博文
- 阴极短路技术,阳极短路技术
- Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 阴极短路技术 或者 阳极短路技术 ，都是为了改善 晶闸管 之类器件的工作性能而采取的一项技术措施。其根本作用就在于减小有关器件中所包含的某个双极型晶体管（ BJT ）的电流放大系数。这种技术在 绝缘栅双极型场效应晶体管 （ IGBT ）中也有着重要的应用。 （1）BJT的工作状 ...
- 两种大功率双极型晶体管(带有保护元器件的功率BJT)
- 热度 1
-
Xie Meng-xian. (电子科大，成都市) 一般，功耗大于1W的晶体管称为功率晶体管。现在大量生产的两种大功率双极型晶体管就是开关BJT和达林顿BJT。 双极型晶体管虽然具有良好的大电流、高功率等特性，但由于它的电流具有正的温度系数，因此往往在使用过程中会由于 ...
- 增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向
- 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 现在微电子技术的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继续不断缩短沟道长度的话，将会受到若干因 ...
- MOSFET二极管的阈值损失问题
- 热度 1
- 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 我们知道，对于增强型MOSFET，在加有一定的源-漏电压（VDS）下，只有当栅-源电压（VGS）大于阈值电压（VT）时，才出现源-漏电流（IDS）；否则，当VGS小于VT时，则不产生沟道，基本上没有源-漏电流（实际上，往往有很小的所谓亚阈电流通过）。在VGS大于VT ...
- 晶体管在测试和电路应用中容易造成损害的一些情况
- 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 一只设计和制造好的晶体管，如果在测试过程或者在电路应用中处理不当，也会容易造成其损坏。有些地方看来是一些小问题，但是如果稍微一疏忽，就会对晶体管产生永久性破坏的大问题。这里仅就这样的一些小问题加以简单的说明，以期引起晶体管的 ...
- 调制掺杂异质结和高迁移率二维电子气
- 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) (1) 二维电子气: 对于 突变异质结 ，由于导带底能量突变量DEC的存在，则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”；实际上，对异质结中导带电子的作用而言，该“尖峰”也就是电子的势垒，“凹口”也就是电子的势阱。因此，实际上“尖峰”中的电场有驱赶 ...
- 关于RF器件
- 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) RF电路的制作主要是着眼于阻抗匹配，对其中所采用的器件的要求重要的是其高频率和低噪声性能。 （1）减小电容： 对于RF(射频)-BJT，影响其高频性能的主要因素是集电结势垒电容和衬底的寄生电容（因为在共发射极 ...
- MOSFET的衬偏效应(体效应)
- 热度 1
- 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电 沟道 —— 表面反型层 来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结—— 场感应结 。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化(栅电压不再能够改变耗尽层厚 ...
- 几种典型Si平面BJT的设计考虑（要点）
- Xie Meng-xian. (电子科大，成都市) * ——低频小功率BJT： 作为一只普通的低频小功率BJT，首先就是要求它具有较好的放大功能，即有较大的电流放大系数β。为了提高BJT的β，需要从增大其发射结注射效率和增大其基区 ...
- 限制半导体器件最高工作条件的主要因素
- 热度 2
- Xie Meng-xian. (电子科大，成都市) （1）限制半导体器件最高工作温度的主要因素： 因为半导体材料本身在温度升高到一定程度时都将要转变为本征半导体，这时p-n结也就失效了。而现有的半导体器件几乎都少不了p-n结（MOSFET也是如此），所以当p ...
