很大关注。事实上,现在满街的好几层楼高的大电子显示屏已经说明,这是一个多么大的市场。粗看一个iPad,就只看见一个显示器。所以,无论从市场、技术的角度讲,显示技术都有极大的市场和技术前景。 在上世纪50年代,最早在示波器上出现了显示器。到今天,各种计算机的显示器都比较重、容易破碎,即使在最薄的笔记本电脑中,显示屏仍然是最重的部件,体积也最大。显示器的形状是长方形、平板、不能弯曲。现在的趋势是要比液晶显示(LCD)更亮、更耐用、更软、可折叠。同时要提高电源的有效性,降低生产成本,显示器的形状和大小可变,像电子纸,折一下可以装在兜里,打开就可以显示。这就是为什么要软性显示。 软性显示器必须有两面:前平面包含图像成分;而后平面控制各像素的显示。美国已经有一些公司在做开发,甚至已有一些走向市场。受到很大关注的前平面技术是有机发光二极管(OLED)。它本身发光,而不是反射光。亚利桑那州立大学教授Nick Colaneri(见下图,CACM,June 2011)说,OLED的电源消耗只要LCD的1/10.但是,OLED材料容易氧化和受潮。从市场的角度讲,电子纸或OLED需要不同的底色;不在太阳下,亮度可以降低。这些要求都需要不同材料和技术的支持。有人估计,软塑料显示市场现在每年3亿美元,到2018年将达到80亿,年增速达到60%,但仍不会是显示器的主流。 软性显示有许多实际问题。譬如对薄膜晶体管(TFT)怎么制备软性衬底?而且,在不同温度下可能变形。软性显示还有严重的定位的问题。有的厂家企图用卷到卷工序 (roll-to-roll process)代替光刻,进行精确定位。HP与美国军方合作在做围在手腕上的显示器,只有1.5毫米厚,一半是显示,一半是光电池。它还可以做到衣服的袖口上,给司机看;给飞机组装工人看图纸;给护士看药物或观察病人,都可以腾出手来。HP将用电子墨水的电子纸,在一个极薄的塑料衬底上,而不用OLED。 这些技术进步是诱人的。但是,这些技术需要基础研究的支持,在材料、结构、工艺等许多方面都有基础科学问题,需要研究。我们的基础研究绝不是写几篇论文的问题,而是要给产品开发提供技术支持,使我们的技术有原创性,而不是单纯地跟踪。
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[转载]温家宝文章:关于科技工作的几个问题(3)
kongfj 2011-7-16 21:23
三、加强基础研究和前沿研究   基础和前沿研究是人类认识客观世界基本规律的科学活动,是新知识的源泉,是新技术、新发明的先导,一旦取得重大突破,往往会催生新的科技革命,以至推动人类社会发生变革。当代基础和前沿研究,其深度和广度日益拓展,学科分化与交融并进,先导性更加显著,与技术创新的关系更加密切。 20 世纪以来,引发人类经济和社会发生翻天覆地变化的新兴产业,几乎毫无例外地与科学上的重大突破紧密相关。例如,量子论和相对论促成了半导体、微电子集成电路技术、信息技术、激光技术以及核能源和核技术的发展; DNA 作为遗传信息载体及其双螺旋结构的阐明,奠定了遗传工程和现代生物技术的基础。当代技术革命的成果主要来自基础研究的开拓。根据有关资料,美国企业申请专利的科学基础 70% 以上来自政府支持的基础研究,每一项新技术专利平均涉及两篇基础研究论文。   作为一个大国,我们必须有自己的基础研究和前沿研究。没有基础和前沿领域的原始创新,自主创新就没有根基。在激烈的国际竞争中,花钱可以买来产品,但买不来核心技术,高技术含量的设备也买不来。原始创新是我国科技发展的灵魂,是民族发展的不竭动力,是支撑国家崛起的筋骨。   党和国家一直高度重视基础和前沿研究。从新中国成立初期,周恩来总理、聂荣臻元帅等老一辈革命家亲自领导和参与制定的 “ 十二年科技规划 ” ,到改革开放后对科技发展进行前瞻性部署,实施 “863” 、 “973” 等科技发展计划,实施知识创新工程,再到制定实施国家中长期科技发展规划纲要,党中央、国务院一直十分重视基础研究和前沿研究,对一系列领域进行了超前部署,相关领域的研究不断向前推进。从 1986 年开始设立的国家自然科学基金,主要用于支持基础和前沿研究。近年来中央财政投入一直在快速增加。基金设立之初为 8000 万元, 2006 年为 36.2 亿元, 2010 年增加到 103.7 亿元。 “ 十一五 ” 期间年均增加 30% 以上。   但总体上看,我国在基础研究和前沿技术方面与世界先进水平的差距仍然较大。主要表现为:原始创新能力不足,在可能发生科技革命的重要方向上,基本上处于前沿跟踪水平,真正由我国科学家率先提出和开拓的新问题、新理论和新方向很少;关键核心技术仍受制于人,许多重要产业技术对外依存度高,先导性战略高技术薄弱,直接影响产业结构升级、战略性新兴产业发展和国家安全。随着我国经济快速发展和产业结构升级,基础与战略前沿研究积累不够、能力不强的问题逐步显现,这些问题如果不抓紧解决,将成为制约我国长远发展的新瓶颈。   对基础和前沿研究,必须进一步予以重视和加强,同时要从国情国力出发,坚持有所为、有所不为。一要着眼于科学前沿和国家战略需求,紧紧把握可能发生革命性变革的重要研究方向,选择具有一定基础和优势、对国家发展具有全局和长远影响的关键领域,有效组织力量开展攻关,力争在科学上取得原创性突破。近年来国际上在基础和前沿领域出现了一些新动向,展示了一些新前景。例如,在物质科学领域,宇宙暗物质和暗能量研究探索,很可能像牛顿发现万有引力、爱因斯坦提出相对论一样,引发新的物理学革命;对量子调控的研究和突破,可能引发信息、能源、材料等技术的革命性变革。在生命科学领域,对生命起源和进化的探索,开辟了合成生物学这一新领域,打开了从非生命化学物质向生命物质转化的大门,可能引发人类健康、生物经济和资源环境领域的产业革命,等等。在原有部署基础上,我们还要重点加强哪些领域、怎么调整部署,应尽快根据新情况组织论证,进一步明确重点领域和主攻方向。二要加大对基础和前沿研究的支持力度,提高基础和前沿研究投入占科技投入的比重。基础与前沿研究具有周期长、风险大、难度高的特点,需要长期潜心研究、持续攻关。国家财政要对基础和前沿研究提供长期稳定支持,保障研究的连续性、稳定性。三要依托高水平国家科研机构和研究型大学,建设一批多学科综合交叉的科学研究中心,稳定支持和培养造就一批创新能力强、潜心研究的优秀人才和团队,提高我国基础和前沿研究能力。四要改革评价体系,为从事基础和前沿研究的科研人员营造一个能充分发挥自主性创造性、长期潜心研究的环境。并通过稳定支持,提高他们的收入,不断改善他们的生活和工作条件。
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不要太迷信构造, 要紧的是机能
liwei999 2011-7-3 15:10
小扣同志,佩服您的“毅力”和“信念”。 虹桥科教论坛 送交者: mirror 于 2007-08-17 00:48:41 回答: 老镜,新的学习材料来了 --牛顿的镜子 由 covet 于 2007-08-16 03:33:15 不要太迷信构造(结构)。要紧的是机能--以及电子的行踪和行为。历史的经验值得注意。当物理学家们玩到自旋的时候,其它行业就应该玩电荷了。从半导体成功的经验看,了解机能最重要的工作是了解相关的电子构造,而不是单纯的分子构造(晶体构造)。最简单的能带理论之所以能够奏效,根本原因是因为抓住了问题的本质。 并没有要知道电子结构必须要先知道物质构造的道理。如果认为用x射线激光可以看到有意义的分子结构的话,用电镜看就是了。成像问题上,x射线比电子显微术没有绝对意义上的任何优势。唯一的优势在于可透视(=非破坏),而到了x射线激光的时候,这两个优势就都不存在了。 搞x射线激光的道理根本就不在于物质的结构分析,而在于实现这样高能量密度的物理状态,一个可以达到核聚变条件的状态。 忽悠大项目的理由在于忽悠大预算。其动机根本就不是来自科学探索本身的要求。 小扣同志,镜某可以“语重心长”地讲:不要太看重房子(架子结构),而要看重里面居住的人(电子的运动=给予)。半导体电子学的成功就在于懂得了这个道理。而对晶体结构的分析不过是理解电子运动的一个技术手段。遗憾的是玩蛋白结构的人并不理解这一点,以为是物质构造决定了性能,简直就是“不可理喻”。告诉您一个简单的事例:金属铅变成超导体的时候,物质结构层上没有发生任何变化。是电子运动的世界里面出现了新的局面!!!!! 不要对一般人忽悠理解生命、治病救人、导弹治癌等等不着边际的话。不能利用人们想多活几年的愿望来忽悠大众。
个人分类: 镜子大全|2337 次阅读|0 个评论
彼LED之照明兮 虽旺炽而有瑕
hitech 2011-6-29 16:00
彼LED之照明兮 虽旺炽而有瑕
人类使用电力“生产”光明的尝试从 19 世纪就开始了。 19 世纪中期的一项发明采用的思路是在真空玻璃泡内使用炭丝通过电流将其加热到白炽状态而发光。由于当时的技术水平限制,直到 1879 年才由爱迪生研制成功了第一个具有实用价值的白炽灯泡,并于 1880 年在新泽西设厂投入工业化批量生产。从此电灯开始进入千家万户的生活,照亮了从家庭厨房、餐厅、卧室到商场、马路、车站的各个角落,大大扩展了人们的活动范围。今天我们熟悉的通用电气、飞利浦、欧司朗和松下等公司都有生产白炽灯的漫长历史并且现在还在生产。白炽灯仍然是最便宜、使用最广泛的光源。 130 年前进入人们生活的白炽灯泡标志着电力作为二次能源取代了煤炭和石油成为人们再也离不开的新型能源,它清洁、方便、安全、可靠,随着更多的电器被发明出来并得到应用,电力就像空气和水一样成为每个人生活中不可或缺但又熟视无睹的资源。在这期间,越来越多的照明需求耗费了大量的电能,其中的绝大部分都是以热量的形式白白散发掉了。 令人惊叹的是从灯泡被发明出来到现在的 100 多年时间里,白炽灯的发光原理和结构基本没有发生根本性变化。技术和工艺的进步(例如卤素灯)使灯泡的发光效率有了不小的进步,寿命也从最初的几十个小时提高到了 1000 多个小时,但是在能源供应日益紧张、环境压力越来越大的当代,白炽灯总体发光效率低下(仅为 10 ~ 14lm/W ),耗费大量能源的问题开始受到越来越多的诟病。中国的照明用电量约占全社会用电量的 12% ,超过 4300 亿千瓦时,如果把全国的白炽灯全部更换成节能灯具, 1 年可以节电 480 多亿千瓦时。不少发达国家已经制定政策从现在开始,在未来几年内停止白炽灯泡的生产和销售,大力推广高效节能的新型光源。 诞生于 1938 年的萤光灯是另一种被广泛使用的光源,与白炽灯相比它的发光效率要高出很多。当前萤光灯管的发光效率可以达到 70lm/W 或者更高。萤光灯的另外一个显而易见的好处是能提供更大的照明范围,并且光线投射均匀,使用寿命更是长达 5000 ~ 10000 小时,所以现代萤光灯不仅适合家庭照明环境,还特别适合公共场所(办公室、商场、车站等等)的室内照明。紧凑型荧光灯也就是我们通常说的节能灯,它结合了萤光灯的高效与白炽灯小巧方便的优势,耗电量只有白炽灯的 1/5 而寿命则要长得多,是技术上成熟、经济上可行的白炽灯替代品。 人类持续改进光源和寻求高效能新光源的努力, 100 多年以来始终没有停止过。 1962 年通用电气公司的尼克·何伦亚克( Nick Holonyak Jr. )开发出第一支实用的可见光发光二极管( LED )。经过将近 50 年的发展, LED 从性能上取得了巨大的进步并得到广泛的应用,因为这种半导体发光器件的各种优良的特性──细小的体积、微小的能耗、性能稳定、工作寿命长、发热量少,几乎所有电子电器设备需要发光的部件都离不开 LED ──各种液晶显示器的背光照明、电子设备的信号指示、 LED 点阵组成的大屏幕、室内外的装饰灯光等等。不夸张地说, LED 是应用最广泛的发光器件。 LED 进入照明领域是在 1990 年代后期,随着白光 LED 技术研发取得突破以及发光效率不断提升,市场上已经出现发光效率 100 ~ 200lm/W 的 LED 产品,日本厂商日亚化工( Nichia )在实验室实现了高达每瓦 249 流明发光效率的 LED ,代表了当前的最高水平。技术上的进步使得 LED 灯具开始小规模进入市场,包括直接替换白炽灯泡和日光灯管的产品已经能够商用。做为充满潜力的新型高效光源, LED 被提到了战略产业的高度。在节能减排的大背景下,国家对 LED 照明产业在政策和资金方面给予了大力支持,大量的企业和投资涌入 LED 相关行业,不少地方都建立了 LED 产业基地,纷纷抢占这个新兴行业的先发位置,这在很大程度上促进了 LED 照明产品的研发和应用。但是应该看到在行业火热的背后市场对 LED 照明产品的谨慎态度。虽然大家普遍看好 LED 照明的应用前景,目前的技术水平生产出来的产品离大规模的推广应用还有一段距离。 首先,做为新型节能环保光源,与成熟的萤光节能灯( CFL )相比当前的 LED 照明产品在效率方面还没有足够的优势。 CFL 以 5 倍于白炽灯泡的发光效率已经被市场广泛接受, LED 照明如果还是以白炽灯作为替换对象的话,远不及 CFL 易于普及。 其次, LED 灯具的价格远远高于白炽灯乃至 CFL ,市场接受度差。一只飞利浦 12W 的高质量 LED 灯在美国市场售价 40 ~ 50 美元,相当于 CFL 的 5 ~ 8 倍。在国内市场上,即便一个不知名小厂生产的 LED 灯泡,且不论品质是否有保证,也要卖几十元。相比之下,消费者更会毫不犹豫地选择成熟的 CFL 产品。 第三, LED 照明需要时间的检验,这需要 5 ~ 10 年的时间。 LED 有高效和长寿命的优点,但是在照明灯具领域还没有经过长时间的检验,对于 LED 灯是否能长期保持照明效果、达到预期的使用寿命、在使用中会出现什么问题?不仅用户不清楚,恐怕很多厂家心里也没底吧。 CFL 的普及从 90 年代到现在经历了十几年的时间,这期间产品的整体品质不断提高、价格逐步降低,再加上国家近几年对节能灯的大力补贴,终于使 CFL 成为市场的主流产品。所以 LED 照明产品被市场接受不可能是一蹴而就的,它将是一个在技术上持续提高、用户对它的认知在使用中循序渐进的长期过程。 第四, LED 照明技术远未达到已臻完善的程度。从发光效率、光线舒适度、散热控制、大功率器件、灯具形式、生产成本等各个方面 LED 行业还有大量的工作要做, LED 技术还有巨大的潜力有待发掘。在表面的繁荣如浮云般掠过之后,需要致力于 LED 照明的企业家和科技工作者潜心经营和踏实研发。 LED 照明行业的兴起在于这项技术本身蕴含着广阔的应用前景和巨大商机,我们希望 LED 灯不仅是现有光源的低能耗替换产品,更期待它能带来新的使用体验。萤光灯管的出现使我们用上了照明范围更大、更均匀的线状光源, LED 微小的发光颗粒给人类带来了不同以往的照明产品:它可以制成点状、线状、面状或者异型的产品,可以同时作为信息显示设备,随时为公众提供所需要的信息。我们有理由相信,在 LED 播洒的光明之下,人类的生活将更加多姿多彩。
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无损检测系统:应用于MEMS、IC等半导体行业
coofish 2011-6-16 20:51
Ding-Tek NDI:无损检测系统 Nondestructive Inspection System 帮助确定首次失效的现象和位置 鼎曜科技有限公司(Ding-Tek Limited) 你最好的合作伙伴 提供失效分析的整体解决方案 Ding-Tek NDI是一款操作简单的光学成像系统,拥有最高的光学性能和清洁度,同时该系统最大限度保证仪器安全并符合人体工程学,操作简便快捷,因此可以长时间专注操作而不生产疲劳。 Ding-Tek NDI使用砷化铟镓高灵敏度红外照相机组成高性能的显微镜系统,为 MEMS 和IC等半导体行业提供一个新的设计理念。Ding-Tek NDI相机主要特点:波长范围从900nm到1700nm;图像分辨率可提高到640×512pixels。 无损检测系统的规格 1、探测器 红外探测器,分辨率增强至640×480 pixels 像素采集率:大于90% QE AT 1000nm大于50% 强度分辨率:12位 2、近红外显微镜 目镜:10倍 近红外镜头:5倍,20倍,50倍 可调式红外光源:最大100W 焦距可调整范围:范围50毫米 分辨率5μm 3、定制样品夹具 范围:200mm/300mm X/Y 分辨率:<5μm 4、防振屏 5、可选部件 可选1 具备电动对焦模块的电动镜头更换器 可选2 半自动样品台(200mm或300mm) 可选3 晶圆柜 无损检测系统的功能 1、图像控制 2、尺寸测量 * 对齐位移测量 * 两点之间直线距离 * 厚度测量(可选) 3、电动工作台控制(可选) 4、机械手控制(可选) 5、客户定制控制(可选) 联系我们 王先生 电子邮件:wangyi#micro-nano.com(#换成@) 手机:13913037742
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[转载]简并和非简并半导体
jwl189 2011-6-12 09:20
简并(或者退化)系统 也就是表现出显著量子效应的量子系统,出现量子效应时的温度称为 简并温度(退化温度 )。相反,不呈现量子效应的系统就是 非简并系统。 (1)电子简并态的概念有三个方面的具体含义: ① 具有相同能量的多个态,即为简并状态(简并态)。例如Si半导体的价带顶附近处,轻空穴带和重空穴带重叠——简并,则有的轻空穴态与重空穴态具有相同的能量,它们就是简并态。 ② 电子状态的简并,从本质上来说,也就意味着是量子效应起作用的情况;同时,这也就意味着是需要考虑泡里不相容原理限制的情况。 ③ 从电子按能量的分布来说,简并载流子遵从F-D分布函数,而非简并载流子遵从B-E分布函数。这是量子效应的直接结果。因此对于非简并载流子可以简单地采用经典统计分布函数来讨论,但是对于简并载流子则必须采用复杂的量子统计分布函数来讨论。其中载流子遵从经典的Boltzmann统计分布的半导体就是非简并半导体。 对于导电的载流子——自由的电子和空穴,简并状态的概念也同样适用。 具有简并状态的载流子就是简并载流子,相应的材料即为简并材料。 所有金属中载流子的状态就具有以上三个方面的含义,因此其中的载流子都是简并载流子,从而金属也就必然是简并材料。 与简并态相反意义的状态,就是所谓非简并状态,相应的载流子和材料就是非简并载流子和非简并材料。 (2)半导体简并化的条件: 对于半导体,其中的载流子在以下三种情况下容易出现简并: ① 载流子浓度很高 。半导体中的载流子浓度越大,则当电子只占据导带底附近的一些能级、空穴只占据价带顶附近的一些能级时,就需要考虑泡里不相容原理的限制,即必须认为这些载流子应该遵从量子的统计分布——F-D分布; 一是掺杂浓度较低,半导体中的载流子浓度不大,则电子只占据导带底附近的一些能级,空穴只占据价带顶附近的一些能级,不需要考虑泡里不相容原理的限制,即可认为这些载流子遵从经典的统计分布;例如n型半导体,当掺杂浓度很高时,导带中的载流子——电子的浓度很大,不可能所有的电子都分布在最低的若干个能级上,这时就需要考虑泡里不相容原理的限制——一条能级上只能有自旋相反的两个电子。这时的电子就称为是简并载流子,相应的半导体就称为简并半导体。否则,当掺杂浓度很低时,电子数量不多,则不需要考虑泡里不相容原理的限制,则为非简并状态。 ② 温度较低 。 则载流子的能量相应的较大,载流子所能够占据的能级数目较多,这时即使半导体中有较多的载流子,但是这些载流子可以在许多能级中分布,所以也不需要考虑Pauli不相容原理的限制,因此也可以看成为经典的载流子。 这就是说,低掺杂的半导体和较高温度下的半导体,都可以认为是非简并半导体。 ③ 有效质量m*较小 。 载流子的有效质量m*较大,这种载流子的de Broglie波的波长l= h/(2m*E)1/2较短,波动性不明显,则可看成为经典的载流子,它们遵从经典的统计分布。 总之,在三个以上条件下,载流子即容易出现量子特性,这时的载流子就是 简并载流子 。 以简并载流子导电为主的半导体就是 简并半导体 ,否则,若是以非简并载流子导电为主的半导体就是 非简并半导体 。 前两种情况是可以人为控制的。所以, 低掺杂的半导体或者高温下的半导体,都将是非简并半导体 。
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[转载]vasp 与castep的区别
robin7777 2011-6-7 14:25
基本的原理差不多。有些算法有差别。 Castep: PW + Norm conserving PP or Ultrasoft PP vasp: PW + Ultrasoft PP or PAW potential -- vasp的pseudopotenital库要比castep的完整。 计算磁性vasp也要比castep的好,能处理好几种特殊的情况,比如: Non-collinear calculations 和spin orbit coupling vasp实现了L(S)DA+U或GGA+U, VASP还在MD方面的能力要比Castep强大的多,而且也好不逊色于CPMD。 (记得那个文献有提到说,vasp在对金属体系做MD要好于CPMD,在对半导体或绝缘体 体系做MD也与CPMD不相上下) Castep的一个好处,是实现在Material Studio中,建模和画图很方便。不过我也只用它 建模而以。鼠标点击,好像很容易入门。。 Castep能计算声子色散曲线(好像只能采用Norm conserving PP)。其实vasp也可以, 不过要结合其他的一个程序PHONON(名字好像是这个,可这个程序要money,只能下载到 demo版)。
个人分类: 科研软件学习|1 次阅读|0 个评论
[转载]半导体激子束缚能
jwl189 2011-5-23 20:55
 激子是固体中的一种基本的元激发,是由库仑互作用互相束缚着的电子-空穴对。半导体吸收一个光子之后,电子由价带跃迁至导带,但是电子由于库仑作用仍然和价带中的空穴联系在一起。   激子对描述半导体的光学特性有重要意义;自由激子束缚在杂质上形成束缚激子。激子束缚能大,说明自由激子容易和杂志结合形成发光中心。激子效应对半导体中的光吸收、发光、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响,并在半导体光电子器件的研究和开发中得到了重要的应用.与半导体体材料相比,在量子化的低维电子结构中,激子的束缚能要大得多,激子效应增强,而且在较高温度或在电场作用下更稳定。   在半导体吸收光谱中,本征的带间吸收过程是指半导体吸收一个光子后,在导带和价带同时产生一对自由的电子和空穴.但实际上除了在吸收带边以上产生连续谱吸收区以外,还可以观测到存在着分立的吸收谱线,这些谱线是由激子吸收引起的,其能谱结构与氢原子的吸收谱线非常类似.激子谱线的产生是由于当固体吸收光子时,电子虽已从价带激发到导带,但仍因库仑作用而和价带中留下的空穴联系在一起,形成了激子态.自由激子作为一个整体可以在半导体中运动.这种因静电库仑作用而束缚在一起的电子空穴对是一种电中性的、非导电性的电子激发态.   与氢原子一样,激子也具有相应的基态和激发态,但其能量状态与固体中的介电效应和电子空穴的有效质量有关.实际上,固体中的激子态可用类氢模型加以描述,并按此模型很好地估算出激子在带边下方分立能级的能态和电离能。   总的来说,宽禁带的半导体材料,激子束缚能较大,而激子玻尔半径则比较小.而禁带较窄的材料,其激子电离能较小,激子玻尔半径则较大。   激子效应对半导体中的物理过程和光学性质具有重要的影响.激子的吸收和复合直接影响半导体的光吸收和发光,而且,作为固体中的一种元激发,其状态与母体材料的电子能带性质和外场的作用紧密相关.此外,自由激子在半导体中可以受到杂质或缺陷中心在空间上的束缚,形成所谓的束缚激子。其吸收谱线能量位置略低于自由激子的吸收谱线.激子在电中性缺陷上的束缚过程大致可分为两种,它可以是一个自由激子整体地受到缺陷中心的束缚,也可以是一个电荷(电子或空穴)首先被缺陷的近程势所束缚,使缺陷中心荷电,然后再通过库仑互作用(远程势)束缚一个电荷相反的空穴或电子,形成束缚激子.束缚激子在半导体发光中有非常重要的地位.在间接带半导体材料中,由于动量选择定则的限制,材料的发光通常是很弱的,但如果存在束缚激子,其波函数在空间上是局域化的,因而发光跃迁的动量选择定则大大放松,无须声子参与就可能具有很大的发光跃迁几率.这样,间接带材料的发光效率将大大增强。   例如,在间接带Ⅲ-Ⅴ族半导体材料磷化镓(GaP)中,通过掺入Ⅴ族氮原子(或同时掺入能形成施主受主对的锌和氧),发光就可大大增强,其原因就是因为氮在晶格中代替磷位,是一种电中性的替位式等电子杂质.这种杂质中心由于其电负性与主晶格原子不同,原子尺寸不同等原因,在晶格中会产生作用距离较短的近程势,并使激子束缚在其位置附近形成束缚激子.实验上,在掺氮的GaP中已观测到单个氮原子以及成对氮原子所引起的很强的束缚激子发光.现在,这类掺杂方法已成为制造GaP和GaAsP等可见光发光二极管的基本工艺.   激子是由库仑作用结合在一起的电子空穴对,其稳定性取决于温度、电场、载流子浓度等因素.当样品温度较高时,激子谱线由于声子散射等原因而变宽.而当kT(k是玻尔兹曼常数)值接近或大于激子电离能时,激子会因热激发而发生分解.所以,在许多半导体材料中,只有低温下才能观测到清晰的激子发光,而当温度升高后,激子谱线会展宽,激子发光强度降低,以至发生淬灭.另外,在电场的作用下,电子和空穴分别向相反方向运动,因而当半导体处于电场作用下时,激子效应也将减弱,甚至由于电场离化而失效.而当样品中载流子浓度很大时,由于自由电荷对库仑场的屏蔽作用,激子也可能分解.这些影响激子稳定性的物理因素在光电器件应用中,可以作为对激子效应和相关的光学性质进行可控调制的有效手段.但对发光和激光器件来说,特别是对一些需要在室温下大浓度注入条件工作的器件来说,将产生一些不利的影响,使激子效应的应用受到限制.总的来说,当激子束缚能较大时,激子相对比较稳定.如在宽禁带半导体材料(如Ⅱ-Ⅵ族化合物材料和氮化物)以及下面要更详细讨论的半导体量子阱等低维结构中,激子束缚能一般比较大,即使在室温下,激子束缚能也比kT大许多,吸收光谱中能看到明显的激子吸收,激子效应不易淬灭,甚至已实现了以激子复合效应为主的激光器件.   在一些发光二极管和特殊发光器件的实际应用中,激子发光是一种重要的发光机制,特别是在一些间接带半导体材料和低维结构半导体材料制成的发光二极管中,激子发光跃迁被证明往往起着关键性的作用.例如用氮化物材料可制成篮绿光和紫外光发光二极管.众所周知,氮化物及其合金中一般缺陷浓度是很大的,但发光效率却很高,原因是受到局域化的激子有很高的复合几率,使得载流子在到达非辐射复合中心之前,就通过激子复合对发光作出贡献.人们认为, InGaN/GaN量子阱之所以发光效率很高,与InGaN中存在着组分分凝,甚至形成了量子点,激子发光得到加强有关。
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[转载]Abinit计算程序介绍
jwl189 2011-5-15 09:36
简介:ABINIT的主程序使用赝势和平面波,用密度泛函理论计算总能量,电荷密度,分子和周期性固体的电子结构,进行几何优化和分子动力学模拟,用TDDFT(对分子)或GW近似(多体微扰理论)计算激发态。此外还提供了大量的工具程序。程序的基组库包括了元素周期表1-109号所有元素。ABINIT适于固体物理,材料科学,化学和材料工程的研究,包括固体,分子,材料的表面,以及界面,如导体、半导体、绝缘体和金属。 功能: 可以计算很多物理属性: A. 计算倒格子中核与电子的总能量。 A.1. 计算使用平面波和赝势。 A.2. 总能量的计算使用密度泛函理论(DFT)。可以使用大多数重要的局域密度近似 (LDA),包括Perdew-Zunger近似。可以使用两种不同的局域自旋密度(LSD),包括Perdew Wang 92和M. Teter的LSD。还可以使用Perdew-Burke-Ernzerhof,revPBE,RPBE和HCTH等GGA (自旋极化和非极化)。 A.3. 自恰场计算生成DFT基态,以及相关的能量和密度。此后的非自恰计算可以对能带结构的大量k-点产生本征能量。态密度的计算即可以用四面体方法,也可以用模糊技术。 A.4. 程序可以使用多种不同的赝势。对整个周期表适用的有两种:Troullier-Martins型和Goedecker型(这种类型包括自旋-轨道耦合)。如果需要的话,有四个代码可以产生新的赝势。 A.5. 程序本身可以处理金属和绝缘体系。 A.6. 晶胞可以是正交或者非正交。计算可以输入任何对称性及相应的k-点集。 A.7. 电子体系可以用自旋极化和自旋非极化计算。一个特殊的选项可以有效地处理反铁磁性。可以对总能量计算非共线的磁性(不能用于力,张量,相应函数...)。可以禁止晶胞的总磁矩。 A.8. 总能量,力,张量和电子结构的计算可以考虑自旋-轨道耦合。 A.9. 能量可分解为不同的成分(局域势,XC,Hartree...)。 A.10. 计算内部电子本征值。 A.11. 230个空间群和1191个Shubnikov磁群的对称性分析。 B. 计算总能量和本征能量 B.1. 用解析公式计算Hellman-Feynman力。 B.2. 计算应力。 B.3. 极化的计算。 B.4. 响应的计算。 B.5. 计算近似的和准确的磁化系数矩阵和介电矩阵。 B.6. 解析计算电子本征能量的导数。 B.7. 计算光学传导性。 B.8. Born有效电荷的能带分解,以及局域化张量的计算。 C. 激发态 C.1. 用GW近似计算电离能和亲和能。 C.2. 用TDDFT计算原子和分子的(单重、三重)激发态和振荡强度。 D. 移动原子,改变晶胞参数 D.1. 用不同的方法寻找平衡构型。可以同时优化晶胞参数。优化过程中如果需要的话,可以固定指定的晶胞参数,角度,或原子位置。 D.2. 有两种算法进行分子动力学计算。 D.3. 自动分析键长键角。原子坐标的格式支持用可视化软件XMOL显示。 E. 分析和图形工具 E.1. 后期处理程序cut3d用于分析密度和势文件。它还可以改变文件格式,提取2D明面或者1D线。此外还可以分析波函文件。 E.2. 另一个后期处理程序aim,用于进行Bader的“原子中的分子”(AIM)密度分析。 E.3. 对可视化程序产生格式化数据:键结构(用XMGR显示),不同参数的总能量(用XMGR显示),电荷密度(3D轮廓线,先用cut3d,再用商业程序matlab;cut3d也可以产生2D密度图)。 E.4. 后期处理程序band2eps自动画出eps格式的声子散射曲线。
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实验室搬迁纪实---UCLA MBE Lab
balancewang 2011-5-12 15:25
实验室搬迁纪实---UCLA MBE Lab
实验室搬迁是个很浩大的工程,特别是大型精密仪器的拆迁,需要精心的策划和合理的安排。经过9天的努力,搬迁安装工作已基本完成,现在正好回顾一下,作为以后工作的参考,希望对别人也有点用处。 基本情况:原来3楼两个房间有3台固体源MBE(1台GaAs纳米线,1台GeMn稀磁半导体,1台拓扑绝缘体),需搬到一个大房间中(在另一栋楼的一层)。搬迁人员8个,其中有一个是请的MBE专家,另4个博士后加3学生。 老板要求必须在2个星期内全部恢复正常运行。时间紧,任务重!修博士1,2个月前就开始了初期的准备工作,包括实验室的设计,MBE摆放的具体位置,各种电源的需要,气路,水路怎么走等等,需要不停的跟相关人员(电工,水工,设备管理人员等)咨询讨论。这个前期准备至关重要,这项工作的好坏直接决定着搬迁是否能顺利进行。这点,修博士做了非常细致的工作,直接画出了新实验的平面设计图,并标出所有仪器摆放的位置尺寸,电源插头的位置,水电的接口位置,为这次圆满完成的搬迁工作奠定了坚实的基础。 有了全面细致的设计图,搬迁工作就有了核心。接下来就要详细的制定搬迁计划,那台先搬,那台后搬,怎么搬,设计好搬迁路线,详细列出搬迁所需要工具。根据新实验室的设计,GaAs那台在最里面,应先搬进去,然后是那台拓扑绝缘体的,最后是门口那台GeMn的。但拆仪器的工作可以同时进行,MBE专家临场指导。我,Liang,xinxin负责拓扑绝缘体的,发哥,xufeng负责GeMn的,Guan哥,jiapu负责GaAs的。其中GaAs和GeMn的MBE非常旧了,大概30年没有动了,线路混乱,工作量巨大。由于拓扑绝缘体MBE是去年5月份才开始搭建好的,没有太多变化,相对比较简单。我们先Vent整个MBE系统,卸载所有水路,等Vent好了后,我们就不停的卸载螺丝,当然这之前最重要的就是做标记,要拆的每根线标记号,要拆卸的每个法兰标记好,属于每个法兰的螺丝用手套装好,用胶布粘在旁边。专家说了,所有比较精密的部件都得卸下来,因为运输过程中难免有震动,当然最重要的莫过于各种Effusion Cell(固体源)。其他的则可以整体搬过去。整个MBE分成3大块,Chamber,transfer tube,power/control rack。所有卸下的窗口都要用铝箔纸密封好,卸下来的部件也要用铝箔纸包好。 我们搞定后,就帮其他2台MBE的拆卸。30年的沉淀了,这2台MBE的线混成一团,我们只能一根根的清理了,但整个程序都差不多,一步步来把这2台也分装好。其中,GaAs有毒,所以卸载时要带上防毒面具,带好手套。3台MBE都已经准备好搬迁了,早前也约好了重型的叉车,就开始搬迁了。我们开始把重型部件都运到一层,然后用叉车运到新实验室。叉车很给力的,虽然路不平,但一路还非常顺利。其实整个运输过程就花了大概3个多小时,接下来就是组装工作了。俗话说的好,拆东西容易,组装难啊! 首先,按照设计图纸,把所有大部件的位置固定好。我们开始安装拓扑绝缘体MBE,开始装Effusion Cell,然后把chamber和transfer tube连起来,测试样品传输系统,然后把剩下的窗口都装好。其中要特别注意的是每个法兰都得用新的垫圈,放垫圈前用丙酮把端口擦干净,拧螺丝的时候力道要均匀,对角线交替拧,一般重复3-4次,最后挨个检查松紧。其实这个组装的过程是一个很好的修补仪器的机会。1,各种源可以加满;2,玻璃窗口被镀膜的可以去刻蚀掉;3, source shuttle 污垢可以去沙磨掉(sand blast);如果shuttle被拆,装好后,先通气测试其是否正常工作;4,原来坏的东西这次有专家在必需花时间修好;5,chamber里的脏东西可以用吸尘器清理掉,这里强调一定要用开口比较细的塑料管(开口比较大的管可能会引起腔内颗粒飞扬到各个cell中去,引起交叉污染)。这次我们要专家帮我们修了很多东西,包括cracker,transfer的线,shuttle等。 组装好后,开始测试系统。首先看真空,cryo pump工作正常,ion pump也工作正常,真空好后,Rheed正常,RGA正常,再测试各个Cell的加温情况,与以前的记录数据想比较,我们有5个正常,还有一个不太正常,所以明天还得Vent再查看原因,初步分析测温系统那个地方有短路了。其他2台MBE也是类似的程序,基本能正常工作,至此,搬迁工作算是比较圆满的完成了,专家明天离开UCLA,9天3万多美金,好羡慕啊!有技术还是很好挣钱啊!当然了,有问题还可以电话咨询,Mike非常nice,事无巨细给你解释非常清楚。 回顾整个过程,感觉还是非常的顺利!这与发哥的前期工作做的非常好是离不开的。从中我更是学到了非常多实用的实验技能和组织技巧,虽然对于MBE还只是入门级别,但拆装机器让我对MBE有了更深刻的认识和理解,感谢Mike,发哥,Liang哥,Guan哥耐心的指导,也感谢Xufeng,xinxin,Jiapu的帮助,让我受益匪浅,获益终生~ ~!! 后记: 不正常的Cell卸下来,发现测温的线周围很多碎屑使其短路,清理好再装上正常运行了。下一步检查漏气,其实我们应该先检查漏气再看Cell是否正常工作。检查过程中,我们还真发现几处漏气的,于是再把螺丝拧紧,而其中Tube有一处漏气没有办法解决,应该是老伤了,因为我们没有卸过,估计是垫圈不好使了,但现在也没有什么好办法了,真空还是在原来的水平,所以就开始做校准,长样品了。
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技术路线,什么该走,什么不该走?(110504)
热度 4 ymin 2011-5-4 16:11
技术路线,什么该走,什么不该走?(110504) 闵应骅 技术的发展需要战略性的思维,而战略性思维需要战术研究的支撑。一个国家的技术路线还同时要考虑国情。我们国家,许多人都是战略科学家,一般都爱谈技术路线。但是,我看到的都只有“我们应该走什么技术路线?”,可没听说过谁谈不应该走的技术路线。没有对比,就很难有说服力地说明:为什么要采取你所指出的技术路线? 今年3/4月的IEEE DesignTest上面发表圣地亚哥加州大学Andrew B. Kahng的文章,就内嵌存储器,讨论什么路该走?什么路不该走?简单介绍如下。 我们知道国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors)是由美国、欧洲、日本、韩国和台湾地区的专家共同编制的的一个文件,是产业界(芯片制造商、设备和材料供应商)、政府部门和大学、研究机构,对当前半导体技术进行评估,对未来10-15年半导体技术的发展趋势进行预测,每年更新。它包括许多工作组,例如研究新元件的工作组、研究新材料的工作组,提出了许多关于内嵌存储器的方案,全部公开,进行比较。譬如包括电阻存储器、自旋转移力矩磁阻存储器(spin-transfer torque magnetoresistive RAM,STT-MRAM)、相变存储器等等。确定走什么路比较好有三个条件: 1.该存储技术已知存储机制,而表现出来的性能好; 2.在16纳米以下的多代技术可扩展; 3.在5-10年内可投产。 经过广泛讨论以后认为,自旋转移力矩磁阻存储器和Redox RAM将加速研究,走向商业化。有人比较了8种技术,得出了此结论。该文谈到的一些技术细节这里就不谈了。有兴趣的读者可参见 IEEE Design and test of computers,March/April 2011,pp.74-75 or http://159.226.100.157/sess_25827/http182ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=arnumber=5739844 。当然,这既然是一种预测、一种分析,并不能保证100%变成现实。这就是战略研究的成败问题了。越是集中全世界的智慧,越是经过广泛的讨论,成功的希望当然也就越大。越是过分集中几个人的意志,投资失败的可能性就越大。我国在水利建设方面这样的教训比较大。 技术路线对于国家研发经费的投资取向至关重要。公司技术路线,走得好,公司就能兴旺发达;走错了,损失很大,甚至倒闭。而技术路线的确定要融入国际。我们不是经常喊要有话语权吗?在半导体技术方面,我们就应该参与国际半导体技术路线图。单打独斗不行,跟着人家跑也不行。
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[转载]王育民老师寄语
xuyichao 2011-4-25 12:28
中国虽然是一个信息大国,但离信息强国还有很长的一段路要走。对此王老的感悟比我们晚辈更深,王老也给博士论坛提出一些好的建议。    首先要密切关注世界科学技术的发展,引导博士生们重视新科技。人类自进入信息化社会以来,技 术、经济和整个社会的前进步伐大大加快了。VLSI技术几十年如一日地按Moore定律飞速发展,而且人们仍然乐观地预示,今后十年甚至二十年,信息技术 仍将会继续按莫尔定律向前发展。    莫尔定律 (Moore law),1965年由Intel的创始人之一Gordon E. Moore最先提出的。半导体积成电路中器件的密度,每隔18个月翻一倍,计算速度每隔18个月翻一倍,成本每隔18个月减半。自提出至今已有43年了, 仍然保持成立。今后能继续保持成立吗?人们寄希望于纳米技术。    1997年IBM造出了“深蓝”计算机,装入了chatterbot ALICE计算机程序,战胜了俄国国际象棋大师Garry Kasparov。这是人类第一次用自己制造的机器在智能上(更确切地说是在下国际象棋的能力上)战胜了自己。     王老认为当前信息科学和技术的发展有以下五个特点:    1.信息科学正在渗透和融合到许多其它科学领域,如哲学、心理学、生理学、生物学、神经生物学等,信息科学技术成为许多学科的一种有力研究工具。    2.新的信息载体,如量子和DNA已走上技术舞台,电子时代已走过它最辉煌的高峰,光子时代和DNA时代已显露出曙光。    3.纳米技术为IT技术的发展提供了更广阔的前景。    4.信息的传输、存储、处理和提取向探索更远的天际和更久远的过去发展。    5.信息化社会的发展要求无时无刻地向人们提供所需的信息。这对信息的传输、存储、处理和提取 提出了很多新的要求,Internet、Web2.0、Web3.0、P2P、2G、3G和4G、移动通信、多媒体技术、在线视频广播、各种遍布式传感网络、遍布式计算、网格计算、无线Mesh网、无线Ad Hoc网、信息对抗等,不一而足。    技术发展的这些特点,给我们的学科建设和专业设置带来许多新的挑战。深感我们的科学和技术与世界先进水平还有很大的差距,我们的大学教育、师资水平、学科设置、教学条件、教学方法等都远远不能满足今后科学和技术发展对于人才的需求。    虽然要解决教育问题须从许多根本问题上进行改革才行,但作为从事专业教育工作的我们而言,应当认真研究科学和技术的发展方向,搞清学科和专业将向何处去,我们才能正确制定人才培养计划和教学大纲,以恰当的方式和方法将学生引向通往未来之路。    其次,博士生教育是我国教育体制中的最高阶段,应当提高博士毕业的水平,使这批人成为我们知识 创新的主力军。要重视和加强基础,对于密码的信息安全专业的博士来说,数学无疑是很重要的基础之一了。数学对现代密码学就具有决定意义没有数学修养的人不 可能成为密码学家,不少著名的数学家是密码学家,如 图灵 。 他1935年获英国剑桥博士学位,二次大战时曾在英国外交部通信处工作,设计了专门对付德国Engma密码的“Ultra”破译机,1945年5月21日 英国截获了希特勒海军上将雷德尔的一份密报,致使一艘为希特勒海军骄傲的巨型战列舰——俾斯麦号首航时就被炸沉!一个一流的数学家胜过十个师!美国认为, 得到一个一流的数学家比俘获十个师的德军更有价值。美国在二次大战期间,仅从德国和奥地利就不惜代价将200多名科学家接到美国。有人估计,二次大战由于 同盟国的信号截获和密码破译工作使战争提早8年结束,拯救了千千万万人的生命。1991年初的海湾战争也被誉为数学家的战争。数学不同于其他科学,它不会 开发出什么新产品,或能治愈某种疾病的特效药,然而它对科学、工程和医学的影响是巨大的。    在信息化社会中,数学的地位和作用愈加重要,但是今天的大多是学生(游戏机、操纵杆、网上冲浪,加上音乐电视的一代人)不喜欢有点“枯燥”、充满“证明”的数学,也看不到它的重要性。    虽然计算机和各种数字技术制品大大地改变了人类的生活和工作,但是它永远代替不了数学家。“最好的数学是一种艺术,一种创造性活动,它不能够简化为逻辑,正如《李尔王》或贝多芬第五交响乐不能简化为逻辑一样。”(牛津大学Roger Penrose, 《黄帝新脑》)    再次,要注意培养和提高科学素养,这是学工程的人有大作为的重要基础之一。“科学教育,特别是 自然科学的教育,是提高人们素质的重要因素,是现代教育的一个核心。科学教育不仅使人获得思想、科学精神、科学态度以及科学方法的熏陶和培养,使人获得非 生物本能的智慧,获得非与生俱来的灵魂。可以这样说,没有科学的“教育”,只是培养信仰,而不是教育。没有受过科学教育的人,只能称为受过训练,而非受过 教育。”(摘自湖南科技出版社第一推动力丛书总序)。“科学需要一双发现的眼睛,一个思考的大脑,以及一副敞开的胸怀。科学需要永远的童心和好奇。” (《新发现》,No.3, 2007, p.9)不断提高认识世界的能力,完善思考问题的方法和学习方法,在人生最美好的大学时代最有效地充实自己。    第四方面,就是要学好信息论,这对于从事信息科学技术,特别是研究通信理论、密码和信息安全技术的博士来说是很重要的。 建议认真读读Shannon的两篇经典论文:   Shannon, C. E., “A mathematical theory of communication,” Bell System Technical Journal, Vol.27, No.4, pp.397-423, 623-656, 1948.    Shannon, C. E., “Communication theory of secrecy system,” Bell System Technical Journal, Vol.28, No.4, pp.656-715, 1949.
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无需太阳能电池的太阳能电源
hxgwzu 2011-4-24 10:57
无需太阳能电池的太阳能电源
众所周知,光兼具电、磁双重属性。但到目前为止,科学家们大多认为磁场效应太弱因而可以忽略。最近,美国Michigan大学的 Stephen Rand及其合作者经研究后指出,实际情况并非如此,并研发出一种新的光电池。 (From: http://en.wikipedia.org/wiki/File:EM_spectrum.svg ) 研究表明,当穿越一种非导电材料时,光可以产生比原先预计强100倍的磁效应。在高强度光情况下,磁效应可与电效应匹敌。利用这个特性,该团队研制出了一种高容量的新电源,其中的电荷分离是通过光的磁效应而非电效应来实现的。凭此,在太阳能电池制造过程中,就可以不用半导体材料了,变得更加经济有效。 参考资料 : Optically-induced charge separation and terahertz emission in unbiased dielectrics W. M. Fisher, S. C. Rand, J. Appl. Phys . 2011 , 109 , 064903. DOI: 10.1063/1.3561505 (From: http://www.chemistryviews.org/ ) (From: http://en.wikipedia.org/ ) 相关研究 : New Type of Solar Cell with Improved Efficiency
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[转载]国内LED产业结构现状及发展趋势分析 -----文章来源:PCIM
wfshen 2011-4-19 09:26
导读: 游为单体芯片和晶体,中游为LED芯片处理,下游为封装测试和应用。产业上游和中游的具有:国际竞争激烈,最具商业风险,最有科技含量和巨大资金支持等特点。在整个链条中,上游LED芯片及其芯片外延产业占有整个产业70%的利润,封装占有10%-20%,LED应用占10%-20%。  LED是一种将电能转换为光能的半导体,可发出可见光和红外,紫外等不可见光。相比于小灯泡,LED使用低工作电压和工作电流,具有稳定性高,寿命长,易调节等优点。   LED整体产业链的门槛被连年逐渐降低。上游为单体芯片和晶体,中游为LED芯片处理,下游为封装测试和应用。产业上游和中游的具有:国际竞争激烈,最具商业风险,最有科技含量和巨大资金支持等特点。在整个链条中,上游LED芯片及其芯片外延产业占有整个产业70%的利润,封装占有10%-20%,LED应用占10%-20%。   在全球能源危机,节能,环保,小型化日益成为焦点的大环境下,具有长寿命,色彩丰富等特点的LED半导体照明技术,正被广泛的采纳为节约能源的主要途径。在达到同样照明效果的条件下,半导体灯泡采用LED作为新型光源,耗能仅为传统白炽灯的1/10,寿命为传统白炽灯的100倍。   全球LED工业在日本,台湾,欧洲,美洲,韩国,中国大陆都有不同程度的渗透。日本享有50%的份额,执全球LED工业的牛耳。   经过30年的发展,LED工业在中国大陆已经形成了相对完整的产业链,覆盖LED基片,晶圆片,芯片封装和芯片应用。在2010年底,已经有超过1000家与LED相关的企业在中国大陆成立。这些企业主要从事下游的封装和应用领域,在研发和芯片扩展上的能力比较落后。   从产业链来看,中游和上游LED产业对资本有较强的依赖性。虽然在2010年很多企业都表示要投资发展LED项目,但最终保持了观望。在中国大陆,上游生产厂商数量占有很小的比例,芯片产品长期供不应求,积压封装厂商订单的局面一直存在。   在产业中游,现阶段受到科技和资金门槛的限制(如大功率设备和SMT设备等),在国内比较落后,而低级别封装(如单列直插设备)可基本满足国内应用领域的需求,而不需要大量投资。   在产业下游,不同的应用领域显示出不同的特征,并且投资过热的现象暂时存在。很多国内企业将长期的投资用于面对过度的竞争。据预测,2011年至2012年,将是这些企业面临竞争恶化的时期。   虽然中国整体的LED产业并没有先进的技术和国际市场份额上的优势,但国内便利的市场条件为LED产业中下游创造了良好的发展机会。LED在国内的需求旺盛,如机场,高速建设和政府工程等。   随着照明效率和技术的不断提高,LED的应用领域已经从传统的指示灯延伸到显示屏,交通灯,背光灯,车灯,全景照明等领域,发展走向非常丰富。 中国政府近年来对LED照明产业发展给予了高度重视。   科技部副部长马颂德曾经表示:固态照明产业集中在美国,欧洲,日本,以及亚洲的韩国和中国台湾地区,中国大陆地区将很快拥有自己的高端LED生产能力和研发机构。但这需要国际的协作和支持。   国际性的电力电子展览会PCIM-Asia的主办方也告诉我们,今年LED作为独立的论文板块,收集到了来自世界各国企业和高校提交来的论文,其中包括飞兆半导体的《低功耗灯的可控调光器设计》,飞兆半导体的《一种适用于初级侧调节LED电源的新型的单级PFC拓扑结构》和《高效率和精确的LED连续控制驱动程序的研究与实现》等。高校方面有来自**立交通大学的《带有被动液晶Valley-Fill整流器的双向可控调光器的仿真与设计》和**立台北科技大学的《一种改进利用率的LED调光电路》等。   尤此也看出LED作为全球的热点话题正在备受科研人员的关注。   2011年3月,日本发生里氏9级地震,电子行业颇受影响,比如LED工业在江门是全球LED芯片的重要研发基地,地震对全球整个LED产业的影响引发了业内同仁的关注。   据报道,在短期,地震对电子产业的影响尚不明显,各下游生产商一般都有1至2个月的存货,但如果地震的状况得不到恢复,到6月份之后的成品价格影响会比较明显。   当前国内并没有掌握核心技术,国内大多数企业都依靠他过的技术做生产加工,在地震之后,供应链断裂,会导致国内下游产业的崩溃。   我们对于核心技术的掌握在未来几年是最重要的课题,也是摆脱对技术强国依赖的唯一途径。作为电力电子产业的风向标,2011年6月21日至23日举行的PCIM-Asia为国内LED界提供了一个良好的交流平台,为接触国外的核心技术提供了可能,同时也响应了政府的号召。为中国LED产业的蓬勃发展提供了国际协作和支持。
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