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双极型晶体管的反向漏电流———ICBO和ICEO
热度 2 2011-3-19 19:58
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) * 发射极开路时的反向漏电流ICBO: 这实际上就是集电结的反向漏电流,与单个p-n结的反向饱和电流基本上相同,理想情况下都是少子的 扩散电流 ;只是BJT中的ICBO一般要比单个p-n结的反向饱和电流稍大一些(因为基区宽 ...
个人分类: 微电子器件|11688 次阅读|1 个评论 热度 2
BJT的Early效应
2011-3-19 19:54
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) (1) Early效应: Early效应也称为 基区宽度调制效应 ,这是BJT在较大工作电压时所出现的一种现象。 因为BJT在放大状态工作时,集电结上的反偏电压(直流电压+交流电源)是变化着的 ...
个人分类: 微电子器件|9989 次阅读|没有评论
BJT的发射极电流集边效应
2011-3-19 19:51
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) (1) 发射极电流集边效应产生的机理: 发射极电流集边效应也称为 基极电阻自偏压效应 ,这是BJT在大电流工作时出现的一种现象。 在发射结正偏时,通过发射结的电流大部分都流向了集 ...
个人分类: 微电子器件|7063 次阅读|没有评论
BJT的Webster效应
2011-3-18 13:03
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) Webster效应也称为 基区电导调制效应 ,这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。 因为半导体内部各点总是要保持电中性,所以,在发射结正偏、向基区注入少子的同时,也必将 ...
个人分类: 微电子器件|8425 次阅读|没有评论
BJT的Kirk效应
2011-3-18 13:02
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) Kirk效应也称为 基区展宽效应 ,这是BJT在大工作电流时、基区宽度发生增大的一种现象。(注意:不要把基区展宽效应与基区宽度调制效应 混淆在一起!) (1)Kirk效应的产生机理和条件: ...
个人分类: 微电子器件|9275 次阅读|没有评论
为什么晶体管具有电流饱和型的输出伏安特性曲线?
热度 1 2011-3-18 13:01
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) 众所周知,凡是器件的工作电流受到 势垒高度 控制者,其伏安特性曲线基本上都是 电压饱和型 的(类似于 电压源 )。例如, p-n结二极管 的工作电流主要是越过势垒的电流(少数载流子扩散电流), Schottky二极管 的工作电流 ...
个人分类: 微电子器件|6412 次阅读|没有评论 热度 1
p-n结的开关速度和几种p-n结开关二极管
2011-3-15 09:26
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) p-n结的开关速度: p-n结具有很好的单向导电性,因此,它本身就是一个很好的电流开关——正向电流很大、反向电流很小。由于通过理想p-n结的电流( ...
个人分类: 微电子器件|6222 次阅读|没有评论
p-n结的电流及其与温度的关系
2011-3-15 09:20
作者:Xie M. X. (UESTC,成都市) *通过Si--p-n结的正向和反向电流: 正向和反向电流基本上都包含两种电流分量.在正向小电流时,是势垒区中复合中心的复合电流为主;在正向较大电流以上时,是电中性扩散区中少子的扩散电流为主.而反向电流基本上都 ...
个人分类: 微电子器件|10640 次阅读|没有评论
p-n结的空间电荷区
热度 2 2011-3-14 10:12
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) (1) p-n结空间电荷区 空间电荷 和 内建电场 :p-n结空间电荷区是由于p-n结两边的多数载流子往对方注入、并扩散所形成的。它是由正、负电荷构成的一个电偶极层,其中存在较强的所谓内建电场(对Si/p-n结 ...
个人分类: 微电子器件|11152 次阅读|1 个评论 热度 2
BJT三种基本应用组态的性能比较
热度 1 2011-3-14 10:07
作者: Xie M. X. (UESTC ,成都市 ) 这里“基本组态”是指晶体管在应用中的基本使用方式。由于晶体管(BJT和FET)都是三端器件,则在电路应用中可以有三种接地方式(即三种基本组态)。 对于BJT,三种基 ...
个人分类: 微电子器件|12053 次阅读|没有评论 热度 1

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