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微电子器件|

双极型晶体管的高频性能指标——— β×VA: 热度 2 谢孟贤 2011-3-23 12:59; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) * 高频率和高β：表征BJT高频性能的參量有很多。重要的有如fα、fβ、fT、fm，特别是其中的特征频率fT用得最多（因为fT的测量比较容易，而且由fT能够直接换算出其它各个频率參量）。fT与少数载 ...; 个人分类: 微电子器件|5222 次阅读|2 个评论热度 2

二极管和三极管的截止频率fT: 谢孟贤 2011-3-21 13:26; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) l 二极管的截止频率: 对于 pn结二极管和肖特基二极管，由于存在势垒电容，所以随着信号频率的增高，其阻抗下降；当阻抗的大小降低 ...; 个人分类: 微电子器件|12960 次阅读|没有评论

双极型晶体管的反向漏电流———ICBO和ICEO: 热度 2 谢孟贤 2011-3-19 19:58; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) * 发射极开路时的反向漏电流ICBO：这实际上就是集电结的反向漏电流，与单个p-n结的反向饱和电流基本上相同，理想情况下都是少子的扩散电流；只是BJT中的ICBO一般要比单个p-n结的反向饱和电流稍大一些（因为基区宽 ...; 个人分类: 微电子器件|11783 次阅读|1 个评论热度 2

BJT的Early效应: 谢孟贤 2011-3-19 19:54; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) Early效应: Early效应也称为基区宽度调制效应，这是BJT在较大工作电压时所出现的一种现象。因为BJT在放大状态工作时，集电结上的反偏电压（直流电压+交流电源）是变化着的 ...; 个人分类: 微电子器件|10065 次阅读|没有评论

BJT的发射极电流集边效应: 谢孟贤 2011-3-19 19:51; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) 发射极电流集边效应产生的机理: 发射极电流集边效应也称为基极电阻自偏压效应，这是BJT在大电流工作时出现的一种现象。在发射结正偏时，通过发射结的电流大部分都流向了集 ...; 个人分类: 微电子器件|7126 次阅读|没有评论

BJT的Webster效应: 谢孟贤 2011-3-18 13:03; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) Webster效应也称为基区电导调制效应，这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。因为半导体内部各点总是要保持电中性，所以，在发射结正偏、向基区注入少子的同时，也必将 ...; 个人分类: 微电子器件|8504 次阅读|没有评论

BJT的Kirk效应: 谢孟贤 2011-3-18 13:02; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) Kirk效应也称为基区展宽效应，这是BJT在大工作电流时、基区宽度发生增大的一种现象。(注意：不要把基区展宽效应与基区宽度调制效应混淆在一起！) （1）Kirk效应的产生机理和条件： ...; 个人分类: 微电子器件|9336 次阅读|没有评论

为什么晶体管具有电流饱和型的输出伏安特性曲线？: 热度 1 谢孟贤 2011-3-18 13:01; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 众所周知，凡是器件的工作电流受到势垒高度控制者，其伏安特性曲线基本上都是电压饱和型的(类似于电压源 )。例如， p-n结二极管的工作电流主要是越过势垒的电流(少数载流子扩散电流), Schottky二极管的工作电流 ...; 个人分类: 微电子器件|6447 次阅读|没有评论热度 1

p-n结的开关速度和几种p-n结开关二极管: 谢孟贤 2011-3-15 09:26; 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) p-n结的开关速度： p-n结具有很好的单向导电性，因此，它本身就是一个很好的电流开关——正向电流很大、反向电流很小。由于通过理想p-n结的电流（ ...; 个人分类: 微电子器件|6272 次阅读|没有评论

p-n结的电流及其与温度的关系: 谢孟贤 2011-3-15 09:20; 作者：Xie M. X. (UESTC，成都市) *通过Si--p-n结的正向和反向电流：正向和反向电流基本上都包含两种电流分量.在正向小电流时,是势垒区中复合中心的复合电流为主;在正向较大电流以上时,是电中性扩散区中少子的扩散电流为主.而反向电流基本上都 ...; 个人分类: 微电子器件|10693 次阅读|没有评论

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