作者：Xie M. X. (UESTC，成都市)

  一只设计和制造好的晶体管，如果在测试过程或者在电路应用中处理不当，也会容易造成其损坏。有些地方看来是一些小问题，但是如果稍微一疏忽，就会对晶体管产生永久性破坏的大问题。这里仅就这样的一些小问题加以简单的说明，以期引起晶体管的设计制造者和使用者们的注意。

 （1）双极型晶体管（BJT）：BJT在结构上的重要特点就是基区宽度很窄，并存在一定的基极电阻。因此，横向通过基区的电流（即基极电流，是多数载流子电流）决不能大，否则就会发热严重，立刻损坏发射结或者基极。BJT在正常工作时，通过的主要电流是从发射极到集电极的较大的电流（是少数载流子的扩散电流）；而横向流动的基极电流是很小的。在测试或使用BJT时，若采用双电源供电，则应该首先加集电结的反向电压，然后再加发射结的正向电压，以保证较大的发射极电流大部分就直接流到集电结去，而不横向流过基区；相反，如果是先加上了发射结电压，那么大的发射极电流就会立即进入基区、并横向流过基区而从基极流出，这样就容易烧毁发射结或者基极。

 根据同样的道理，当BJT在测试或电路使用过程中，不管是双电源供电还是单电源供电，假若操作不小心、或者因为焊点脱落等原因，一旦造成集电极通路断开，也会使得较大的发射极电流横向流过基区而破坏晶体管。如果有这种情况出现的话，那么即使再怎么好的BJT，也会失效；然而遗憾的是，当产生这种问题以后，往往并不为测试者或使用者所知，还误认为是晶体管本身就不好。

 （2）MOSFET：MOS栅极结构是比较脆弱的，过高的栅极电压、或者过大的沟道电流都会使它遭受损害。因为现在MOSFET的栅极电容都做得很小了（特别是VLSI中的器件），因此栅极上很少量的静电电荷就会产生很高的静电电压而破坏MOS栅极——ESD。所以，在制造、测试、储存和使用MOSFET及其IC时，决不可用手、或者带电的物件去接触栅极，同时储存架、工作台和操作员的手都需要接地线（以释放静电荷）。

 在测试和使用MOSFET时，也需要注意防止因沟道电流过大而损害MOS栅极。对于耗尽型MOSFET，如果是双电源供电的话，应该首先加栅电压（控制住沟道的宽度），然后再加较高的源-漏电压，以保证源-漏电流不超过额定值；反之，如果是先加较高的源-漏电压的话，那么源-漏电流就有可能过大而立刻烧毁MOS栅极。根据同样的道理，当耗尽型MOSFET在测试或电路使用过程中，不管是双电源供电还是单电源供电，假若操作不小心、或者因为焊点脱落等原因，一旦造成栅极通路断开，那么就容易造成器件失效。JFET的情况与耗尽型MOSFET的差不多，因为JFET多半是耗尽型器件，所以，先加源-漏电压、或者断开栅极通路，都将容易造成器件失效。

 对于增强型MOSFET，最好是先加源-漏电压，然后再加栅电压；如果是首先加上了较大的栅电压、产生了较宽的沟道，然后再加上较高的源-漏电压，就容易出现过大的源-漏电流。不过，在测试或电路使用过程中，不管是哪条通路断开了，对增强型MOSFET的影响应该不会太大。