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vasp固定基矢和部分原子坐标优化结构+表面重构

已有 6235 次阅读 2022-1-11 21:29 |系统分类:科研笔记

对于优化表面,二维或者一维体系等材料时,经常有固定一个或两个晶胞方向不优化,或者固定部分原子坐标不优化的要求,相关教程已经很多,在此做一个简单的小结。

(一)固定晶胞方向优化,需要编译vasp,具体可以参考:

VASP 固定基矢优化结构方法
http://bbs.keinsci.com/thread-9494-1-1.html

(出处: 计算化学公社)
编译后,准备好INCAR,POSCAR,POTCAR,等常规输入文件和 OPTCELL文件就可以优化了;OPTCELL文件中,对应格矢,1为优化,0为固定,如:
$ cat OPTCELL
100
110
000             
表示固定c,优化a,b基矢。

(二)固定原子坐标优化,需要更改POSCAR

POSCAR 中在原子个数的下一行(第8行)写selective dynamics 

在各个原子坐标后 指定该原子是否固定
 
固定的 写上 F F F

放开的 写上 T T T

也可以固定z坐标,只允许x,y优化,写上T T F

具体可以参考叶小球老师的科学网博客 https://blog.sciencenet.cn/blog-567091-821805.html 

(三)表面重构

对于有些slab结构,可能需要考虑表面是否发生重构,如果体系较小,可以构建一个超胞,然后引入表面畸变(通常通过移动表面的原子坐标实现),再优化结构(通常允许原子平行于表面移动)。比如001表面,我们就改变原子的x,y坐标,再固定固定z坐标,优化x,y,可以同时固定z轴优化。优化后与没有移动原子的初始结构比较能量,如果能量更低,且原子坐标也没有回到初始位置,则说明发生了表面重构。





https://m.sciencenet.cn/blog-3465171-1320607.html

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