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微电子器件|

BJT的Webster效应: 谢孟贤 2011-3-18 13:03; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) Webster效应也称为基区电导调制效应，这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。因为半导体内部各点总是要保持电中性，所以，在发射结正偏、向基区注入少子的同时，也必将 ...; 个人分类: 微电子器件|8487 次阅读|没有评论

BJT的Kirk效应: 谢孟贤 2011-3-18 13:02; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) Kirk效应也称为基区展宽效应，这是BJT在大工作电流时、基区宽度发生增大的一种现象。(注意：不要把基区展宽效应与基区宽度调制效应混淆在一起！) （1）Kirk效应的产生机理和条件： ...; 个人分类: 微电子器件|9315 次阅读|没有评论

为什么晶体管具有电流饱和型的输出伏安特性曲线？: 热度 1 谢孟贤 2011-3-18 13:01; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 众所周知，凡是器件的工作电流受到势垒高度控制者，其伏安特性曲线基本上都是电压饱和型的(类似于电压源 )。例如， p-n结二极管的工作电流主要是越过势垒的电流(少数载流子扩散电流), Schottky二极管的工作电流 ...; 个人分类: 微电子器件|6436 次阅读|没有评论热度 1

p-n结的开关速度和几种p-n结开关二极管: 谢孟贤 2011-3-15 09:26; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) p-n结的开关速度： p-n结具有很好的单向导电性，因此，它本身就是一个很好的电流开关——正向电流很大、反向电流很小。由于通过理想p-n结的电流（ ...; 个人分类: 微电子器件|6251 次阅读|没有评论

p-n结的电流及其与温度的关系: 谢孟贤 2011-3-15 09:20; 作者：Xie M. X. (UESTC，成都市) *通过Si--p-n结的正向和反向电流：正向和反向电流基本上都包含两种电流分量.在正向小电流时,是势垒区中复合中心的复合电流为主;在正向较大电流以上时,是电中性扩散区中少子的扩散电流为主.而反向电流基本上都 ...; 个人分类: 微电子器件|10670 次阅读|没有评论

p-n结的空间电荷区: 热度 2 谢孟贤 2011-3-14 10:12; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) p-n结空间电荷区空间电荷和内建电场：p-n结空间电荷区是由于p-n结两边的多数载流子往对方注入、并扩散所形成的。它是由正、负电荷构成的一个电偶极层，其中存在较强的所谓内建电场（对Si/p-n结 ...; 个人分类: 微电子器件|11214 次阅读|1 个评论热度 2

BJT三种基本应用组态的性能比较: 热度 1 谢孟贤 2011-3-14 10:07; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 这里“基本组态”是指晶体管在应用中的基本使用方式。由于晶体管（BJT和FET）都是三端器件，则在电路应用中可以有三种接地方式（即三种基本组态）。对于BJT，三种基 ...; 个人分类: 微电子器件|12121 次阅读|没有评论热度 1

晶体管的工作状态(工作模式): 热度 1 谢孟贤 2011-3-14 10:04; 作者：Xie M. X. (UESTC，成都市) 晶体管有三种工作状态(工作模式)。 ☆晶体管的放大状态-------- 晶体管的工作状态(或工作模式)有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.放大状态就 ...; 个人分类: 微电子器件|12052 次阅读|1 个评论热度 1

增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向: 热度 4 谢孟贤 2011-3-12 21:04; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 现在微电子技术的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继 ...; 个人分类: 微电子器件|8420 次阅读|3 个评论热度 4

模拟MOSFET的一个重要发展方向: 谢孟贤 2011-3-12 20:55; 作者：Xie M. X. (UESTC，成都市) 模拟 IC 总是不断地要求提高增益、提高频率、降低噪声、减小失真等。但是由于 MOSFET 存在其固有的内在矛盾，所以很难满足模拟应用的这些需要。因此，解决这些内在矛盾，也就是模拟 MOSFET 及其 ...; 个人分类: 微电子器件|5281 次阅读|没有评论

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