作者：Xie M. X. (UESTC，成都市)

        Webster效应也称为基区电导调制效应，这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。

        因为半导体内部各点总是要保持电中性，所以，在发射结正偏、向基区注入少子的同时，也必将有相同数量、相同浓度梯度的多子在基区中积累起来；当注入的少子浓度很大（大注入）、接近掺杂浓度时，则额外积累起来的多子浓度也就与掺杂浓度相当了，这时，基区的电导率实际上就决定于基区掺杂浓度和额外增加的多子浓度的总和（换句话说，大注入的结果就相当于增加了基区掺杂浓度），从而基区的有效电导率大大增加了（注入越大，有效电导率降低得越多），这就是基区电导调制效应（也称为Webster效应）。

        Webster效应的直接影响就是BJT基区的电阻率下降（电导率增大），使得发射结的注射效率降低，减小了电流放大系数。

        对于基区掺杂浓度分布均匀的晶体管（例如合金晶体管）而言，引起其在大电流下电流放大系数b下降的主要原因就是Webster效应。不过，对于Si平面晶体管，由于基区掺杂浓度较高一些，所以Webster效应的影响往往较小（这时，引起大电流时b下降的主要原因是Kirk效应）。

        总之，BJT在大电流（大注入）工作时，往往容易出现发射极电流集边效应、Kirk效应和Webster效应。虽然这些现象，对于BJT工作而言都属于二级效应，但是在设计较大功率的器件（特别是高频大功率晶体管）时，却是必须要考虑和解决的一些重要问题。