作者：Xie M. X. (UESTC，成都市)

 我们知道，对于增强型MOSFET，在加有一定的源-漏电压（VDS）下，只有当栅-源电压（VGS）大于阈值电压（VT）时，才出现源-漏电流（IDS）；否则，当VGS小于VT时，则不产生沟道，基本上没有源-漏电流（实际上，往往有很小的所谓亚阈电流通过）。在VGS大于VT、产生出沟道的情况下，沟道也是在漏极一端被夹断了的，MOSFET处于饱和状态，通过的电流IDS与栅-源电压的平方（VGS2）成正比，而与源-漏电压基本无关（即电流饱和）。

 如果把增强型MOSFET的栅极与漏极连接起来，构成所谓MOSFET二极管，则有VGS=VDS，于是MOSFET将始终处于饱和状态（沟道夹断的状态）；这时，若减小源-漏电流IDS，那么，栅-源电压VGS和源-漏电压VDS也都将同时相应地降低，当源-漏电流减小到0时，则VGS和VDS必都将同时降低到阈值电压VT。这就是说，当通过MOSFET二极管的源-漏电流为0时，在源-漏之间存在有一个电压——阈值电压VT；或反过来说，在源-漏之间加有大小等于VT的一个电压时，通过器件的电流为0。这也就是MOSFET二极管用作为门电路有源负载时将会产生阈值损失的根源。

 这种MOSFET二极管的特殊性能（有电压、而没有电流的性能），在许多电路设计中很有用，它可用来有效地降低功耗。