书名：基于半导体量子点的量子计算与量子信息

作者：王取泉等

备注：“十一五”国家重点图书

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内容简介：

   本书以清晰的物理图象和丰富的实验结果比较全面地介绍了基于半导体量子点激子的量子计算和量子信息方面的最新研究进展。全书共分八章。第一章和第二章简要介绍半导体量子点基本特性，其中第一章是关于半导体量子点形貌结构特征，第二章是关于量子点地基本相干特性和单量子点的实验探测技术。第三章至第五章涉及到量子计算。第三章介绍半导体量子点激子量子比特旋转及其品质因子，并且比较深入地讨论了量子点体系中多种复杂的退相干机制对其品质因子的影响。第四章介绍半导体量子点中实现CNOT量子逻辑门以及D-J逻辑运算，这两者是量子计算中的基本量子逻辑操作，也是未来量子计算机的曙光。第五章分析和讨论半导体量子点中激子自旋的驰豫机制，并介绍利用相干光学方法实现激子自旋的交换。第六章至第八章涉及到量子信息，其中第六章和第七章分别介绍半导体量子点的单光子发射和级联多光子发射过程，第八章介绍半导体芯片上单个半导体量子点发射纠缠光子对的特性，分析和讨论多种因素对光子偏振纠缠度的影响。

作者简介：

    王取泉，理学博士，博士生导师，武汉大学物理系教授。 

    1979～1984年中国科学技术大学物理系本科生，学士学位；

    1990年武汉大学物理系激光物理，硕士学位；

    1999年武汉大学物理系凝聚态物理博士学位； 

    2000年8月～2001年7月，北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室进行访问研究, 研究纳米金属颗粒复合材料和纳米结构氧化物半导体薄膜的超快非线性光学响应。2001年9月～2003年8月，中国科学院物理研究所，国际量子结构中心博士后。2001年12月～2003年7月，美国德克萨斯大学奥斯汀分校物理系进行（博士后）访问研究，研究内容为InGaAs半导体量子点的单光子发射、Rabi振荡和量子比特旋转。被SCI收录的论文50余篇。目前主要从事的研究内容有：单量子点的光谱成象技术，半导体量子点的单光子发射，半导体量子点激子态的相干操纵、Rabi振荡、量子比特旋转、量子逻辑门和超快非线性光学效应。主持国家自然科学基金面上项目2项（半导体量子点中量子比特旋转和量子逻辑门的研究），重点项目1项（半导体低维体系中自旋动力学过程的研究）。

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