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[转载]编辑推荐 | 无均衡和预加重的70 Gbps PAM-4调制850 nm氧化限制垂直腔面发射激光器

已有 420 次阅读 2024-3-17 12:17 |个人分类:科研随想|系统分类:科研笔记|文章来源:转载

转自《半导体学报》(J. Semicond.)微信公众号。

文章信息:

70 Gbps PAM-4 850-nm oxide-confined VCSEL without equalization and pre-emphasis

Anjin Liu, Bao Tang, Zhiyong Li and Wanhua Zheng

J. Semicond, 2024, 45(5): 050501. 

doi: 10.1088/1674-4926/45/5/050501

Full Text (点此阅读全文)   PDF全文.pdf

内容简介   

垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低功耗、大带宽、高可靠、低成本等优势,成为短距光互连的理想光源,在超级计算机、数据中心和人工智能等领域有重要的应用。提高传输速率一直是VCSEL的研究方向之一,目前主要有2种方法实现高速率:(1)提高VCSEL-3dB带宽,但受限于VCSEL中载流子-光子共振(CPR)、热效应以及寄生效应等,VCSEL-3dB带宽通常为30GHz左右;(2)采用先进的调制格式,如四电平脉冲幅度调制(PAM-4)。当前单波50Gbps PAM-4 VCSEL已开始大规模量产应用,单波100Gbps PAM-4 VCSEL正在开发中,并且将过渡到下一代单波200Gbps VCSEL,用于未来400Gbps800Gbps以及Tbps级光互连。

在进一步提升VCSEL-3dB带宽极具困难的情况下,采用PAM-4格式为实现VCSEL更高速率提供了方向。PAM-4格式具有相对简单、功耗低、谱效率高等优点,已广泛用在50Gbps100GbpsVCSEL短距光互连场景。

最近,中国科学院半导体研究所刘安金研究员、郑婉华院士等人在850nm高速VCSEL研究种取得进展。他们采用半波长腔改善载流子输运和提高光限制因子,压应变量子阱提高微分增益,多氧化层降低寄生效应,先进调制掺杂方案降低电阻和损耗,高效散热方案降低热效应等。测试结果表明,基于约6μm氧化孔径VCSEL的链路-3dB带宽达到23.7GHz,在没有预加重、均衡、DPS等技术下,VCSEL可以实现PAM-4 70Gbps速率,具备超过PAM-4 100Gbps速率的潜力。

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图1. (a)850 nm VCSEL的功率-电流-电压曲线;(b)光谱;(c)小信号响应曲线;(d)35 Gbps NRZ调制眼图;(e)70 Gbps PAM-4调制眼图。

相关研究结果以《70 Gbps PAM-4 850-nm oxide-confined VCSEL without equalization and pre-emphasis》为题将发表在Journal of Semiconductors期刊2024年第5期(doi: 10.1088/1674-4926/45/5/050501),刘安金研究员为论文第一作者和通讯作者,该工作得到了郑婉华院士的悉心指导,半导体所李智勇副研究员也为本工作做出了重要贡献。 

 

作者简介   

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通讯作者、第一作者

刘安金,中国科学院半导体研究所,研究员,博士生导师,中国科学院高层次引进人才计划入选者,德国“洪堡”学者,中国科学院大学岗位教授。

2006年在华中科技大学获得学士学位,2011年在中国科学院半导体研究所获得博士学位(导师:郑婉华院士),研究方向为单模大功率低发散角光子晶体VCSEL2012年到2015年在德国柏林海因里希赫兹研究所和德国柏林工业大学工作(合作导师:Dieter Bimberg院士),研究方向为高速微纳VCSEL

长期从事VCSEL、垂直集成光子芯片等方向的基础和应用研究。近几年主持国家自然科学基金面上项目、高技术项目、中国科学院高层次引进人才项目、北京市自然科学基金重点研究专题项目等多项。在Photonics ResearchApplied Physics LettersOptics LettersOptics Express等期刊上发表关于VCSEL等相关的论文60余篇,其中以第一作者兼唯一通讯作者在Photonics Research等期刊上发表了4篇关于VCSEL的综述论文。获得美国/中国授权专利19项。在SPIE Photonics Europe等场合作邀请报告20多次。

Nature CommunicationsOpticaLaser & Photonics ReviewsPhotonics Research等主流期刊的独立审稿人。任波兰国家科学中心、国家自然科学基金委、科技部的项目评审专家。任中国有色金属学会半导体材料学术委员会委员。获得中国科学院院长特别奖、中国科学院优秀博士论文、北京市科学技术奖二等奖、德国“洪堡”学者、中国光学工程学会创新技术奖一等奖、国家技术发明奖二等奖等奖项/荣誉。



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1 池德龙

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